| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Mount | Package / Case | Surface Mount | Number of Pins | Supplier Device Package | Number of Terminals | Access Time-Max | Case Size | Case Style | Connections | For Use With/Related Products | Ihs Manufacturer | Manufacturer | Manufacturer Part Number | Memory Types | Mfr | Moisture Sensitivity Levels | Number of Words | Number of Words Code | Operating Temperature-Max | Operating Temperature-Min | Package | Package Body Material | Package Code | Package Description | Package Equivalence Code | Package Shape | Package Style | Part Life Cycle Code | Part Package Code | Product Status | Reflow Temperature-Max (s) | Risk Rank | RoHS | Rohs Code | Supply Voltage-Max | Supply Voltage-Min | Supply Voltage-Nom | Supply Voltage-Nom (Vsup) | Turn-off Time | Turn-on Time | Operating Temperature | Packaging | Series | Size / Dimension | Tolerance | JESD-609 Code | Pbfree Code | Part Status | Number of Terminations | ECCN Code | Temperature Coefficient | Type | Resistance | Terminal Finish | Max Operating Temperature | Min Operating Temperature | Composition | Power (Watts) | Additional Feature | HTS Code | Subcategory | Technology | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Number of Functions | Terminal Pitch | Reach Compliance Code | Pin Count | JESD-30 Code | Qualification Status | Failure Rate | Supply Voltage-Max (Vsup) | Power Supplies | Temperature Grade | Supply Voltage-Min (Vsup) | Interface | Max Supply Voltage | Min Supply Voltage | Number of Ports | Nominal Supply Current | Operating Mode | uPs/uCs/Peripheral ICs Type | Number of Bits | Supply Current-Max | Accuracy | Access Time | Family | Organization | Output Characteristics | Seated Height-Max | Memory Width | Tool Type | Address Bus Width | Density | Standby Current-Max | Output Polarity | Memory Density | Logic IC Type | Input Characteristics | Interface IC Type | Boundary Scan | Low Power Mode | Screening Level | Parallel/Serial | I/O Type | External Data Bus Width | Propagation Delay (tpd) | Sync/Async | Memory IC Type | Programming Voltage | Endurance | Output Peak Current Limit-Nom | Data Retention Time-Min | Standby Voltage-Min | Alternate Memory Width | Data Polling | Toggle Bit | Command User Interface | Output Enable | Built-in Protections | Number of Sectors/Size | Sector Size | Ready/Busy | Boot Block | Output Current Flow Direction | Common Flash Interface | Features | Height Seated (Max) | Length | Width |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Mfr. ТипAM27C4096-95DCAnlielectronics Тип | AMD |
UVPROM, 256KX16, 90ns, CMOS, CDIP40, WINDOWED, CERAMIC, DIP-40
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | NO | - | - | 40 | 90 ns | - | - | - | - | ADVANCED MICRO DEVICES INC | - | - | - | - | - | 262144 words | 256000 | 70 °C | - | - | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | DIP | DIP, DIP40,.6 | DIP40,.6 | RECTANGULAR | IN-LINE | Obsolete | DIP | - | - | - | - | No | - | - | - | 5 V | - | - | - | - | - | - | - | e0 | - | - | - | EAR99 | - | - | - | TIN LEAD | - | - | - | - | - | 8542.32.00.61 | - | - | DUAL | THROUGH-HOLE | - | 1 | 2.54 mm | unknown | 40 | R-CDIP-T40 | Not Qualified | - | 5.25 V | - | COMMERCIAL | 4.75 V | - | - | - | - | - | ASYNCHRONOUS | - | - | 0.05 mA | - | - | - | 256KX16 | 3-STATE | - | 16 | - | - | - | 0.0001 A | - | 4194304 bit | - | - | - | - | - | - | PARALLEL | COMMON | - | - | - | UVPROM | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| AM27C4096-95DC | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипAM9112BDMAnlielectronics Тип | AMD |
