| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Surface Mount | Number of Terminals | Access Time-Max | Brand | Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity | Ihs Manufacturer | Manufacturer | Manufacturer Part Number | Number of Words | Number of Words Code | Operating Temperature-Max | Operating Temperature-Min | Package Body Material | Package Code | Package Description | Package Equivalence Code | Package Shape | Package Style | Part # Aliases | Part Life Cycle Code | Part Package Code | Reflow Temperature-Max (s) | Risk Rank | RoHS | Rohs Code | Supply Voltage-Max | Supply Voltage-Min | Supply Voltage-Nom | Supply Voltage-Nom (Vsup) | Packaging | JESD-609 Code | Pbfree Code | ECCN Code | Type | Terminal Finish | Additional Feature | HTS Code | Subcategory | Technology | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Number of Functions | Terminal Pitch | Reach Compliance Code | Pin Count | JESD-30 Code | Qualification Status | Supply Voltage-Max (Vsup) | Power Supplies | Temperature Grade | Supply Voltage-Min (Vsup) | Number of Ports | Operating Mode | uPs/uCs/Peripheral ICs Type | Supply Current-Max | Organization | Output Characteristics | Seated Height-Max | Memory Width | Address Bus Width | Product Type | Standby Current-Max | Memory Density | Boundary Scan | Low Power Mode | Parallel/Serial | I/O Type | Memory IC Type | Programming Voltage | Endurance | Data Polling | Toggle Bit | Command User Interface | Output Enable | Bus Compatibility | Refresh Cycles | Access Mode | Reverse Pinout | Product Category | Number of Banks | Memory Organization | Length | Width |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. ТипJS28F128J3D75AAnlielectronics Тип | Intel |
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| JS28F128J3D75A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипFW82439TX SL238Anlielectronics Тип | Intel |
DRAM CONTROLLER, 256M X 8, MOS, PBGA324
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Non-Compliant | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| FW82439TX SL238 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипRC28F128J3F75AAnlielectronics Тип | Intel |
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| RC28F128J3F75A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипF28F010-150Anlielectronics Тип | Intel |
EEPROM Flash
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| Min.:1 Mult.:1 | YES | 32 | 150 ns | - | - | INTEL CORP | Intel Corporation | F28F010-150 | 131072 words | 128000 | 70 °C | - | PLASTIC/EPOXY | TSOP1-R | TSOP1-R, TSSOP32,.8,20 | TSSOP32,.8,20 | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | - | Obsolete | TSOP | - | 5.86 | - | No | - | - | - | 5 V | - | e0 | - | EAR99 | NOR TYPE | Tin/Lead (Sn/Pb) | 100000 ERASE/PROGRAM CYCLES | 8542.32.00.51 | Flash Memories | CMOS | DUAL | GULL WING | - | 1 | 0.5 mm | unknown | 32 | R-PDSO-G32 | Not Qualified | 5.5 V | 5 V | COMMERCIAL | 4.5 V | - | ASYNCHRONOUS | - | 0.03 mA | 128KX8 | 3-STATE | 1.2 mm | 8 | - | - | 0.0001 A | 1048576 bit | - | - | PARALLEL | - | FLASH | 12 V | 100000 Write/Erase Cycles | NO | NO | YES | - | - | - | - | YES | - | - | - | 18.4 mm | 8 mm | ||
| F28F010-150 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипEA82036RM 915657Anlielectronics Тип | Intel |
EPROM EPROM
