| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Factory Lead Time | Contact Plating | Mount | Mounting Type | Package / Case | Surface Mount | Number of Pins | Supplier Device Package | Number of Terminals | Active Read Current - Max | Block Organization | Cell Type | ECC Support | Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity | Ihs Manufacturer | Interface Type | Manufacturer Part Number | Maximum Operating Supply Voltage | Maximum Operating Temperature | Memory Types | Mfr | Minimum Operating Supply Voltage | Minimum Operating Temperature | Moisture Sensitive | Mounting | Mounting Styles | Number of Words | Number of Words Code | Operating Temperature-Max | Operating Temperature-Min | Package | Package Body Material | Package Code | Package Description | Package Shape | Package Style | Part Life Cycle Code | Product Status | Risk Rank | RoHS | Rohs Code | Supplier Package | Supply Voltage-Max | Supply Voltage-Min | Supply Voltage-Nom (Vsup) | Timing Type | Typical Operating Supply Voltage | Usage Level | Operating Temperature | Packaging | Series | JESD-609 Code | Pbfree Code | Part Status | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Number of Terminations | ECCN Code | Type | Terminal Finish | Additional Feature | HTS Code | Technology | Voltage - Supply | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Number of Functions | Supply Voltage | Terminal Pitch | Reach Compliance Code | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | Pin Count | JESD-30 Code | Qualification Status | Operating Supply Voltage | Supply Voltage-Max (Vsup) | Power Supplies | Temperature Grade | Supply Voltage-Min (Vsup) | Memory Size | Number of Ports | Nominal Supply Current | Operating Mode | Max Supply Current | Clock Frequency | Supply Current-Max | Access Time | Memory Format | Memory Interface | Architecture | Data Bus Width | Organization | Output Characteristics | Seated Height-Max | Memory Width | Write Cycle Time - Word, Page | Address Bus Width | Density | Standby Current-Max | Memory Density | Screening Level | Access Time (Max) | Parallel/Serial | I/O Type | Sync/Async | Word Size | Memory IC Type | Programming Voltage | Standby Voltage-Min | Alternate Memory Width | Output Enable | Boot Block | Refresh Cycles | Sequential Burst Length | Interleaved Burst Length | Reverse Pinout | Self Refresh | Memory Organization | Height Seated (Max) | Length | Width | Radiation Hardening | RoHS Status | Lead Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. ТипIS45S32200L-7TLA1Anlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
DRAM Chip SDRAM 64Mbit 2Mx32 3.3V Automotive 86-Pin TSOP-II
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Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | - | - | Surface Mount | 86-TFSOP (0.400, 10.16mm Width) | YES | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Automotive grade | -40°C~85°C TA | Tray | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | 86 | EAR99 | - | - | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.02 | - | 3V~3.6V | DUAL | - | - | 1 | 3.3V | 0.5mm | - | - | 86 | R-PDSO-G86 | Not Qualified | - | 3.6V | 3.3V | - | 3V | 64Mb 2M x 32 | 1 | - | SYNCHRONOUS | - | 143MHz | - | 5.4ns | DRAM | Parallel | - | - | 2MX32 | 3-STATE | - | 32 | - | - | - | 0.002A | 67108864 bit | AEC-Q100 | - | - | COMMON | - | - | - | - | - | - | - | - | 4096 | 1248FP | 1248 | - | - | - | 1.2mm | 22.22mm | 10.16mm | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| IS45S32200L-7TLA1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS42S32800D-6BLIAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 8Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA
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| Min.:1 Mult.:1 | - | Copper, Silver, Tin | Surface Mount | Surface Mount | 90-TFBGA | - | 90 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tray | - | e1 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 90 | EAR99 | - | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.24 | - | 3V~3.6V | BOTTOM | - | 260 | 1 | 3.3V | 0.8mm | - | 40 | 90 | - | - | 3.3V | 3.6V | - | - | 3V | 256Mb 8M x 32 | 1 | 180mA | - | - | 166MHz | - | 5.4ns | DRAM | Parallel | - | 32b | 8MX32 | - | - | 32 | - | 13b | 256 Mb | 0.003A | - | - | - | - | COMMON | - | - | - | - | - | - | - | - | 4096 | 1248FP | 1248 | - | - | - | 1.2mm | 13mm | - | No | RoHS Compliant | - | ||
