Memory Products For Sale - PDF - Integrated Circuits (ICs) -Page5

Изображение	Тип	Марка	Объяснение	Установленная цена	Количество	RoHS	Mounting Type	Package / Case	Surface Mount	Supplier Device Package	Number of Terminals	Access Time-Max	Approvals	Clock Frequency-Max (fCLK)	Ihs Manufacturer	Manufacturer	Manufacturer Part Number	Memory Types	Mfr	Mounting	Number of Words	Number of Words Code	Operating Temperature-Max	Operating Temperature-Min	Package Body Material	Package Code	Package Description	Package Equivalence Code	Package Shape	Package Style	Part Life Cycle Code	Part Package Code	Reflow Temperature-Max (s)	Resistance @ 25C	Risk Rank	RoHS	Rohs Code	Supply Voltage-Nom (Vsup)	Operating Temperature	Packaging	Series	JESD-609 Code	Part Status	ECCN Code	Terminal Finish	Additional Feature	HTS Code	Subcategory	Technology	Voltage - Supply	Terminal Position	Terminal Form	Peak Reflow Temperature (Cel)	Number of Functions	Terminal Pitch	Reach Compliance Code	Current Rating	Output	Pin Count	Termination Style	JESD-30 Code	Qualification Status	Output Type	Supply Voltage-Max (Vsup)	Power Supplies	Temperature Grade	Supply Voltage-Min (Vsup)	Memory Size	Number of Ports	Operating Mode	Clock Frequency	Supply Current-Max	Power - Max	Accuracy	Protections	Memory Format	Organization	Output Characteristics	Seated Height-Max	Memory Width	Operating Pressure	Pressure Type	Port Style	Port Size	Terminal Type	Standby Current-Max	Memory Density	Maximum Pressure	Parallel/Serial	I/O Type	Memory IC Type	Programming Voltage	Resistance Tolerance	Refresh Cycles	Sequential Burst Length	Interleaved Burst Length	Access Mode	Features	Self Refresh	Memory Organization	Length	Width