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Intel | 120 | - | Intel | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 915657 | - | - | - | - | Details | - | - | - | - | - | Tube | - | - | - | - | - | - | - | Memory & Data Storage | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | EPROM | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | EPROM | - | - | - | - | ||
| EA82036RM 915657 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипJS28F256J3F-105AAnlielectronics Тип | Intel |
-
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| JS28F256J3F-105A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипJS28F128P30TF-75AAnlielectronics Тип | Intel |
-
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| JS28F128P30TF-75A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипAT28BV16-25TCAnlielectronics Тип | Intel |
-
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| AT28BV16-25TC | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипN82C08-16Anlielectronics Тип | Intel |
CHMOS DRAM Controlle
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| Min.:1 Mult.:1 | YES | 68 | - | - | - | ROCHESTER ELECTRONICS LLC | Rochester Electronics LLC | N82C08-16 | - | - | 70 °C | - | PLASTIC/EPOXY | QCCJ | QCCJ, | - | SQUARE | CHIP CARRIER | - | Contact Manufacturer | LCC | NOT SPECIFIED | 5.16 | - | No | 5.5 V | 4.5 V | 5 V | - | - | e0 | No | - | - | TIN LEAD | 5 PROGRAMMABLE REFRESH MODES | - | - | CMOS | QUAD | J BEND | NOT SPECIFIED | - | 1.27 mm | unknown | 68 | S-PQCC-J68 | Not Qualified | - | - | COMMERCIAL | - | - | - | MEMORY CONTROLLER, DRAM | - | - | - | 4.83 mm | - | 18 | - | - | - | NO | YES | - | - | - | - | - | - | - | - | - | IAPX286 | - | - | - | - | 2 | 1M X 8 | 24.2 mm | 24.2 mm | ||
| N82C08-16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипJS28F512M29EWLAnlielectronics Тип | Intel |
32M X 16 FLASH 3V PROM, 110 ns, PDSO56
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| JS28F512M29EWL | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипA8207-16Anlielectronics Тип | Intel |
Dual Port DRAM Controlle
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | NO | 68 | - | - | - | ROCHESTER ELECTRONICS LLC | Rochester Electronics LLC | A8207-16 | - | - | 70 °C | - | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | PGA | PGA, | - | SQUARE | GRID ARRAY | - | Contact Manufacturer | PGA | NOT SPECIFIED | 5.16 | - | No | 5.25 V | 4.75 V | 5 V | - | - | e0 | No | - | - | TIN LEAD | SINGLE AND DUAL PORT CONFIGURATION; TRANSPARENT MEMORY SCRUBBING IN ECC MODE | - | - | MOS | PERPENDICULAR | PIN/PEG | NOT SPECIFIED | - | 2.54 mm | unknown | 68 | S-CPGA-P68 | Not Qualified | - | - | COMMERCIAL | - | - | - | MEMORY CONTROLLER, DRAM | - | - | - | 4.572 mm | - | 18 | - | - | - | NO | NO | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 80286 | - | - | - | - | 2 | 2M X 8 | 29.464 mm | 29.464 mm | ||
| A8207-16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипTD2764Anlielectronics Тип | Intel Corporation |
UVPROM, 8KX8, 250ns, CMOS, CDIP28, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-28
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | NO | 28 | 250 ns | - | - | INTEL CORP | - | - | 8192 words | 8000 | 85 °C | -40 °C | CERAMIC, GLASS-SEALED | WDIP | WDIP, DIP28,.6 | DIP28,.6 | RECTANGULAR | IN-LINE, WINDOW | - | Obsolete | DIP | - | - | - | No | - | - | - | 5 V | - | e0 | - | EAR99 | - | TIN LEAD | - | 8542.32.00.61 | - | - | DUAL | THROUGH-HOLE | - | 1 | 2.54 mm | unknown | 28 | R-GDIP-T28 | Not Qualified | 5.25 V | - | INDUSTRIAL | 4.75 V | - | ASYNCHRONOUS | - | 0.1 mA | 8KX8 | 3-STATE | 5.08 mm | 8 | - | - | - | 65536 bit | - | - | PARALLEL | COMMON | UVPROM | 21 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 37.084 mm | 15.24 mm | ||