Standard SRAM, 256X4, 400ns, NMOS, CDIP16, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-16
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | NO | - | - | 16 | 400 ns | - | - | - | - | ADVANCED MICRO DEVICES INC | - | - | - | - | - | 256 words | 256 | 125 °C | -55 °C | - | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | DIP | DIP, DIP16,.3 | DIP16,.3 | RECTANGULAR | IN-LINE | Obsolete | DIP | - | - | - | - | No | - | - | - | 5 V | - | - | - | - | - | - | - | e0 | - | - | - | 3A001.A.2.C | - | - | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | - | - | - | - | 8542.32.00.41 | - | - | DUAL | THROUGH-HOLE | - | 1 | 2.54 mm | unknown | 16 | R-CDIP-T16 | Not Qualified | - | 5.5 V | - | MILITARY | 4.5 V | - | - | - | 1 | - | ASYNCHRONOUS | - | - | - | - | - | - | 256X4 | 3-STATE | 5.08 mm | 4 | - | - | - | - | - | 1024 bit | - | - | - | - | - | MIL-STD-883 Class C | PARALLEL | - | - | - | - | STANDARD SRAM | - | - | - | - | - | - | - | - | - | NO | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 20.32 mm | 7.62 mm | ||
| AM9112BDM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипAM27128A-25DEAnlielectronics Тип | AMD |
UVPROM, 16KX8, 250ns, NMOS, CDIP28, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-28
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | NO | - | - | 28 | 250 ns | - | - | - | - | ADVANCED MICRO DEVICES INC | - | - | - | - | - | 16384 words | 16000 | 125 °C | -55 °C | - | CERAMIC, GLASS-SEALED | WDIP | WDIP, DIP28,.6 | DIP28,.6 | RECTANGULAR | IN-LINE, WINDOW | Obsolete | DIP | - | - | - | - | No | - | - | - | 5 V | - | - | - | - | - | - | - | e0 | No | - | - | EAR99 | - | - | - | TIN LEAD | - | - | - | - | - | 8542.32.00.71 | - | - | DUAL | THROUGH-HOLE | - | 1 | 2.54 mm | unknown | 28 | R-GDIP-T28 | Not Qualified | - | 5.5 V | - | MILITARY | 4.5 V | - | - | - | - | - | ASYNCHRONOUS | - | - | 0.1 mA | - | - | - | 16KX8 | 3-STATE | 5.588 mm | 8 | - | - | - | - | - | 131072 bit | - | - | - | - | - | - | PARALLEL | COMMON | - | - | - | OTP ROM | 12.5 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 37.1475 mm | 15.24 mm | ||
| AM27128A-25DE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипXC1701-SO20MAnlielectronics Тип | AMD |
Description: Configuration Memory, 1MX1, 45ns, Parallel, CMOS, PDSO20, PLASTIC, SOIC-20
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | YES | - | - | 20 | 45 ns | - | - | - | - | ADVANCED MICRO DEVICES INC | - | - | - | - | 3 | 1048576 words | 1000000 | 125 °C | -55 °C | - | PLASTIC/EPOXY | SOP | PLASTIC, SOIC-20 | - | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE | Active | - | - | - | - | - | No | - | - | - | 5 V | - | - | - | - | - | - | - | e0 | - | - | - | - | - | - | - | TIN LEAD | - | - | - | - | - | - | - | - | DUAL | GULL WING | - | 1 | 1.27 mm | compliant | - | R-PDSO-G20 | Not Qualified | - | 5.5 V | - | MILITARY | 4.5 V | - | - | - | - | - | SYNCHRONOUS | - | - | - | - | - | - | 1MX1 | - | 2.65 mm | 1 | - | - | - | - | - | 1048576 bit | - | - | - | - | - | - | PARALLEL | - | - | - | - | CONFIGURATION MEMORY | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 12.8 mm | 7.5 mm | ||
