| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Factory Lead Time | Contact Plating | Mount | Mounting Type | Package / Case | Surface Mount | Number of Pins | Supplier Device Package | Number of Terminals | Clock Frequency-Max (fCLK) | Ihs Manufacturer | Manufacturer | Manufacturer Part Number | Memory Types | Moisture Sensitivity Levels | Number of Words | Number of Words Code | Operating Temperature-Max | Operating Temperature-Min | Package Body Material | Package Code | Package Description | Package Equivalence Code | Package Shape | Package Style | Part Life Cycle Code | Part Package Code | Reflow Temperature-Max (s) | Risk Rank | Rohs Code | Supply Voltage-Nom (Vsup) | Usage Level | Operating Temperature | Packaging | JESD-609 Code | Pbfree Code | Part Status | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Number of Terminations | ECCN Code | Terminal Finish | Max Operating Temperature | Min Operating Temperature | Additional Feature | HTS Code | Subcategory | Technology | Voltage - Supply | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Number of Functions | Supply Voltage | Terminal Pitch | Reach Compliance Code | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | Pin Count | JESD-30 Code | Qualification Status | Operating Supply Voltage | Supply Voltage-Max (Vsup) | Power Supplies | Temperature Grade | Supply Voltage-Min (Vsup) | Interface | Max Supply Voltage | Min Supply Voltage | Memory Size | Number of Ports | Nominal Supply Current | Operating Mode | Max Supply Current | Clock Frequency | Supply Current-Max | Access Time | Memory Format | Memory Interface | Data Bus Width | Organization | Output Characteristics | Seated Height-Max | Memory Width | Write Cycle Time - Word, Page | Address Bus Width | Density | Standby Current-Max | Memory Density | Access Time (Max) | Parallel/Serial | I/O Type | Sync/Async | Word Size | Memory IC Type | Serial Bus Type | Endurance | Write Cycle Time-Max (tWC) | Data Retention Time-Min | Write Protection | Standby Voltage-Min | Output Enable | Page Size | Refresh Cycles | I2C Control Byte | Sequential Burst Length | Interleaved Burst Length | Reverse Pinout | Height Seated (Max) | Length | Width | Radiation Hardening | REACH SVHC | RoHS Status | Lead Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. ТипIS43LR32640A-6BLAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
DRAM Chip Mobile DDR SDRAM 2G-Bit 64Mx32 1.8V 90-Pin WBGA
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| Min.:1 Mult.:1 | 14 Weeks | - | - | Surface Mount | 90-LFBGA | YES | 90 | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Commercial grade | 0°C~70°C TA | Tray | - | - | Active | 3 (168 Hours) | 90 | - | - | - | - | AUTO/SELF REFRESH | - | - | - | 1.7V~1.95V | BOTTOM | - | - | 1 | 1.8V | 0.8mm | - | - | - | - | Not Qualified | 1.8V | 1.95V | - | - | 1.7V | - | - | - | 2Gb 64M x 32 | 1 | - | SYNCHRONOUS | - | 166MHz | - | 5ns | DRAM | Parallel | - | 64MX32 | 3-STATE | - | 32 | 15ns | 14b | 2 Gb | 0.00002A | - | - | - | COMMON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 8192 | - | 248 | 248 | - | 1.4mm | 13mm | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| IS43LR32640A-6BL | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS61C5128AL-10KLIAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
SRAM Chip Async Single 5V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ
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| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | - | - | Surface Mount | 36-BSOJ (0.400, 10.16mm Width) | YES | 36 | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Industrial grade | -40°C~85°C TA | Tube | e3 | yes | Active | 2 (1 Year) | 36 | - | Matte Tin (Sn) - annealed | - | - | - | - | - | - | 4.5V~5.5V | DUAL | - | 260 | 1 | 5V | - | - | 40 | 36 | - | - | 5V | - | 5V | - | - | - | - | - | 4Mb 512K x 8 | 1 | 50mA | - | - | - | - | - | SRAM | Parallel | - | - | 3-STATE | - | 8 | 10ns | 19b | 4 Mb | - | - | - | - | COMMON | Asynchronous | 8b | - | - | - | - | - | - | 2.9V | - | - | - | - | - | - | - | 3.75mm | 23.495mm | - | No | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| IS61C5128AL-10KLI | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS43R16160B-6TLAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) IS43R16160B-6TL SDRAM, DDR, 16M X 16, 2.5V, 66TSOP2