Изображение	Тип	Марка	Объяснение	Количество	Mounting Type	Package / Case	Surface Mount	Supplier Device Package	Number of Terminals	Access Time-Max	Approvals	Clock Frequency-Max (fCLK)	Ihs Manufacturer	Manufacturer	Manufacturer Part Number	Memory Types	Mfr	Mounting	Number of Words	Number of Words Code	Operating Temperature-Max	Operating Temperature-Min	Package Body Material	Package Code	Package Description	Package Equivalence Code	Package Shape	Package Style	Part Life Cycle Code	Part Package Code	Reflow Temperature-Max (s)	Resistance @ 25C	Risk Rank	RoHS	Rohs Code	Supply Voltage-Nom (Vsup)	Operating Temperature	Packaging	Series	JESD-609 Code	Part Status	ECCN Code	Terminal Finish	Additional Feature	HTS Code	Subcategory	Technology	Voltage - Supply	Terminal Position	Terminal Form	Peak Reflow Temperature (Cel)	Number of Functions	Terminal Pitch	Reach Compliance Code	Current Rating	Output	Pin Count	Termination Style	JESD-30 Code	Qualification Status	Output Type	Supply Voltage-Max (Vsup)	Power Supplies	Temperature Grade	Supply Voltage-Min (Vsup)	Memory Size	Number of Ports	Operating Mode	Clock Frequency	Supply Current-Max	Power - Max	Accuracy	Protections	Memory Format	Organization	Output Characteristics	Seated Height-Max	Memory Width	Operating Pressure	Pressure Type	Port Style	Port Size	Terminal Type	Standby Current-Max	Memory Density	Maximum Pressure	Parallel/Serial	I/O Type	Memory IC Type	Programming Voltage	Resistance Tolerance	Refresh Cycles	Sequential Burst Length	Interleaved Burst Length	Access Mode	Features	Self Refresh	Memory Organization	Length	Width
	Mfr. Тип H5ANAG8NCJR-XNC Anlielectronics Тип	SK Hynix	16Gb DDR4 3200 2Gx8 (0~95C) Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	78-TFBGA	-	78-FBGA (7.5x11)	-	-	-	-	-	-	-	Volatile	SK Hynix	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Tape & Reel (TR)	-	-	Active	-	-	-	-	-	-	1.14V ~ 1.26V	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	16Gbit	-	-	1.6 GHz	-	-	-	-	DRAM	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	2G x 8	-	-
H5ANAG8NCJR-XNC SK Hynix RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип H5TC4G63EFR-RDAR Anlielectronics Тип	SK HYNIX INC	DRAM Chip LPDDR3L SDRAM 4G-Bit 256M X 16 1.35V 96-Pin FPBGA Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	1206 (3216 Metric)	-	1206	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	10 Ohms	-	-	-	-	-55°C ~ 125°C	Tape & Reel (TR)	PTFT	-	Obsolete	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	125mW	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	±5%	-	-	-	-	-	-	-	-	-
H5TC4G63EFR-RDAR SK HYNIX INC RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип H5TQ4G63CFR-TEI Anlielectronics Тип	SK HYNIX INC	DRAM Chip DDR3 SDRAM 4G-Bit 256M x 16 1.5V 96-Pin FBGA Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	Cylinder	YES	--	96	-	-	-	SK HYNIX INC	SK Hynix Inc	H5TQ4G63CFR-TEI	-	-	-	268435456 words	256000000	85 °C	-40 °C	PLASTIC/EPOXY	TFBGA	TFBGA,	-	RECTANGULAR	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	Obsolete	-	NOT SPECIFIED	-	5.65	-	Yes	1.5 V	-40°C ~ 105°C	-	MediaSensor™	-	Active	-	-	AUTO/SELF REFRESH	-	-	CMOS	8 V ~ 30 V	BOTTOM	BALL	NOT SPECIFIED	1	0.8 mm	compliant	-	1 V ~ 5 V	-	Cable 1	R-PBGA-B96	-	Analog Voltage	1.575 V	-	INDUSTRIAL	1.425 V	-	1	SYNCHRONOUS	-	-	-	±0.5%	-	-	256MX16	-	1.2 mm	16	75 PSI (517.11 kPa)	Absolute	Threaded	Male - 3/8 (9.52mm) UNF	-	-	4294967296 bit	--	-	-	DDR DRAM	-	-	-	-	-	MULTI BANK PAGE BURST	Amplified Output, Temperature Compensated	YES	-	13 mm	7.5 mm
H5TQ4G63CFR-TEI SK HYNIX INC RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип H5AN8G6NAFR-UHC Anlielectronics Тип	SK HYNIX INC	DDR4 SDRAM 8GB Capacity 512M x 16 2400MT/s Speed 1.2V Supply Voltage 96-Ball FBGA (Alt: H5AN8G6NAFR-UHC) Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	YES	-	96	-	UL	-	SK HYNIX INC	ABB	S282UC-Z32	-	-	DIN Rail	536870912 words	512000000	85 °C	-	PLASTIC/EPOXY	TFBGA	TFBGA,	-	RECTANGULAR	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	End Of Life	-	NOT SPECIFIED	-	5.59	-	Yes	1.2 V	-	-	-	-	-	-	-	AUTO/SELF REFRESH	-	-	CMOS	-	BOTTOM	BALL	NOT SPECIFIED	1	0.8 mm	compliant	32 A	-	-	-	R-PBGA-B96	-	-	1.26 V	-	OTHER	1.14 V	-	1	SYNCHRONOUS	-	-	-	-	Supplemental	-	512MX16	-	1.2 mm	16	-	-	-	-	Screw	-	8589934592 bit	-	-	-	DDR DRAM	-	-	-	-	-	MULTI BANK PAGE BURST	-	YES	-	13 mm	7.5 mm