| XC1701-SO20M | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипAM9044DDCBAnlielectronics Тип | AMD |
Standard SRAM, 4KX1, 250ns, NMOS, CDIP18, CERAMIC, DIP-18
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | NO | - | - | 18 | 250 ns | - | - | - | - | ADVANCED MICRO DEVICES INC | - | - | - | - | - | 4096 words | 4000 | 70 °C | - | - | CERAMIC, GLASS-SEALED | DIP | DIP, DIP18,.3 | DIP18,.3 | RECTANGULAR | IN-LINE | Obsolete | DIP | - | - | - | - | No | - | - | - | 5 V | - | - | - | - | - | - | - | e0 | No | - | - | EAR99 | - | - | - | TIN LEAD | - | - | - | - | - | 8542.32.00.41 | - | - | DUAL | THROUGH-HOLE | - | 1 | 2.54 mm | unknown | 18 | R-GDIP-T18 | Not Qualified | - | 5.5 V | - | COMMERCIAL | 4.5 V | - | - | - | 1 | - | ASYNCHRONOUS | - | - | 0.07 mA | - | - | - | 4KX1 | 3-STATE | 5.08 mm | 1 | - | - | - | - | - | 4096 bit | - | - | - | - | - | - | PARALLEL | SEPARATE | - | - | - | STANDARD SRAM | - | - | - | - | 4.5 V | - | - | - | - | NO | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 22.86 mm | 7.62 mm | ||
| AM9044DDCB | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипAM27C128-250/BXAAnlielectronics Тип | AMD |
Description: UVPROM, 16KX8, 250ns, CMOS, CDIP28, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | NO | - | - | 28 | 250 ns | - | - | - | - | ADVANCED MICRO DEVICES INC | - | - | - | - | - | 16384 words | 16000 | 125 °C | -55 °C | - | CERAMIC, GLASS-SEALED | WDIP | WDIP, DIP28,.6 | DIP28,.6 | RECTANGULAR | IN-LINE, WINDOW | Obsolete | DIP | - | - | - | - | No | - | - | - | 5 V | - | - | - | - | - | - | - | e0 | - | - | - | 3A001.A.2.C | - | - | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | - | - | - | - | 8542.32.00.61 | - | - | DUAL | THROUGH-HOLE | - | 1 | 2.54 mm | unknown | 28 | R-GDIP-T28 | Not Qualified | - | 5.5 V | - | MILITARY | 4.5 V | - | - | - | - | - | ASYNCHRONOUS | - | - | 0.05 mA | - | - | - | 16KX8 | 3-STATE | 5.588 mm | 8 | - | - | - | 0.00012 A | - | 131072 bit | - | - | - | - | - | 38535Q/M;38534H;883B | PARALLEL | COMMON | - | - | - | UVPROM | 5 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 37.1475 mm | 15.24 mm | ||
| AM27C128-250/BXA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипAM2764A-25DIAnlielectronics Тип | AMD |
UVPROM, 8KX8, 250ns, NMOS, CDIP28, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-28
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | NO | - | - | 28 | 250 ns | - | - | - | - | ADVANCED MICRO DEVICES INC | - | - | - | - | - | 8192 words | 8000 | 85 °C | -40 °C | - | CERAMIC, GLASS-SEALED | WDIP | WDIP, DIP28,.6 | DIP28,.6 | RECTANGULAR | IN-LINE, WINDOW | Obsolete | DIP | - | - | - | - | No | - | - | - | 5 V | - | - | - | - | - | - | - | e0 | No | - | - | EAR99 | - | - | - | TIN LEAD | - | - | - | - | - | 8542.32.00.71 | - | - | DUAL | THROUGH-HOLE | - | 1 | 2.54 mm | unknown | 28 | R-GDIP-T28 | Not Qualified | - | 5.5 V | - | INDUSTRIAL | 4.5 V | - | - | - | - | - | ASYNCHRONOUS | - | - | 0.07 mA | - | - | - | 8KX8 | 3-STATE | 5.588 mm | 8 | - | - | - | - | - | 65536 bit | - | - | - | - | - | - | PARALLEL | COMMON | - | - | - | OTP ROM | 12.5 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 37.1475 mm | 15.24 mm | ||
