| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Factory Lead Time | Mounting Type | Package / Case | Surface Mount | Number of Terminals | Access Time-Max | Ihs Manufacturer | Memory Types | Number of Words | Number of Words Code | Operating Temperature-Max | Package Body Material | Package Code | Package Description | Package Shape | Package Style | Part Life Cycle Code | Supply Voltage-Nom (Vsup) | Operating Temperature | Packaging | Part Status | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Number of Terminations | ECCN Code | Additional Feature | HTS Code | Voltage - Supply | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Number of Functions | Supply Voltage | Terminal Pitch | Reach Compliance Code | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | JESD-30 Code | Supply Voltage-Max (Vsup) | Temperature Grade | Supply Voltage-Min (Vsup) | Memory Size | Number of Ports | Operating Mode | Clock Frequency | Access Time | Memory Format | Memory Interface | Organization | Output Characteristics | Seated Height-Max | Memory Width | Write Cycle Time - Word, Page | Standby Current-Max | Memory Density | I/O Type | Memory IC Type | Refresh Cycles | Interleaved Burst Length | Access Mode | Self Refresh | Height Seated (Max) | Length | Width | RoHS Status |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. ТипEM68B16CWQH-XXBHAnlielectronics Тип | Etron Technology |
DDR2 SDRAM 512Mb 84-ball Window FBGA (WQ:8x12.5x1.2mm) Pb and halogen free
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| EM68B16CWQH-XXBH | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипEM6GC16EWKE-XXIHAnlielectronics Тип | Etron Technology |
DDR3 SDRAM 1Gb 96-ball Window FBGA (WK:8x13x1.0mm) Pb and Halogen free
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| EM6GC16EWKE-XXIH | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипEM68C16CWQD-3IHAnlielectronics Тип | Etron Technology |
256 Mb SDRAM 16M X 16 TSOP II Comm Temp
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| EM68C16CWQD-3IH | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипEM567169BC-70Anlielectronics Тип | Etron Technology Inc |
Description: DRAM
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | ETRON TECHNOLOGY INC | - | - | - | - | - | - | , | - | - | Contact Manufacturer | - | - | - | - | - | - | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | compliant | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| EM567169BC-70 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипEM6HD16EWBH-12HAnlielectronics Тип | Etron Technology Inc |
-
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| EM6HD16EWBH-12H | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипEM6AB160TSD-4GAnlielectronics Тип | Etron Technology Inc |
Description: DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.65 MM PITCH, HALOGEN AND LEAD FREE, TSOP2-66
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | YES | 66 | 0.7 ns | ETRON TECHNOLOGY INC | - | 33554432 words | 32000000 | 70 °C | PLASTIC/EPOXY | TSOP2 | TSOP2, | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | Contact Manufacturer | 2.5 V | - | - | - | - | - | EAR99 | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.28 | - | DUAL | GULL WING | - | 1 | - | 0.65 mm | unknown | - | R-PDSO-G66 | 2.7 V | COMMERCIAL | 2.3 V | - | 1 | SYNCHRONOUS | - | - | - | - | 32MX16 | - | 1.2 mm | 16 | - | - | 536870912 bit | - | DDR DRAM | - | - | FOUR BANK PAGE BURST | YES | - | 22.22 mm | 10.16 mm | - | ||
| EM6AB160TSD-4G | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипEM6AA160TSB-4GAnlielectronics Тип | Etron Technology Inc |
DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.65 MM PITCH, HALOGEN AND LEAD FREE, TSOP2-66
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | YES | 66 | 0.7 ns | ETRON TECHNOLOGY INC | - | 16777216 words | 16000000 | 70 °C | PLASTIC/EPOXY | TSOP2 | TSOP2, | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | Contact Manufacturer | 2.5 V | - | - | - | - | - | EAR99 | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.24 | - | DUAL | GULL WING | - | 1 | - | 0.65 mm | compliant | - | R-PDSO-G66 | 2.7 V | COMMERCIAL | 2.3 V | - | 1 | SYNCHRONOUS | - | - | - | - | 16MX16 | - | 1.2 mm | 16 | - | - | 268435456 bit | - | DDR DRAM | - | - | FOUR BANK PAGE BURST | YES | - | 22.22 mm | 10.16 mm | - | ||
| EM6AA160TSB-4G | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипEM6AA320BI-4SAnlielectronics Тип | Etron Technology Inc |
DRAM
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | ETRON TECHNOLOGY INC | - | - | - | - | - | - | , | - | - | Contact Manufacturer | - | - | - | - | - | - | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | compliant | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| EM6AA320BI-4S | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипEM63A165TS-5GAnlielectronics Тип | Etron Technology, Inc. |
256MB 16MX16 SDRAM
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| Min.:1 Mult.:1 | 4 Weeks | Surface Mount | 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | YES | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0°C~70°C TA | Tape & Reel (TR) | Active | 3 (168 Hours) | 54 | - | AUTO/SELF REFRESH | - | 3V~3.6V | DUAL | - | - | 1 | 3.3V | 0.8mm | compliant | - | R-PDSO-G54 | 3.6V | - | 3V | 256Mb 16M x 16 | 1 | SYNCHRONOUS | 200MHz | 4.5ns | DRAM | Parallel | 16MX16 | 3-STATE | - | 16 | 10ns | 0.045A | 268435456 bit | COMMON | - | 8192 | 1248 | - | Yes | 1.2mm | 22.22mm | 10.16mm | RoHS Compliant | ||
| EM63A165TS-5G | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипEM68B16CWQK-25HAnlielectronics Тип | Etron Technology, Inc. |
512MB 32MX16 DDR2
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| Min.:1 Mult.:1 | 4 Weeks | Surface Mount | 84-TFBGA | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0°C~85°C TC | Tape & Reel (TR) | Active | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | 1.7V~1.9V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 512M 32M x 16 | - | - | 400MHz | 400ps | DRAM | Parallel | - | - | - | - | 15ns | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| EM68B16CWQK-25H | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипEM63B165TS-5SGAnlielectronics Тип | Etron Technology, Inc. |