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | Surface Mount | 66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width) | - | 66 | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0°C~70°C TA | Tray | e3 | - | Discontinued | 3 (168 Hours) | 66 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | - | - | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.24 | - | - | 2.3V~2.7V | DUAL | - | 260 | 1 | 2.5V | 0.65mm | - | 10 | 66 | - | Not Qualified | 2.5V | 2.7V | - | - | 2.3V | - | - | - | 256Mb 16M x 16 | 1 | 250mA | SYNCHRONOUS | 250mA | 166MHz | - | 700ps | DRAM | Parallel | 16b | 16MX16 | 3-STATE | - | 16 | 15ns | 15b | 256 Mb | 0.025A | - | - | - | COMMON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 32MB | 8192 | - | 248 | 248 | - | 1.2mm | 22.22mm | - | - | No SVHC | ROHS3 Compliant | - | ||
| IS43R16160B-6TL | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS61C25616AL-10TLI-TRAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
SRAM Chip Async Single 5V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R
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| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | - | - | Surface Mount | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | - | 44 | 44-TSOP II | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | - | - | Active | 2 (1 Year) | - | - | - | 85°C | -40°C | - | - | - | - | 4.5V~5.5V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 5V | - | - | - | - | Parallel | 5.5V | 4.5V | 4Mb 256K x 16 | 1 | 50mA | - | - | - | - | 10ns | SRAM | Parallel | - | - | - | - | - | 10ns | 18b | 4 Mb | - | - | - | - | - | Asynchronous | 16b | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | No | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| IS61C25616AL-10TLI-TR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS62C256-70UIAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
SRAM Chip Async Single 5V 256K-Bit 32K x 8 70ns 28-Pin SOP
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | Surface Mount | 28-SOP | - | 28 | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tube | e0 | no | Obsolete | 2 (1 Year) | 28 | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | - | - | - | - | - | 4.5V~5.5V | DUAL | - | - | 1 | 5V | - | - | - | 28 | - | - | 5V | - | 5V | - | - | - | - | - | 256Kb 32K x 8 | 1 | 70mA | - | - | - | - | - | SRAM | Parallel | - | 32KX8 | 3-STATE | - | 8 | 70ns | 15b | 256 kb | - | - | 70 ns | - | COMMON | Asynchronous | 8b | - | - | - | - | - | - | 2V | YES | - | - | - | - | - | - | 2.8448mm | - | - | No | - | Non-RoHS Compliant | - | ||
| IS62C256-70UI | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипIS64WV5128BLL-10CTLA3Anlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
4Mb, High-Speed/Low Power, Async, 512K x 8, 10ns, 2.4V-3.6V, 44 Pin TSOP II, Leadfree,
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| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | Surface Mount | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | YES | 44 | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Automotive grade | -40°C~125°C TA | Tray | e3 | yes | Active | 3 (168 Hours) | 44 | - | Matte Tin (Sn) - annealed | - | - | - | - | - | - | 2.4V~3.6V | DUAL | - | 260 | 1 | 3.3V | 0.8mm | - | 40 | 44 | - | Not Qualified | - | 3.6V | 2.5/3.3V | - | 2.4V | - | - | - | 4Mb 512K x 8 | 1 | 60mA | - | - | - | - | - | SRAM | Parallel | - | - | 3-STATE | - | 8 | 10ns | 19b | 4 Mb | - | - | - | - | COMMON | Asynchronous | 8b | - | - | - | - | - | - | 2V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| IS64WV5128BLL-10CTLA3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS62WV5128BLL-55BLIAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC SRAM 4M PARALLEL 36MINIBGA