| AM2764A-25DI | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипAM29F016D-70E4DAnlielectronics Тип | AMD |
Flash Memory IC; Memory Configuration:2M x 8; Memory Size:16Mbit; Package/Case:40-TSOP; Supply Voltage Max:5V; Leaded Process Compatible:Yes; Peak
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | PEI-Genesis | - | - | - | - | - | Bulk | - | - | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | * | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| AM29F016D-70E4D | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипAM29F002NBB70JCAnlielectronics Тип | AMD |
256K X 8 FLASH 5V PROM, 70 ns, PQCC32
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | YES | - | - | 32 | 70 ns | - | - | - | - | ADVANCED MICRO DEVICES INC | AMD | AM29F002NBB-70JC | - | Glenair | - | 262144 words | 256000 | 70 °C | - | Retail Package | PLASTIC/EPOXY | QCCJ | QCCJ, LDCC32,.5X.6 | LDCC32,.5X.6 | RECTANGULAR | CHIP CARRIER | Transferred | QFJ | Active | - | 7.71 | - | No | - | - | - | 5 V | - | - | - | - | * | - | - | e0 | - | - | - | EAR99 | - | NOR TYPE | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | - | - | - | MINIMUM 1000K WRITE CYCLES; 20 YEAR DATA RETENTION | 8542.32.00.51 | Flash Memories | CMOS | QUAD | J BEND | - | 1 | 1.27 mm | unknown | 32 | R-PQCC-J32 | Not Qualified | - | 5.5 V | 5 V | COMMERCIAL | 4.5 V | - | - | - | - | - | ASYNCHRONOUS | - | - | 0.04 mA | - | - | - | 256KX8 | - | 3.556 mm | 8 | - | - | - | 0.000005 A | - | 2097152 bit | - | - | - | - | - | - | PARALLEL | - | - | - | - | FLASH | 5 V | 1000000 Write/Erase Cycles | - | 20 | - | - | YES | YES | YES | - | - | 1,2,1,3 | 16K,8K,32K,64K | - | BOTTOM | - | - | - | - | 13.97 mm | 11.43 mm | ||
| AM29F002NBB70JC | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипAMZ8166PCAnlielectronics Тип | AMD |
0.2 A 2 Channel Buf Or Inv Based Prphl Drvr PDIP20
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | NO | - | - | 20 | - | - | - | - | - | ADVANCED MICRO DEVICES INC | AMD | AMZ8166PC | - | - | - | - | - | 70 °C | - | - | PLASTIC/EPOXY | DIP | DIP, | - | RECTANGULAR | IN-LINE | Obsolete | DIP | - | NOT SPECIFIED | 5.92 | Non-Compliant | No | 5.5 V | 4.5 V | 5 V | - | 0.05 µs | 0.04 µs | - | - | - | - | - | e0 | - | - | - | EAR99 | - | - | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | - | - | - | - | 8542.39.00.01 | - | BIPOLAR | DUAL | THROUGH-HOLE | NOT SPECIFIED | 2 | 2.54 mm | unknown | 20 | R-PDIP-T20 | Not Qualified | - | - | - | COMMERCIAL | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150 mA | - | - | - | - | 3-STATE | 5.08 mm | - | - | - | - | - | TRUE | - | - | STANDARD | BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0.2 A | - | - | - | - | - | - | - | TRANSIENT | - | - | - | - | SOURCE AND SINK | - | - | - | 26.162 mm | 7.62 mm | ||
| AMZ8166PC | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипAM29C676SCAnlielectronics Тип | AMD |
MEMORY DRIVER, 28 Pin, Plastic, SOP