512MB 32MX16 SDRAM
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| Min.:1 Mult.:1 | 4 Weeks | Surface Mount | 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0°C~70°C TA | Tape & Reel (TR) | Active | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | 3V~3.6V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 512M 32M x 16 | - | - | 200MHz | 4.5ns | DRAM | Parallel | - | - | - | - | 10ns | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| EM63B165TS-5SG | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипEM6GC08EWUG-10HAnlielectronics Тип | Etron Technology, Inc. |
1GB 128MX8 DDR3
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| Min.:1 Mult.:1 | 4 Weeks | Surface Mount | 78-VFBGA | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0°C~95°C TC | Tape & Reel (TR) | Active | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | 1.425V~1.575V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1Gb 128M x 8 | - | - | 933MHz | 20ns | DRAM | Parallel | - | - | - | - | 15ns | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| EM6GC08EWUG-10H | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипEM63A165BM-5HAnlielectronics Тип | Etron Technology, Inc. |
256MB 16MX16 SDRAM
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| Min.:1 Mult.:1 | 4 Weeks | Surface Mount | 54-TFBGA | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0°C~70°C TA | Tape & Reel (TR) | Active | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | 3V~3.6V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 256Mb 16M x 16 | - | - | 200MHz | 4.5ns | DRAM | Parallel | - | - | - | - | 10ns | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| EM63A165BM-5H | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипEM6HC16EWKG-10HAnlielectronics Тип | Etron Technology, Inc. |
1GB 64MX16 DDR3
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| Min.:1 Mult.:1 | 4 Weeks | Surface Mount | 96-VFBGA | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0°C~95°C TC | Tape & Reel (TR) | Active | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | 1.283V~1.45V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1Gb 64M x 16 | - | - | 933MHz | 20ns | DRAM | Parallel | - | - | - | - | 15ns | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| EM6HC16EWKG-10H | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипEM6HC08EWUG-10HAnlielectronics Тип | Etron Technology, Inc. |
1GB 128MX8 DDR3
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| Min.:1 Mult.:1 | 4 Weeks | Surface Mount | 78-VFBGA | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0°C~95°C TC | Tape & Reel (TR) | Active | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | 1.283V~1.45V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1Gb 128M x 8 | - | - | 933MHz | 20ns | DRAM | Parallel | - | - | - | - | 15ns | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| EM6HC08EWUG-10H | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипEM6HC08EWUG-10IHAnlielectronics Тип | Etron Technology, Inc. |
1GB 128MX8 DDR3
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| Min.:1 Mult.:1 | 4 Weeks | Surface Mount | 78-VFBGA | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~95°C TC | Tape & Reel (TR) | Active | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | 1.283V~1.45V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1Gb 128M x 8 | - | - | 933MHz | 20ns | DRAM | Parallel | - | - | - | - | 15ns | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| EM6HC08EWUG-10IH | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипEM63A165BM-5IHAnlielectronics Тип | Etron Technology, Inc. |
256MB 16MX16 SDRAM
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| Min.:1 Mult.:1 | 4 Weeks | Surface Mount | 54-TFBGA | YES | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | Active | 3 (168 Hours) | 54 | EAR99 | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.24 | 3V~3.6V | BOTTOM | - | NOT SPECIFIED | 1 | 3.3V | 0.8mm | compliant | NOT SPECIFIED | S-PBGA-B54 | 3.6V | - | 3V | 256Mb 16M x 16 | 1 | SYNCHRONOUS | 200MHz | 4.5ns | DRAM | Parallel | 16MX16 | - | - | 16 | 10ns | - | 268435456 bit | - | - | - | - | - | - | 1.2mm | 8mm | 8mm | RoHS Compliant | ||
| EM63A165BM-5IH | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипEM68A16CBQC-25HAnlielectronics Тип | Etron Technology, Inc. |
256MB 16MX16 DDR2
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | 4 Weeks | Surface Mount | 84-TFBGA | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0°C~85°C TC | Tape & Reel (TR) | Active | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | 1.7V~1.9V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 256Mb 16M x 16 | - | - | 400MHz | 400ps | DRAM | Parallel | - | - | - | - | 15ns | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| EM68A16CBQC-25H | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипEM639165BM-5IHAnlielectronics Тип | Etron Technology, Inc. |
128MB 8MX16 SDRAM
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| Min.:1 Mult.:1 | 4 Weeks | Surface Mount | 54-TFBGA | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | Active | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | 3V~3.6V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 128Mb 8M x 16 | - | - | 200MHz | 4.5ns | DRAM | Parallel | - | - | - | - | 10ns | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| EM639165BM-5IH | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипEM6GC16EWKG-10HAnlielectronics Тип | Etron Technology, Inc. |
1GB 64MX16 DDR3
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | 4 Weeks | Surface Mount | 96-VFBGA | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0°C~95°C TC | Tape & Reel (TR) | Active | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | 1.425V~1.575V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1Gb 64M x 16 | - | - | 933MHz | 20ns | DRAM | Parallel | - | - | - | - | 15ns | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| EM6GC16EWKG-10H |
Индекс :
0123456789ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