| IS42S32800D-6BLI | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS46TR16128B-15HBLA2Anlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA
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| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | Surface Mount | 96-TFBGA | YES | 96 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~105°C TC | Tray | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | 96 | - | - | - | AUTO/SELF REFRESH | - | - | 1.425V~1.575V | BOTTOM | - | - | 1 | 1.5V | 0.8mm | - | - | - | - | - | 1.5V | 1.575V | - | - | 1.425V | 2Gb 128M x 16 | 1 | - | ASYNCHRONOUS | - | 667MHz | - | 20ns | DRAM | Parallel | - | - | 128MX16 | - | - | 16 | 15ns | 14b | 2 Gb | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.2mm | 13mm | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| IS46TR16128B-15HBLA2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS43LR16160G-6BLAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
DRAM 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR SDRAM
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| Min.:1 Mult.:1 | 14 Weeks | - | Surface Mount | Surface Mount | 60-TFBGA | - | 60 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0°C~70°C TA | Tray | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | 60 | - | - | - | AUTO/SELF REFRESH | - | - | 1.7V~1.95V | BOTTOM | - | - | 1 | 1.8V | 0.8mm | - | - | - | - | - | 1.8V | 1.95V | - | - | 1.7V | 256Mb 16M x 16 | 1 | 110mA | SYNCHRONOUS | - | 166MHz | - | 5.5ns | DRAM | Parallel | - | 16b | 16MX16 | - | - | 16 | 15ns | 15b | 256 Mb | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.1mm | 10mm | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| IS43LR16160G-6BL | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS43R32400E-4BLAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
DRAM 128M (4Mx32) 250MHz 2.5v DDR SDRAM
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| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | - | - | Surface Mount | 144-LFBGA | YES | 144 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0°C~70°C TA | Tray | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | 144 | - | - | - | AUTO/SELF REFRESH | - | - | 2.4V~2.6V | BOTTOM | - | 260 | 1 | 2.5V | 0.8mm | - | NOT SPECIFIED | - | - | - | - | 2.6V | - | - | 2.4V | 128Mb 4M x 32 | 1 | - | SYNCHRONOUS | - | 250MHz | - | 700ps | DRAM | Parallel | - | 32b | 4MX32 | - | - | 32 | 16ns | - | - | - | 134217728 bit | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.4mm | 12mm | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| IS43R32400E-4BL | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS61LF51218A-7.5TQLIAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP
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| Min.:1 Mult.:1 | 12 Weeks | - | - | Surface Mount | 100-LQFP | YES | 100 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Industrial grade | -40°C~85°C TA | Tray | - | e3 | yes | Active | 3 (168 Hours) | 100 | - | - | Matte Tin (Sn) - annealed | FLOW-THROUGH ARCHITECTURE | - | - | 3.135V~3.6V | QUAD | - | 260 | 1 | 3.3V | 0.65mm | - | 40 | 100 | - | - | 3.3V | 3.465V | - | - | 3.135V | 9Mb 512K x 18 | 2 | 185mA | - | - | 117MHz | - | 7.5ns | SRAM | Parallel | - | - | - | 3-STATE | - | 18 | - | 19b | 9 Mb | 0.085A | - | - | - | - | COMMON | Synchronous | 18b | - | - | 3.14V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.6mm | - | - | No | ROHS3 Compliant | - | ||
| IS61LF51218A-7.5TQLI | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS34MW02G084-BLIAnlielectronics Тип | Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) |
NAND Flash 2Gbit (x8,4 bit ECC), 63 BALL VFBGA, 1.8V, RoHS, IT