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| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | - | Surface Mount | Surface Mount | 36-TFBGA | - | 36 | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tray | e1 | yes | Active | 2 (1 Year) | 36 | - | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | - | - | - | - | - | - | 2.5V~3.6V | BOTTOM | - | 260 | 1 | 2.8V | 0.75mm | - | 40 | 36 | - | - | 3.3V | 3.6V | - | - | 2.5V | - | - | - | 4Mb 512K x 8 | 1 | 45mA | - | - | - | - | - | SRAM | Parallel | - | - | 3-STATE | - | 8 | 55ns | 19b | 4 Mb | - | - | 55 ns | - | COMMON | Asynchronous | 8b | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 8mm | - | No | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| IS62WV5128BLL-55BLI | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS61C25616AL-10KLIAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
SRAM Chip Async Single 5V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin SOJ
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | - | - | Surface Mount | 44-BSOJ (0.400, 10.16mm Width) | YES | 44 | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Industrial grade | -40°C~85°C TA | Tube | e3 | yes | Active | 2 (1 Year) | 44 | - | Matte Tin (Sn) - annealed | - | - | - | - | - | - | 4.5V~5.5V | DUAL | - | 260 | 1 | 5V | - | - | 40 | 44 | - | - | 5V | - | - | - | - | - | - | - | 4Mb 256K x 16 | 1 | 50mA | - | - | - | - | - | SRAM | Parallel | - | - | - | - | 16 | 10ns | 18b | 4 Mb | - | - | - | - | - | Asynchronous | 16b | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 3.75mm | 28.575mm | - | No | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| IS61C25616AL-10KLI | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS43TR16128BL-125KBLI-TRAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA
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| Min.:1 Mult.:1 | 6 Weeks | - | - | Surface Mount | 96-TFBGA | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~95°C TC | Tape & Reel (TR) | - | - | Active | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.283V~1.45V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2Gb 128M x 16 | - | - | - | - | 800MHz | - | 20ns | DRAM | Parallel | - | - | - | - | - | 15ns | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| IS43TR16128BL-125KBLI-TR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипIS61LV12816L-10TIAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
SRAM Chip Async Single 3.3V 2M-bit 128K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | Surface Mount | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | - | 44 | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tray | e0 | no | Not For New Designs | 2 (1 Year) | 44 | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | - | - | - | - | - | 3.135V~3.6V | DUAL | - | NOT SPECIFIED | 1 | 3.3V | 0.8mm | - | NOT SPECIFIED | 44 | - | Not Qualified | 3.3V | 3.63V | - | - | 2.97V | - | - | - | 2Mb 128K x 16 | 1 | 65mA | - | - | - | - | - | SRAM | Parallel | - | - | 3-STATE | - | 16 | 10ns | 17b | 2 Mb | 0.004A | - | - | - | COMMON | Asynchronous | 16b | - | - | - | - | - | - | 2V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Non-RoHS Compliant | - | ||
| IS61LV12816L-10TI | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS42SM16800H-6BLIAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 12 Weeks | - | - | Surface Mount | 54-TFBGA | YES | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Industrial grade | -40°C~85°C TA | Tray | - | - | Active | 3 (168 Hours) | 54 | EAR99 | - | - | - | AUTO/SELF REFRESH | - | - | - | 2.7V~3.6V | BOTTOM | - | NOT SPECIFIED | 1 | 3.3V | 0.8mm | - | NOT SPECIFIED | - | S-PBGA-B54 | - | - | 3.6V | - | - | 2.7V | - | - | - | 128Mb 8M x 16 | 1 | - | SYNCHRONOUS | - | 166MHz | - | 5.5ns | DRAM | Parallel | - | 8MX16 | - | - | 16 | - | - | - | - | 134217728 bit | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.2mm | 8mm | 8mm | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| IS42SM16800H-6BLI | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS61LF25618A-7.5TQLIAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 12 Weeks | - | - | Surface Mount | 100-LQFP | YES | 100 | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tray | e3 | yes | Active | 2 (1 Year) | 100 | - | Matte Tin (Sn) - annealed | - | - | FLOW-THROUGH ARCHITECTURE | - | - | - | 3.135V~3.6V | QUAD | - | 260 | 1 | 3.3V | 0.65mm | - | 40 | 100 | - | - | 3.3V | 3.465V | - | - | 3.135V | - | - | - | 4.5Mb 256K x 18 | 2 | 160mA | - | - | 117MHz | - | 7.5ns | SRAM | Parallel | - | - | 3-STATE | - | 18 | - | 18b | 4 Mb | 0.035A | - | - | - | COMMON | Synchronous | 18b | - | - | - | - | - | - | 3.14V | - | - | - | - | - | - | - | 1.6mm | - | - | No | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| IS61LF25618A-7.5TQLI | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипIS61LPS25636A-200TQ2IAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC SRAM 9MBIT 200MHZ 100TQFP
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Surface Mount | 100-LQFP | YES | 100 | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tray | e0 | no | Not For New Designs | 2 (1 Year) | 100 | 3A991.B.2.A | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | - | PIPELINED ARCHITECTURE | 8542.32.00.41 | - | - | 3.135V~3.465V | QUAD | - | NOT SPECIFIED | 1 | 3.3V | 0.65mm | - | NOT SPECIFIED | 100 | - | Not Qualified | - | 3.465V | 2.5/3.33.3V | - | 3.135V | - | - | - | 9Mb 256K x 36 | - | - | - | - | 200MHz | - | 3.1ns | SRAM | Parallel | - | 256KX36 | 3-STATE | - | 36 | - | - | - | - | 9437184 bit | - | - | COMMON | - | - | - | - | - | - | - | - | 3.14V | - | - | - | - | - | - | - | 1.6mm | 20mm | 14mm | - | - | Non-RoHS Compliant | - | ||
| IS61LPS25636A-200TQ2I | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипIS43LR32160B-6BLAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz 16Mx32 DDR Mobile
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 14 Weeks | - | Surface Mount | Surface Mount | 90-TFBGA | - | 90 | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Commercial grade | 0°C~70°C TA | Tray | e1 | yes | Active | 3 (168 Hours) | 90 | EAR99 | TIN SILVER COPPER | - | - | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.28 | - | - | 1.7V~1.95V | BOTTOM | - | 260 | 1 | 1.8V | 0.8mm | - | 40 | 90 | - | Not Qualified | 1.8V | 1.95V | - | - | 1.7V | - | - | - | 512Mb 16M x 32 | 1 | 110mA | SYNCHRONOUS | - | 166MHz | - | 5.5ns | DRAM | Parallel | 32b | 16MX32 | 3-STATE | - | 32 | 12ns | 15b | 512 Mb | 0.00001A | - | - | - | COMMON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 8192 | - | 24816 | 24816 | - | 1.2mm | 13mm | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| IS43LR32160B-6BL | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипIS42S32800B-6BLAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | Surface Mount | 90-TFBGA | - | 90 | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0°C~70°C TA | Tray | e1 | - | Obsolete | 2 (1 Year) | 90 | EAR99 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | - | - | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.24 | - | - | 3V~3.6V | BOTTOM | - | 260 | 1 | 3.3V | 0.8mm | - | 10 | 90 | - | Not Qualified | 3.3V | 3.6V | - | - | 3V | - | - | - | 256Mb 8M x 32 | 1 | 180mA | SYNCHRONOUS | - | 166MHz | - | 5.5ns | DRAM | Parallel | 32b | 8MX32 | - | - | 32 | - | 14b | 256 Mb | 0.002A | - | - | - | COMMON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 4096 | - | 1248FP | 1248 | - | 1.45mm | 13mm | - | - | - | RoHS Compliant | - | ||
| IS42S32800B-6BL | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS66WVE4M16EALL-70BLIAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC PSRAM 64M PARALLEL 48TFBGA
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | Surface Mount | 48-TFBGA | YES | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tray | e1 | - | Active | 3 (168 Hours) | 48 | - | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | - | - | - | - | - | - | 1.7V~1.95V | BOTTOM | - | NOT SPECIFIED | 1 | - | 0.75mm | - | NOT SPECIFIED | - | R-PBGA-B48 | - | - | 1.95V | - | - | 1.7V | - | - | - | 64Mb 4M x 16 | 1 | - | ASYNCHRONOUS | - | - | - | - | PSRAM | Parallel | - | 4MX16 | 3-STATE | - | 16 | 70ns | - | - | 0.00015A | 67108864 bit | 70 ns | - | COMMON | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.7V | NO | - | - | - | - | - | NO | 1.2mm | 8mm | 6mm | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| IS66WVE4M16EALL-70BLI | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS43DR86400E-25DBLIAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