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | YES | - | - | 28 | - | - | - | - | - | ADVANCED MICRO DEVICES INC | AMD | AM29C676SC | - | - | - | - | - | 70 °C | - | - | PLASTIC/EPOXY | SOP | SOP, SOP28,.4 | SOP28,.4 | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE | Obsolete | SOIC | - | NOT SPECIFIED | 8.49 | Non-Compliant | No | - | - | - | 3.3 V | - | - | - | - | - | - | - | e0 | - | - | - | - | - | - | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | - | - | - | CONFIGURABLE AS 5V VCC | 8542.39.00.01 | Other Logic ICs | CMOS | DUAL | GULL WING | NOT SPECIFIED | 1 | 1.27 mm | unknown | 28 | R-PDSO-G28 | Not Qualified | - | 3.63 V | 5 V | COMMERCIAL | 2.97 V | - | - | - | 2 | - | - | - | 11 | - | - | - | CMOS | - | 3-STATE WITH SERIES RESISTOR | 2.9337 mm | - | - | - | - | - | TRUE | - | BUS DRIVER | - | - | - | - | - | - | - | - | 7 ns | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 17.8994 mm | 7.5 mm | ||
| AM29C676SC | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипAM79C81AGCAnlielectronics Тип | AMD |
MEMORY INTERFACE, 145 Pin, Ceramic, PGA
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | NO | - | - | 145 | - | - | - | - | - | ADVANCED MICRO DEVICES INC | AMD | AM79C81AGC | - | - | - | - | - | 70 °C | - | - | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | PGA | PGA, PGA145,15X15 | PGA145,15X15 | SQUARE | GRID ARRAY | Obsolete | PGA | - | NOT SPECIFIED | 8.8 | - | No | 5.25 V | 4.75 V | 5 V | - | - | - | - | - | - | - | - | e0 | - | - | - | - | - | - | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | - | - | - | - | - | Other Microprocessor ICs | CMOS | PERPENDICULAR | PIN/PEG | NOT SPECIFIED | - | 2.54 mm | unknown | 145 | S-CPGA-P145 | Not Qualified | - | - | 5 V | COMMERCIAL | - | - | - | - | - | - | - | MEMORY CONTROLLER, FIFO | - | - | - | - | - | - | - | 4.699 mm | - | - | 16 | - | - | - | - | - | - | - | NO | NO | - | - | - | 16 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 39.624 mm | 39.624 mm | ||
| AM79C81AGC | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипAM29F010B-55PDAnlielectronics Тип | AMD |
Flash Memory IC; Memory Size:1Mbit; Memory Configuration:128K x 8; Supply Voltage Max:5.5V; Package/Case:32-DIP; Access Time, Tacc:55ns; Mounting Type:Through Hole RoHS Compliant: Yes
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | PEI-Genesis | - | - | - | - | - | Bulk | - | - | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | * | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| AM29F010B-55PD | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипAM29F010B-120PIAnlielectronics Тип | AMD |
Flash Memory IC; Memory Size:1Mbit; Memory Configuration:128K x 8; Access Time, Tacc:120ns; Package/Case:32-DIP; Supply Voltage Max:5.5V; Mounting Type:Through Hole
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| Min.:1 Mult.:1 | - | Axial | NO | - | Axial | 32 | 120 ns | - | - | - | - | SPANSION INC | Spansion | AM29F010B-120PI | - | - | 3 | 131072 words | 128000 | 85 °C | -40 °C | - | PLASTIC/EPOXY | DIP | PLASTIC, MO-015GAP, DIP-32 | DIP32,.6 | RECTANGULAR | IN-LINE | Obsolete | DIP | - | 30 | 5.76 | - | No | - | - | - | 5 V | - | - | -65°C ~ 175°C | Tape & Reel (TR) | Military, MIL-PRF-55182/07, RNC50 | 0.070 Dia x 0.150 L (1.78mm x 3.81mm) | ±0.1% | e0 | No | Active | 2 | EAR99 | ±50ppm/°C | NOR TYPE | 205 Ohms | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | - | Metal Film | 0.1W, 1/10W | - | 8542.32.00.51 | Flash Memories | CMOS | DUAL | THROUGH-HOLE | 240 | 1 | 2.54 mm | not_compliant | 32 | R-PDIP-T32 | Not Qualified | S (0.001%) | 5.5 V | 5 V | INDUSTRIAL | 4.5 V | - | - | - | - | - | ASYNCHRONOUS | - | - | 0.04 mA | - | - | - | 128KX8 | - | 5.715 mm | 8 | - | - | - | 0.000005 A | - | 1048576 bit | - | - | - | - | - | - | PARALLEL | - | - | - | - | FLASH | 5 V | 1000000 Write/Erase Cycles | - | - | - | - | YES | YES | YES | - | - | 8 | 16K | - | - | - | - | Military, Moisture Resistant, Weldable | -- | 42.037 mm | 15.24 mm | ||