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| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | - | - | Surface Mount | VFBGA-63 | YES | - | 63-VFBGA (9x11) | 63 | 30 mA | Symmetrical | SLC NAND | Yes | 220 | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC | Parallel | IS34MW02G084-BLI | 1.95 V | + 85 C | Non-Volatile | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 1.7 V | - 40 C | Yes | Surface Mount | SMD/SMT | 256 MWords | 256000000 | 85 °C | -40 °C | Bulk | PLASTIC/EPOXY | VFBGA | VFBGA-63 | RECTANGULAR | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | Active | Active | 5.75 | Details | Yes | VFBGA | 1.95 V | 1.7 V | 1.8 V | Asynchronous | 1.8000 V | Industrial grade | -40 to 85 °C | - | IS34MW02G084 | - | - | - | - | - | - | SLC NAND TYPE | - | - | - | FLASH - NAND (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | BOTTOM | BALL | - | 1 | - | 0.8 mm | compliant | - | 63 | R-PBGA-B63 | - | - | 1.95 V | - | INDUSTRIAL | 1.7 V | 2 Gbit | - | - | ASYNCHRONOUS | - | - | 30 mA | 30 ns | FLASH | Parallel | Sectored | 8 bit | 256 M x 8 | - | 1 mm | 8 | 45ns | 8 Bit | 2 Gbit | - | 2147483648 bit | Industrial | - | PARALLEL | - | - | - | FLASH | 1.7, 1.95 V | - | - | - | No | - | - | - | - | - | 256M x 8 | - | 11 mm | 9 mm | - | - | - | ||
| IS34MW02G084-BLI | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS43LR16640A-6BLI-TRAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA
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| Min.:1 Mult.:1 | 14 Weeks | - | - | Surface Mount | 60-TFBGA | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | 1.7V~1.95V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1Gb 64M x 16 | - | - | - | - | 166MHz | - | 5ns | DRAM | Parallel | - | - | - | - | - | - | 15ns | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| IS43LR16640A-6BLI-TR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS61LV25616AL-10TAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
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Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | Surface Mount | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | - | 44 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0°C~70°C TA | Tray | - | e0 | no | Obsolete | 2 (1 Year) | 44 | - | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | - | - | 3.135V~3.6V | DUAL | - | - | 1 | 3.3V | 0.8mm | - | - | 44 | - | - | 3.3V | 3.63V | - | - | - | 4Mb 256K x 16 | 1 | 100mA | - | - | - | - | - | SRAM | Parallel | - | - | - | 3-STATE | - | 16 | 10ns | 18b | 4 Mb | - | - | - | - | - | COMMON | Asynchronous | 16b | - | - | 2V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | No | Non-RoHS Compliant | - | ||
| IS61LV25616AL-10T | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS61NLP25636A-200B2LIAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
SRAM Chip Sync Quad 3.3V 9M-Bit 256K x 36 3.1ns 119-Pin BGA
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Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Surface Mount | 119-BBGA | YES | 119 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tray | - | e1 | yes | Active | 3 (168 Hours) | 119 | 3A991.B.2.A | - | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | PIPELINED ARCHITECTURE | - | - | 3.135V~3.465V | BOTTOM | - | 260 | 1 | 3.3V | 1.27mm | - | 10 | 119 | - | - | 3.3V | - | - | - | 3.135V | 9Mb 256K x 36 | 4 | 280mA | - | - | 200MHz | - | 3.1ns | SRAM | Parallel | - | - | 256KX36 | 3-STATE | - | 36 | - | 18b | 9 Mb | 0.05A | - | - | - | - | COMMON | Synchronous | 36b | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 22mm | - | No | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| IS61NLP25636A-200B2LI | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS63LV1024-12JAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ
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Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Surface Mount | 32-BSOJ (0.300, 7.62mm Width) | YES | 32 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0°C~70°C TA | Tube | - | e0 | no | Obsolete | 2 (1 Year) | 32 | 3A991.B.2.B | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | - | - | 3V~3.6V | DUAL | - | NOT SPECIFIED | 1 | 3.3V | 1.27mm | - | NOT SPECIFIED | 32 | - | Not Qualified | - | 3.6V | 3.3V | - | 3V | 1Mb 128K x 8 | 1 | - | - | - | - | - | - | SRAM | Parallel | - | - | 128KX8 | 3-STATE | - | 8 | 12ns | - | - | 0.01A | 1048576 bit | - | 12 ns | - | COMMON | - | - | - | - | 2V | - | YES | - | - | - | - | - | - | - | 3.56mm | 20.955mm | 7.62mm | - | Non-RoHS Compliant | - | ||
