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| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Contact Plating | Surface Mount | Material | Diode Element Material | Number of Terminals | Transistor Element Material | Drain Current-Max (ID) | Factory colour | Ihs Manufacturer | Manufacturer | Manufacturer Part Number | Number of Elements | Operating Temperature-Max | Package Body Material | Package Description | Package Shape | Package Style | Part Life Cycle Code | Power Dissipation (Max) | Reflow Temperature-Max (s) | Risk Rank | RoHS | Rohs Code | Type A | Type B | Tolerance | JESD-609 Code | Pbfree Code | Number of Terminations | ECCN Code | Temperature Coefficient | Type | Resistance | Terminal Finish | Max Operating Temperature | Min Operating Temperature | Composition | Additional Feature | Subcategory | Max Power Dissipation | Technology | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Reach Compliance Code | Military Standard | JESD-30 Code | Qualification Status | Case Code (Metric) | Case Code (Imperial) | Failure Rate | Configuration | Diode Type | Operating Mode | Case Connection | Transistor Application | Polarity/Channel Type | Product Type | JEDEC-95 Code | Drain Current-Max (Abs) (ID) | DS Breakdown Voltage-Min | FET Technology | Power Dissipation-Max (Abs) | Breakdown Voltage-Min | Highest Frequency Band | Diode Capacitance-Max | Power Dissipation Ambient-Max | Minority Carrier Lifetime-Nom | Features | Diode Forward Resistance-Max | Power Gain-Min (Gp) | Height | Length | Width | Radiation Hardening |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Mfr. ТипUM7201Anlielectronics Тип | Microsemi |
RF PIN DIODE
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Silicone | SILICON | - | - | - | Red,Black | MICROSEMI CORP | Microsemi Corporation | UM7201 | - | - | - | - | - | - | Active | 2 W | NOT SPECIFIED | 5.67 | - | No | Test probe,Banana jack 4 mm | Banana jack 4 mm | - | e0 | No | - | EAR99 | - | L215 | - | TIN LEAD | - | - | - | - | - | - | POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE | - | - | NOT SPECIFIED | compliant | - | - | Not Qualified | - | - | - | - | PIN DIODE | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 100 V | - | 2.2 pF | - | 1.5 µs | - | 0.25 Ω | - | - | - | - | - | ||
| UM7201 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. Тип80-DME375AAnlielectronics Тип | Microsemi |
Trans RF BJT NPN 55V 30A 875000mW 3-Pin Case 55AW-1
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Molded case circuit breaker | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| 80-DME375A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. Тип1011GN-1000VAnlielectronics Тип | Microsemi |
RF POWER TRANSISTOR
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | YES | - | - | 2 | GALLIUM NITRIDE | - | - | MICROSEMI CORP | Microsemi Corporation | 1011GN-1000V | 1 | 250 °C | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | - | RECTANGULAR | FLANGE MOUNT | Active | - | - | 5.55 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | DUAL | FLAT | - | compliant | - | R-CDFM-F2 | - | - | - | - | SINGLE | - | ENHANCEMENT MODE | SOURCE | AMPLIFIER | N-CHANNEL | - | - | - | 150 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | L BAND | - | 1830 W | - | - | - | 19 dB | - | - | - | - | ||
| 1011GN-1000V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. Тип1014GN-100ELAnlielectronics Тип | Microsemi |
RF POWER TRANSISTOR
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Non-Compliant | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| 1014GN-100EL | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипARF449AAnlielectronics Тип | Microsemi |
RF POWER TRANSISTOR
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | NO | - | - | 3 | SILICON | 9 A | - | ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC | Miscellaneous | CM4051A | 1 | 150 °C | PLASTIC/EPOXY | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | RECTANGULAR | FLANGE MOUNT | Transferred | - | - | 5.66 | - | No | - | - | - | e0 | - | - | - | - | - | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | - | - | HIGH RELIABILITY | FET General Purpose Power | - | - | SINGLE | THROUGH-HOLE | - | unknown | - | R-PSFM-T3 | Not Qualified | - | - | - | SINGLE | - | ENHANCEMENT MODE | SOURCE | AMPLIFIER | N-CHANNEL | - | TO-247AD | 10 A | 450 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 165 W | - | VERY HIGH FREQUENCY BAND | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| ARF449A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипMG1022-M16Anlielectronics Тип | Microsemi |
RF GUNN DIODE
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| MG1022-M16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипUM9989SM-TRAnlielectronics Тип | Microsemi |
RF PIN DIODE
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| UM9989SM-TR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипUMX9989BAnlielectronics Тип | Microsemi |
RF PIN DIODE
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| UMX9989B | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. Тип2N3637UB-JANTXAnlielectronics Тип | Microsemi |
RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| 2N3637UB-JANTX | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. Тип1214GN-15EPAnlielectronics Тип | Microsemi |
RF POWER AMPLIFIER PALLET
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| 1214GN-15EP | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. Тип1214GN-15EAnlielectronics Тип | Microsemi |
RF POWER TRANSISTOR
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| 1214GN-15E | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. Тип1011GN-800VAnlielectronics Тип | Microsemi |
RF POWER TRANSISTOR
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | MICROSEMI CORP | Microsemi Corporation | 1011GN-800V | - | - | - | , | - | - | Active | - | - | 5.55 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | compliant | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| 1011GN-800V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. Тип1214-25VAnlielectronics Тип | Microsemi |
RF POWER TRANSISTOR
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| 1214-25V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. Тип0912GN-300-TFAnlielectronics Тип | Microsemi |
RF TRANSISTOR TEST FIXTURE
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| 0912GN-300-TF | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. Тип80-MS2425Anlielectronics Тип | Microsemi |
RF POWER TRANSISTOR
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| 80-MS2425 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. Тип1214GN-50ELAnlielectronics Тип | Microsemi |
RF POWER TRANSISTOR
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | MICROSEMI CORP | Microsemi Corporation | 1214GN-50EL | - | - | - | , | - | - | Active | - | - | 5.59 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | compliant | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| 1214GN-50EL | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. Тип1214GN-500-TFAnlielectronics Тип | Microsemi |
RF TRANSISTOR TEST FIXTURE
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| 1214GN-500-TF | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. Тип1011GN-100VAnlielectronics Тип | Microsemi |
RF POWER TRANSISTOR
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | Lead, Tin | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Compliant | - | - | - | 0.1 % | - | - | 2 | - | 25 ppm/°C | - | 1.6 kΩ | - | 150 °C | -55 °C | Thin Film | - | - | 250 mW | - | - | - | - | - | MIL-PRF-55342 | - | - | 3216 | 1206 | 0.01 % | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Military | - | - | 838.2 µm | 3.2004 mm | 1.6002 mm | No | ||
| 1011GN-100V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. Тип1214GN-700VAnlielectronics Тип | Microsemi |
RF POWER TRANSISTOR
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | MICROSEMI CORP | Microsemi Corporation | 1214GN-700V | - | - | - | , | - | - | Active | - | - | 5.56 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | compliant | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| 1214GN-700V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. Тип1214GN-15ELAnlielectronics Тип | Microsemi |
RF POWER TRANSISTOR
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| 1214GN-15EL |
Индекс :
0123456789ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ