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| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | - | - | Surface Mount | 60-TFBGA | YES | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Industrial grade | -40°C~85°C TA | Tray | - | - | Active | 3 (168 Hours) | 60 | EAR99 | - | - | - | AUTO/SELF REFRESH | - | - | - | 1.7V~1.9V | BOTTOM | - | NOT SPECIFIED | 1 | 1.8V | 0.8mm | - | NOT SPECIFIED | - | R-PBGA-B60 | - | - | 1.9V | - | - | 1.7V | - | - | - | 512Mb 64M x 8 | 1 | - | SYNCHRONOUS | - | 400MHz | - | 400ns | DRAM | Parallel | - | 64MX8 | - | - | 8 | 15ns | - | - | - | 536870912 bit | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.2mm | 10.5mm | 8mm | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| IS43DR86400E-25DBLI | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS43DR16320C-3DBLAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA
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| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | Copper, Silver, Tin | Surface Mount | Surface Mount | 84-TFBGA | - | 84 | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Commercial grade | 0°C~70°C TA | Tray | - | - | Active | 3 (168 Hours) | 84 | - | - | - | - | AUTO/SELF REFRESH | - | - | - | 1.7V~1.9V | BOTTOM | - | - | 1 | 1.8V | 0.8mm | - | - | - | - | - | 1.8V | 1.9V | - | - | 1.7V | - | - | - | 512Mb 32M x 16 | 1 | 250mA | - | 120mA | 333MHz | - | 450ps | DRAM | Parallel | 16b | 32MX16 | 3-STATE | - | 16 | 15ns | 15b | 512 Mb | 0.011A | - | - | - | COMMON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 8192 | - | 48 | 48 | - | 1.2mm | 12.5mm | - | No | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| IS43DR16320C-3DBL | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS24C08A-2GLIAnlielectronics Тип | ISSI |
-
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | YES | - | - | 8 | 1 MHz | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC | Integrated Silicon Solution Inc | IS24C08A-2GLI | - | 3 | 1024 words | 1000 | 85 °C | -40 °C | PLASTIC/EPOXY | SOP | SOP, SOP8,.25 | SOP8,.25 | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE | Obsolete | SOIC | 40 | 8.61 | Yes | 2.5 V | - | - | - | e3 | Yes | - | - | - | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | - | - | - | 8542.32.00.51 | EEPROMs | CMOS | - | DUAL | GULL WING | 260 | 1 | - | 1.27 mm | compliant | - | 8 | R-PDSO-G8 | Not Qualified | - | 5.5 V | 2/5 V | INDUSTRIAL | 1.8 V | - | - | - | - | - | - | SYNCHRONOUS | - | - | 0.003 mA | - | - | - | - | 1KX8 | - | 1.75 mm | 8 | - | - | - | 0.000001 A | 8192 bit | - | SERIAL | - | - | - | EEPROM | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5 ms | 100 | HARDWARE | - | - | - | - | 1010DMMR | - | - | - | - | 4.9 mm | 3.9 mm | - | - | - | - | ||
| IS24C08A-2GLI | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипIS64WV12816EDBLL-10BLA3Anlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
SRAM 2Mb,High-Speed,Async,128K x 16,8ns/3.3v, or 10ns/2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp, ECC
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| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | Surface Mount | 48-TFBGA | YES | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Automotive grade | -40°C~125°C TA | Tray | - | - | Active | 3 (168 Hours) | 48 | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.4V~3.6V | BOTTOM | - | NOT SPECIFIED | 1 | 3.3V | 0.75mm | - | NOT SPECIFIED | - | R-PBGA-B48 | - | - | 3.6V | - | - | 2.4V | - | - | - | 2Mb 128K x 16 | - | - | - | - | - | - | - | SRAM | Parallel | - | 128KX16 | - | - | 16 | 10ns | - | - | - | 2097152 bit | 10 ns | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.2mm | 8mm | 6mm | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| IS64WV12816EDBLL-10BLA3 |
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