H5AN8G6NAFR-UHC SK HYNIX INC RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип H9TP32A8JDMCPR-KGM. Anlielectronics Тип	SK HYNIX INC	32G EMMC FLASH FBGA162 Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Crouse-Hinds Industrial Products	NC CH1 EGF	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
H9TP32A8JDMCPR-KGM. SK HYNIX INC RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип H5AN8G6NCJR-VKC Anlielectronics Тип	SK HYNIX INC	DRAM Chip DDR4 SDRAM 8Gbit 512M X 16 1.2V 96-Pin FBGA Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	YES	-	96	-	-	-	SK HYNIX INC	SK Hynix Inc	H5AN8G6NCJR-VKC	-	-	-	536870912 words	512000000	85 °C	-	PLASTIC/EPOXY	TFBGA	FBGA-96	-	RECTANGULAR	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	Active	-	NOT SPECIFIED	-	5.63	Yes	Yes	1.2 V	-	-	-	-	-	-	-	AUTO/SELF REFRESH	-	-	CMOS	-	BOTTOM	BALL	NOT SPECIFIED	1	0.8 mm	compliant	-	-	-	-	R-PBGA-B96	-	-	1.26 V	-	OTHER	1.14 V	-	1	SYNCHRONOUS	-	-	-	-	-	-	512MX16	-	1.2 mm	16	-	-	-	-	-	-	8589934592 bit	-	-	-	DDR DRAM	-	-	-	-	-	MULTI BANK PAGE BURST	-	YES	-	13 mm	7.5 mm
H5AN8G6NCJR-VKC SK HYNIX INC RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип HMA41GS6AFR8N-TFN0 Anlielectronics Тип	SK HYNIX INC	DRAM Module DDR4 SDRAM 8Gbyte 260SODIMM (Alt: HMA41GS6AFR8N-TFN0) Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Yes	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
HMA41GS6AFR8N-TFN0 SK HYNIX INC RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип H26M41208HPRI Anlielectronics Тип	SK HYNIX INC	Flash Card 8GB 3.3V Embedded MMC 153-Pin FBGA Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Yes	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
H26M41208HPRI SK HYNIX INC RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип H9HKNNNBTUMU Anlielectronics Тип	SK HYNIX INC	LPDDR4 MOBILE DRAM MEMORY Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
H9HKNNNBTUMU SK HYNIX INC RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип H55S5162DFR-75M Anlielectronics Тип	SK HYNIX INC	DRAM Chip Mobile SDRAM 512M-Bit 32Mx16 1.8V 54-Pin FBGA (Alt: H55S5162DFR-75M) Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	YES	-	54	6 ns	-	133 MHz	SK HYNIX INC	SK Hynix Inc	H55S5162DFR-75M	-	-	-	33554432 words	32000000	85 °C	-30 °C	PLASTIC/EPOXY	VFBGA	VFBGA, BGA54,9X9,32	BGA54,9X9,32	SQUARE	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	Obsolete	BGA	-	-	5.83	-	Yes	1.8 V	-	-	-	e1	-	EAR99	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)	AUTO/SELF REFRESH	8542.32.00.28	DRAMs	CMOS	-	BOTTOM	BALL	-	1	0.8 mm	compliant	-	-	54	-	S-PBGA-B54	Not Qualified	-	1.95 V	1.8 V	OTHER	1.7 V	-	1	SYNCHRONOUS	-	0.1 mA	-	-	-	-	32MX16	3-STATE	1 mm	16	-	-	-	-	-	0.00001 A	536870912 bit	-	-	COMMON	SYNCHRONOUS DRAM	-	-	8192	1,2,4,8,FP	1,2,4,8	FOUR BANK PAGE BURST	-	YES	-	10 mm	8 mm
H55S5162DFR-75M SK HYNIX INC RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип H5PS1G83EFR-G7CR Anlielectronics Тип	SK HYNIX INC	DRAM Chip DDR2 SDRAM 1G-Bit 128M x 8 1.8V 60-Pin FBGA (Alt: H5PS1G83EFR-G7CR) Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Yes	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
H5PS1G83EFR-G7CR SK HYNIX INC RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип HMA84GL7AMR4N-UH Anlielectronics Тип	SK HYNIX INC	32GB DDR4 SDRAM MEMORY MODULE (HMA84GL7AMR4N-UH) Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	NO	-	288	-	-	-	SK HYNIX INC	SK Hynix Inc	HMA84GL7AMR4N-UH	-	-	-	4294967296 words	4000000000	85 °C	-	UNSPECIFIED	DIMM	DIMM,	-	RECTANGULAR	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	Obsolete	-	20	-	5.71	-	Yes	1.2 V	-	-	-	-	-	-	-	AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX	-	-	CMOS	-	DUAL	NO LEAD	260	1	-	compliant	-	-	-	-	R-XDMA-N288	-	-	1.26 V	-	OTHER	1.14 V	-	1	SYNCHRONOUS	-	-	-	-	-	-	4GX72	-	30.88 mm	72	-	-	-	-	-	-	309237645312 bit	-	-	-	DDR DRAM MODULE	-	-	-	-	-	FOUR BANK PAGE BURST	-	YES	-	133.35 mm	3.98 mm