| TD2764 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипD2118-4Anlielectronics Тип | Intel Corporation |
Description: Page Mode DRAM, 16KX1, 120ns, MOS, CDIP16
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | NO | 16 | 120 ns | - | - | INTEL CORP | - | - | 16384 words | 16000 | 70 °C | - | CERAMIC | DIP | DIP, DIP16,.3 | DIP16,.3 | RECTANGULAR | IN-LINE | - | Obsolete | - | - | - | - | No | - | - | - | - | - | e0 | - | EAR99 | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | 8542.32.00.02 | - | - | DUAL | THROUGH-HOLE | - | - | 2.54 mm | unknown | - | R-XDIP-T16 | Not Qualified | - | - | COMMERCIAL | - | - | - | - | 0.025 mA | 16KX1 | 3-STATE | - | 1 | - | - | - | 16384 bit | - | - | - | SEPARATE | PAGE MODE DRAM | - | - | - | - | - | - | - | 128 | - | - | - | - | - | - | - | ||
| D2118-4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипQD2164A-20Anlielectronics Тип | Intel Corporation |
Page Mode DRAM, 64KX1, 200ns, MOS, CDIP16
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | NO | 16 | 200 ns | - | - | INTEL CORP | - | - | 65536 words | 64000 | 70 °C | - | CERAMIC | DIP | DIP, DIP16,.3 | DIP16,.3 | RECTANGULAR | IN-LINE | - | Obsolete | - | - | - | - | No | - | - | - | 5 V | - | e0 | - | EAR99 | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | 8542.32.00.02 | - | - | DUAL | THROUGH-HOLE | - | - | 2.54 mm | unknown | - | R-XDIP-T16 | - | - | - | COMMERCIAL | - | - | - | - | - | 64KX1 | 3-STATE | - | 1 | - | - | - | 65536 bit | - | - | - | SEPARATE | PAGE MODE DRAM | - | - | - | - | - | - | - | 128 | - | - | - | - | - | - | - | ||
| QD2164A-20 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипP21256-08Anlielectronics Тип | Intel Corporation |
Page Mode DRAM, 256KX1, 80ns, MOS, PDIP16, PLASTIC, DIP-16
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | NO | 16 | 80 ns | - | - | INTEL CORP | - | - | 262144 words | 256000 | 70 °C | - | PLASTIC/EPOXY | DIP | DIP, DIP16,.3 | DIP16,.3 | RECTANGULAR | IN-LINE | - | Obsolete | DIP | - | - | - | No | - | - | - | 5 V | - | e0 | No | EAR99 | - | TIN LEAD | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | 8542.32.00.02 | - | - | DUAL | THROUGH-HOLE | - | 1 | 2.54 mm | compliant | 16 | R-PDIP-T16 | Not Qualified | 5.5 V | - | COMMERCIAL | 4.5 V | 1 | ASYNCHRONOUS | - | 0.06 mA | 256KX1 | 3-STATE | 3.61 mm | 1 | - | - | - | 262144 bit | - | - | - | SEPARATE | PAGE MODE DRAM | - | - | - | - | - | - | - | 256 | PAGE | - | - | - | - | 19.43 mm | 7.62 mm | ||
| P21256-08 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипD2115H-2Anlielectronics Тип | Intel Corporation |
Standard SRAM, 1KX1, 25ns, MOS, CDIP16
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | NO | 16 | 25 ns | - | - | INTEL CORP | - | - | 1024 words | 1000 | 70 °C | - | CERAMIC | DIP | DIP, DIP16,.3 | DIP16,.3 | RECTANGULAR | IN-LINE | - | Obsolete | - | - | - | - | No | - | - | - | - | - | e0 | - | EAR99 | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | 8542.32.00.41 | - | - | DUAL | THROUGH-HOLE | - | - | 2.54 mm | unknown | - | R-XDIP-T16 | Not Qualified | - | - | COMMERCIAL | - | - | ASYNCHRONOUS | - | - | 1KX1 | OPEN-DRAIN | - | 1 | - | - | - | 1024 bit | - | - | PARALLEL | - | STANDARD SRAM | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| D2115H-2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипTD27128Anlielectronics Тип | Intel Corporation |