| AM29F010B-120PI | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипAM29LV640DU90RWHFAnlielectronics Тип | AMD |
Flash Memory IC; Memory Size:64Mbit; Supply Voltage Max:3V; Package/Case:63-BALL; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Access Time, Tacc:90ns; Series:AM29 RoHS Compliant: Yes
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | YES | - | - | 63 | 90 ns | - | - | - | - | SPANSION INC | Miscellaneous | AM29LV640DU90RWHF | - | - | 3 | 4194304 words | 4000000 | 85 °C | -40 °C | - | PLASTIC/EPOXY | TFBGA | 12 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63 | BGA63,8X12,32 | RECTANGULAR | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | Obsolete | BGA | - | 40 | 5.67 | - | Yes | - | - | - | 3.3 V | - | - | - | - | - | - | - | e1 | Yes | - | - | 3A991.B.1.A | - | NOR TYPE | - | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | - | - | - | - | - | 8542.32.00.51 | Flash Memories | CMOS | BOTTOM | BALL | 260 | 1 | 0.8 mm | unknown | 63 | R-PBGA-B63 | Not Qualified | - | 3.6 V | 3.3,3/5 V | INDUSTRIAL | 3 V | - | - | - | - | - | ASYNCHRONOUS | - | - | 0.03 mA | - | - | - | 4MX16 | - | 1.2 mm | 16 | - | - | - | 0.000005 A | - | 67108864 bit | - | - | - | - | - | - | PARALLEL | - | - | - | - | FLASH | 3 V | - | - | - | - | - | YES | YES | YES | - | - | 128 | 32K | YES | BOTTOM/TOP | - | YES | - | - | 12 mm | 11 mm | ||
| AM29LV640DU90RWHF | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипAM29F017D-70ECAnlielectronics Тип | AMD |
2M X 8 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO48
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | YES | - | - | 48 | 70 ns | - | - | - | - | ADVANCED MICRO DEVICES INC | McGill | 100/BP-2 | - | - | - | 2097152 words | 2000000 | 70 °C | - | - | PLASTIC/EPOXY | TSOP1 | TSOP1, TSSOP48,.8,20 | TSSOP48,.8,20 | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | Transferred | TSOP1 | - | - | 5.31 | - | No | - | - | - | 5 V | - | - | - | - | - | - | - | e0 | - | - | - | EAR99 | - | NOR TYPE | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | - | - | - | MINIMUM 1000K PROGRAM/ERASE CYCLE ;20 YEAR DATA RETENTION | 8542.32.00.51 | Flash Memories | CMOS | DUAL | GULL WING | - | 1 | 0.5 mm | unknown | 48 | R-PDSO-G48 | Not Qualified | - | 5.5 V | 5 V | COMMERCIAL | 4.5 V | - | - | - | - | - | ASYNCHRONOUS | - | - | 0.06 mA | - | - | - | 2MX8 | - | 1.2 mm | 8 | - | - | - | 0.000005 A | - | 16777216 bit | - | - | - | - | - | - | PARALLEL | - | - | - | - | FLASH | 5 V | - | - | 20 | - | - | YES | YES | YES | - | - | 32 | 64K | YES | - | - | YES | - | - | 18.4 mm | 12 mm | ||
| AM29F017D-70EC | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипAM29F800BT-55SFAnlielectronics Тип | AMD |