HMA84GL7AMR4N-UH SK HYNIX INC RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип HMT41GS6AFR8A-PBN0 Anlielectronics Тип	SK HYNIX INC	DRAM Module DDR3L SDRAM 8Gbyte 204SODIMM (Alt: HMT41GS6AFR8A-PBN0) Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
HMT41GS6AFR8A-PBN0 SK HYNIX INC RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип H27U4G8F2GFR-BI Anlielectronics Тип	SK HYNIX INC	SLC NAND Flash Parallel 3.3V 4Gbit 512M X 8Bit 63-Pin FBGA Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
H27U4G8F2GFR-BI SK HYNIX INC RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип HYB39S256160FE-7 Anlielectronics Тип	SK HYNIX INC	SYNCHRONOUS DRAM, 16MX16, 5.4NS, CMOS, PDSO54 Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
HYB39S256160FE-7 SK HYNIX INC RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип H9HCNNNBPUMLHR-NMI Anlielectronics Тип	SK HYNIX INC	DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 15G-Bit 512M X 32 1.8V 200-Pin FBGA (Alt: H9HCNNNBPUMLHR-NMI) Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
H9HCNNNBPUMLHR-NMI SK HYNIX INC RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип H5AN8G6NCJR-VKCR Anlielectronics Тип	SK HYNIX INC	DRAM Chip DDR4 SDRAM 8Gbit 512M X 16 1.2V 96-Pin FBGA Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
H5AN8G6NCJR-VKCR SK HYNIX INC RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип H5PS1G63EFR-Y5CR Anlielectronics Тип	SK HYNIX INC	DRAM Chip DDR2 SDRAM 1G-Bit 64M x 16 1.8V 84-Pin FBGA (Alt: H5PS1G63EFR-Y5CR) Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
H5PS1G63EFR-Y5CR SK HYNIX INC RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип HMA81GR7AFR8N-UHTD Anlielectronics Тип	SK HYNIX INC	DRAM Module DDR4 SDRAM 8Gbyte 288RDIMM (Alt: HMA81GR7AFR8N-UHTD) Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
HMA81GR7AFR8N-UHTD SK HYNIX INC RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип H26M64208EMR Anlielectronics Тип	SK HYNIX INC	Flash Card 32G-byte -888V Embedded MMC 153-Pin FBGA Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	YES	-	153	-	-	-	SK HYNIX INC	SK Hynix Inc	H26M64208EMR	-	-	-	34359738368 words	32000000000	85 °C	-25 °C	PLASTIC/EPOXY	VFBGA	VFBGA,	-	RECTANGULAR	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	Active	-	NOT SPECIFIED	-	5.75	-	Yes	3.3 V	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	CMOS	-	BOTTOM	BALL	NOT SPECIFIED	1	0.5 mm	compliant	-	-	-	-	R-PBGA-B153	-	-	3.6 V	-	OTHER	2.7 V	-	-	SYNCHRONOUS	-	-	-	-	-	-	32GX8	-	1 mm	8	-	-	-	-	-	-	274877906944 bit	-	PARALLEL	-	FLASH	3.3 V	-	-	-	-	-	-	-	-	13 mm	11.5 mm
H26M64208EMR SK HYNIX INC RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -

Integrated Circuits (ICs)

Memory definition: Memory is a component used to store programs and various data information. A memory cell is actually a type of sequential logic circuit. A m... Memory Product Listing: H5ANAG8NCJR-XNC,H5TC4G63EFR-RDAR,H5TQ4G63CFR-TEI,H5AN8G6NAFR-UHC,H9TP32A8JDMCPR-KGM..Integrated Circuits (ICs) type:Embedded - Microcontrollers(129432),Memory(111901),PMIC - Supervisors(101743),PMIC - Voltage Regulators - Linear(101187),PMIC - Voltage Regulators - DC DC Switching Regulators(62822) .Memory has 159 pieces of spot stock price information, you can click the "RFQ" button to confirm the inventory and price with the Anli.

Индекс :

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

Локаль

Язык

Валюта

Здравствуйте, добро пожаловать в ANLI

Anlielectronics

Локаль

Язык

Валюта

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Integrated Circuits (ICs)