UVPROM, 16KX8, 250ns, CMOS, CDIP28, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-28
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | NO | 28 | 250 ns | - | - | INTEL CORP | - | - | 16384 words | 16000 | 85 °C | -40 °C | CERAMIC, GLASS-SEALED | WDIP | HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-28 | DIP28,.6 | RECTANGULAR | IN-LINE, WINDOW | - | Obsolete | DIP | - | - | - | No | - | - | - | 5 V | - | e0 | - | EAR99 | - | TIN LEAD | - | 8542.32.00.61 | - | - | DUAL | THROUGH-HOLE | - | 1 | 2.54 mm | unknown | 28 | R-GDIP-T28 | Not Qualified | 5.25 V | - | INDUSTRIAL | 4.75 V | - | ASYNCHRONOUS | - | 0.14 mA | 16KX8 | 3-STATE | 5.08 mm | 8 | - | - | - | 131072 bit | - | - | PARALLEL | COMMON | UVPROM | 21 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 37.084 mm | 15.24 mm | ||
| TD27128 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипTD2764A-25Anlielectronics Тип | Intel Corporation |
UVPROM, 8KX8, 250ns, HMOS, CDIP28
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | NO | 28 | 250 ns | - | - | INTEL CORP | - | - | 8192 words | 8000 | 85 °C | -40 °C | CERAMIC | DIP | DIP, DIP28,.6 | DIP28,.6 | RECTANGULAR | IN-LINE | - | Obsolete | - | - | - | - | No | - | - | - | 5 V | - | e0 | - | EAR99 | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | 8542.32.00.61 | - | - | DUAL | THROUGH-HOLE | - | 1 | 2.54 mm | unknown | - | R-XDIP-T28 | Not Qualified | - | - | INDUSTRIAL | - | - | ASYNCHRONOUS | - | 0.075 mA | 8KX8 | 3-STATE | - | 8 | - | - | - | 65536 bit | - | - | PARALLEL | COMMON | UVPROM | 12.5 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| TD2764A-25 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипQP2114AL-4Anlielectronics Тип | Intel Corporation |
Description: Standard SRAM, 1KX4, 200ns, NMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | NO | 18 | 200 ns | - | - | INTEL CORP | - | - | 1024 words | 1000 | 70 °C | - | PLASTIC/EPOXY | DIP | DIP, DIP18,.3 | DIP18,.3 | RECTANGULAR | IN-LINE | - | Active | DIP | - | - | - | No | - | - | - | 5 V | - | e0 | No | EAR99 | - | TIN LEAD | - | 8542.32.00.41 | - | - | DUAL | THROUGH-HOLE | - | 1 | 2.54 mm | compliant | 18 | R-PDIP-T18 | Not Qualified | 5.5 V | - | COMMERCIAL | 4.5 V | 1 | ASYNCHRONOUS | - | - | 1KX4 | 3-STATE | 5.08 mm | 4 | - | - | - | 4096 bit | - | - | PARALLEL | COMMON | STANDARD SRAM | - | - | - | - | - | NO | - | - | - | - | - | - | - | 22.355 mm | 7.62 mm | ||
| QP2114AL-4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипP21014-07Anlielectronics Тип | Intel Corporation |
Fast Page DRAM, 256KX4, 70ns, CMOS, PDIP20, PLASTIC, DIP-20
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | NO | 20 | 70 ns | - | - | INTEL CORP | - | - | 262144 words | 256000 | 70 °C | - | PLASTIC/EPOXY | DIP | DIP, DIP20,.3 | DIP20,.3 | RECTANGULAR | IN-LINE | - | Obsolete | DIP | - | - | - | No | - | - | - | 5 V | - | e0 | No | EAR99 | - | TIN LEAD | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | 8542.32.00.02 | - | - | DUAL | THROUGH-HOLE | - | 1 | 2.54 mm | compliant | 20 | R-PDIP-T20 | Not Qualified | 5.5 V | - | COMMERCIAL | 4.5 V | 1 | ASYNCHRONOUS | - | 0.08 mA | 256KX4 | 3-STATE | 5 mm | 4 | - | - | 0.001 A | 1048576 bit | - | - | - | COMMON | FAST PAGE DRAM | - | - | - | - | - | - | - | 512 | FAST PAGE | - | - | - | - | 24.56 mm | 7.62 mm | ||
| P21014-07 |
Индекс :
0123456789ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