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| Min.:1 Mult.:1 | - | Axial | - | - | Axial | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -55°C ~ 155°C | Tape & Reel (TR) | RNF | 0.071 Dia x 0.130 L (1.80mm x 3.30mm) | ±0.25% | - | - | Active | 2 | - | ±100ppm/°C | - | 10 kOhms | - | - | - | Metal Film | 0.125W, 1/8W | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -- | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Flame Retardant Coating, Safety | -- | - | - | ||
| AM29F800BT-55SF | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипAM29LV160DT-120SCAnlielectronics Тип | AMD |
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| Min.:1 Mult.:1 | Surface Mount | - | YES | 44 | - | 44 | 120 ns | - | - | - | - | ADVANCED MICRO DEVICES INC | Altech | 002641015 | NOR | - | - | 1048576 words | 1000000 | 70 °C | - | - | PLASTIC/EPOXY | SOP | MO-180AA, SOP-44 | SOP44,.63 | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE | Transferred | SOIC | - | - | 5.47 | Non-Compliant | No | - | - | - | 3 V | - | - | - | - | - | - | - | e0 | - | - | - | - | - | NOR TYPE | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | 70 °C | 0 °C | - | - | - | - | Flash Memories | CMOS | DUAL | GULL WING | - | 1 | 1.27 mm | unknown | 44 | R-PDSO-G44 | Not Qualified | - | 3.6 V | 3/3.3 V | COMMERCIAL | 2.7 V | Parallel | 3.6 V | 2.7 V | - | 16 mA | ASYNCHRONOUS | - | - | 0.03 mA | - | 120 ns | - | 1MX16 | - | 2.8 mm | 16 | - | - | 16 Mb | 0.000005 A | - | 16777216 bit | - | - | - | - | - | - | PARALLEL | - | - | - | Asynchronous | FLASH | 3 V | - | - | - | - | 8 | YES | YES | YES | - | - | 1,2,1,31 | 16K,8K,32K,64K | - | TOP | - | YES | - | - | 28.2 mm | 13.3 mm | ||
| AM29LV160DT-120SC | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипAM29LV001BB-45RJCAnlielectronics Тип | AMD |
128KX8 FLASH 3V PROM, 45ns, PQCC32
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | YES | - | - | 32 | 45 ns | 5 Inches | Center Back Mount | 1/2 NPT | - | ADVANCED MICRO DEVICES INC | Dwyer Instruments | GBTB540151 | - | - | - | 131072 words | 128000 | 70 °C | - | - | PLASTIC/EPOXY | QCCJ | QCCJ, LDCC32,.5X.6 | LDCC32,.5X.6 | RECTANGULAR | CHIP CARRIER | Transferred | LCC | - | - | 5.29 | - | No | - | - | - | 3.3 V | - | - | - | - | - | - | - | e0 | - | - | - | EAR99 | - | Analog | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | - | - | - | MINIMUM 1000K WRITE CYCLES; 20 YEAR DATA RETENTION | 8542.32.00.51 | Flash Memories | CMOS | QUAD | J BEND | - | 1 | 1.27 mm | unknown | 32 | R-PQCC-J32 | Not Qualified | - | 3.6 V | 3.3 V | COMMERCIAL | 3 V | - | - | - | - | - | ASYNCHRONOUS | - | - | 0.03 mA | 1 Percent | - | - | 128KX8 | - | 3.556 mm | 8 | - | - | - | 0.000005 A | - | 1048576 bit | - | - | - | - | - | - | PARALLEL | - | - | - | - | FLASH | 3 V | - | - | 20 | - | - | YES | YES | YES | - | - | 1,2,7 | 8K,4K,16K | - | BOTTOM | - | - | - | - | 13.97 mm | 11.43 mm | ||
| AM29LV001BB-45RJC | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипAM29F800BB-90SFAnlielectronics Тип | AMD |
Flash Memory IC; Memory Size:8Mbit; Supply Voltage Max:5V; Package/Case:44-SOIC; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Access Time, Tacc:90ns; Series:AM29 RoHS Compliant: Yes
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -- | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -- | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Smith Riffler | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| AM29F800BB-90SF |
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