| IS63LV1024-12J | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипIS46TR16256AL-125KBLA2Anlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
DRAM 4G, 1.35V, 1600MT/s DDR3 SDRAM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | Surface Mount | 96-TFBGA | YES | 96 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Automotive grade | -40°C~105°C TC | Tray | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | 96 | - | - | - | PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH | - | - | 1.283V~1.45V | BOTTOM | - | - | 1 | 1.35V | 0.8mm | - | - | - | - | Not Qualified | - | 1.45V | 1.35V | - | 1.283V | 4Gb 256M x 16 | 1 | - | SYNCHRONOUS | 261mA | 800MHz | - | 20ns | DRAM | Parallel | - | 16b | 256MX16 | 3-STATE | - | 16 | 15ns | - | - | 0.016A | - | AEC-Q100 | - | - | COMMON | - | - | - | - | - | - | - | - | 8192 | 48 | 48 | - | - | - | 1.2mm | 13mm | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| IS46TR16256AL-125KBLA2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS42S16160B-7TLI-TRAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC SDRAM 256MBIT 143MHZ 54TSOP
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | Surface Mount | 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | - | 54 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | - | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | 3V~3.6V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 3.3V | - | - | - | - | 256Mb 16M x 16 | - | 130mA | - | - | 143MHz | - | 5.4ns | DRAM | Parallel | - | 16b | - | - | - | - | - | 15b | 256 Mb | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | RoHS Compliant | - | ||
| IS42S16160B-7TLI-TR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS66WV51216DBLL-70BLIAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
PSRAM Async Single 8M-bit 512K x 16 70ns 48-Pin TFBGA
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Surface Mount | 48-TFBGA | YES | 48 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tray | - | - | - | Discontinued | 3 (168 Hours) | 48 | 3A991.B.2.A | - | - | - | 8542.32.00.41 | - | 2.5V~3.6V | BOTTOM | - | - | 1 | 3V | 0.75mm | - | - | 48 | - | Not Qualified | - | 3.6V | 3/3.3V | - | 2.5V | 8Mb 512K x 16 | - | - | ASYNCHRONOUS | - | - | - | - | PSRAM | Parallel | - | - | 512KX16 | 3-STATE | - | 16 | 70ns | - | - | 0.00013A | 8388608 bit | - | 70 ns | - | COMMON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.2mm | 8mm | 6mm | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| IS66WV51216DBLL-70BLI | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS42S16400J-6BLAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
DRAM Chip SDRAM 64M-Bit 4Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA
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Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 6 Weeks | - | Surface Mount | Surface Mount | 54-TFBGA | - | 54 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Commercial grade | 0°C~70°C TA | Tray | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | 54 | EAR99 | - | - | AUTO/SELF REFRESH | - | - | 3V~3.6V | BOTTOM | - | - | 1 | 3.3V | 0.8mm | - | - | 54 | - | - | 3.3V | 3.6V | - | - | 3V | 64Mb 4M x 16 | 1 | 100mA | - | - | 166MHz | - | 5.4ns | DRAM | Parallel | - | 16b | 4MX16 | 3-STATE | - | 16 | - | 14b | 64 Mb | - | - | - | - | - | COMMON | - | - | - | - | - | - | - | - | 4096 | 1248FP | 1248 | NO | YES | - | 1.2mm | 8mm | - | No | ROHS3 Compliant | - | ||
| IS42S16400J-6BL | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипIS43R32400E-5BLAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
DRAM 128M (4Mx32) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
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| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | - | Surface Mount | Surface Mount | 144-LFBGA | - | 144 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Commercial grade | 0°C~70°C TA | Tray | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | 144 | - | - | - | AUTO/SELF REFRESH | - | - | 2.3V~2.7V | BOTTOM | - | - | 1 | 2.5V | 0.8mm | - | - | - | - | Not Qualified | 2.5V | 2.7V | - | - | 2.3V | 128Mb 4M x 32 | 1 | 240mA | SYNCHRONOUS | - | 200MHz | - | 700ps | DRAM | Parallel | - | 32b | 4MX32 | 3-STATE | - | 32 | 15ns | 14b | 128 Mb | 0.005A | - | - | - | - | COMMON | - | - | - | - | - | - | - | - | 4096 | 248 | 248 | - | - | - | 1.4mm | 12mm | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| IS43R32400E-5BL | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипIS42SM16160K-75BLIAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
DRAM 256M, 3.3V, 133Mhz 16Mx16 Mobile SDR
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| Min.:1 Mult.:1 | 12 Weeks | - | Surface Mount | Surface Mount | 54-TFBGA | - | 54 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Industrial grade | -40°C~85°C TA | Tray | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | 54 | - | - | - | PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH | - | - | 2.7V~3.6V | BOTTOM | - | - | 1 | 3.3V | 0.8mm | - | - | - | - | Not Qualified | 3.3V | 3.6V | - | - | 2.7V | 256Mb 16M x 16 | 1 | 100mA | SYNCHRONOUS | - | 133MHz | - | 6ns | DRAM | Parallel | - | 16b | 16MX16 | 3-STATE | - | 16 | - | 15b | 256 Mb | 0.00001A | - | - | - | - | COMMON | - | - | - | - | - | - | - | - | 8192 | 1248FP | 1248 | - | - | - | 1.2mm | 8mm | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| IS42SM16160K-75BLI | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипIS45S16400J-6TLA1Anlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Automotive (-40 to 85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS
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| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | - | - | Surface Mount | 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | YES | 54 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Automotive grade | -40°C~85°C TA | Tray | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | 54 | EAR99 | - | - | AUTO/SELF REFRESH | - | - | 3V~3.6V | DUAL | - | - | 1 | 3.3V | 0.8mm | - | - | 54 | - | Not Qualified | - | 3.6V | - | - | 3V | 64Mb 4M x 16 | 1 | - | SYNCHRONOUS | 100mA | 166MHz | - | 5.4ns | DRAM | Parallel | - | 16b | 4MX16 | 3-STATE | - | 16 | - | - | - | - | 67108864 bit | - | - | - | COMMON | - | - | - | - | - | - | - | - | 4096 | 1248FP | 1248 | NO | YES | - | 1.2mm | 22.22mm | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| IS45S16400J-6TLA1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS25LP016D-JKLEAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8WSON
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| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | - | - | Surface Mount | 8-WDFN Exposed Pad | YES | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~105°C TA | Tray | - | e3 | yes | Active | 3 (168 Hours) | 8 | EAR99 | - | Tin (Sn) | - | 8542.32.00.51 | - | 2.3V~3.6V | DUAL | - | 260 | 1 | 3V | 1.27mm | - | 10 | - | R-PDSO-N8 | - | - | 3.6V | - | - | 2.3V | 16Mb 2M x 8 | - | - | SYNCHRONOUS | - | 133MHz | - | - | FLASH | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | - | - | 2MX8 | - | - | 8 | 800μs | - | - | - | 16777216 bit | - | - | SERIAL | - | - | - | - | 3V | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | 0.8mm | 6mm | 5mm | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| IS25LP016D-JKLE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипIS43TR16256AL-15HBLAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
DRAM 4G, 1.35V, 1333Mhz DDR3L SDAM
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| Min.:1 Mult.:1 | 6 Weeks | - | Surface Mount | Surface Mount | 96-TFBGA | - | 96 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0°C~95°C TC | Tray | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | 96 | - | - | - | PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH | - | - | 1.283V~1.45V | BOTTOM | - | - | 1 | 1.35V | 0.8mm | - | - | - | - | - | 1.35V | 1.45V | - | - | 1.283V | 4Gb 256M x 16 | 1 | 180mA | SYNCHRONOUS | 240mA | 667MHz | - | 20ns | DRAM | Parallel | - | 16b | 256MX16 | - | - | 16 | 15ns | 18b | 4 Gb | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.2mm | 13mm | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| IS43TR16256AL-15HBL |
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