| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Factory Lead Time | Contact Plating | Mount | Mounting Type | Package / Case | Surface Mount | Number of Pins | Supplier Device Package | Number of Terminals | Active Read Current - Max | Block Organization | Cell Type | Clock Frequency-Max (fCLK) | Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity | Ihs Manufacturer | Interface Type | Manufacturer Part Number | Maximum Clock Frequency | Maximum Operating Supply Voltage | Maximum Operating Temperature | Memory Types | Mfr | Minimum Operating Supply Voltage | Minimum Operating Temperature | Moisture Sensitive | Mounting | Mounting Styles | Number of Words | Number of Words Code | Operating Temperature-Max | Operating Temperature-Min | Package | Package Body Material | Package Code | Package Description | Package Shape | Package Style | Part Life Cycle Code | Product Status | Reflow Temperature-Max (s) | Risk Rank | RoHS | Rohs Code | Samacsys Description | Supplier Package | Supply Voltage-Max | Supply Voltage-Min | Supply Voltage-Nom (Vsup) | Timing Type | Typical Operating Supply Voltage | Usage Level | Operating Temperature | Packaging | Series | JESD-609 Code | Pbfree Code | Part Status | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Number of Terminations | ECCN Code | Terminal Finish | Additional Feature | HTS Code | Technology | Voltage - Supply | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Number of Functions | Supply Voltage | Terminal Pitch | Reach Compliance Code | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | Pin Count | JESD-30 Code | Qualification Status | Operating Supply Voltage | Supply Voltage-Max (Vsup) | Power Supplies | Temperature Grade | Supply Voltage-Min (Vsup) | Memory Size | Number of Ports | Nominal Supply Current | Speed | Operating Mode | Max Supply Current | Clock Frequency | Supply Current-Max | Access Time | Memory Format | Memory Interface | Architecture | Data Bus Width | Organization | Output Characteristics | Seated Height-Max | Memory Width | Write Cycle Time - Word, Page | Address Bus Width | Density | Standby Current-Max | Memory Density | Screening Level | Access Time (Max) | Parallel/Serial | I/O Type | Sync/Async | Word Size | Memory IC Type | Programming Voltage | Standby Voltage-Min | Boot Block | Refresh Cycles | Sequential Burst Length | Interleaved Burst Length | Reverse Pinout | Self Refresh | Memory Organization | Height Seated (Max) | Length | Width | Radiation Hardening | RoHS Status |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. ТипIS45S16400J-6CTLA1Anlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
DRAM 64M, 3.3V, 166Mhz 4Mx16 SDR SDRAM
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| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | - | - | Surface Mount | 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | YES | 54 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Automotive grade | -40°C~85°C TA | Tray | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | 54 | - | - | AUTO/SELF REFRESH | - | - | 3V~3.6V | DUAL | - | - | 1 | 3.3V | 0.8mm | - | - | - | - | Not Qualified | - | 3.6V | - | - | 3V | 64Mb 4M x 16 | 1 | - | - | SYNCHRONOUS | - | 166MHz | - | 5.4ns | DRAM | Parallel | - | 16b | 4MX16 | 3-STATE | - | 16 | - | - | - | - | 67108864 bit | - | - | - | COMMON | - | - | - | - | - | - | 4096 | 1248FP | 1248 | NO | YES | - | 1.2mm | 22.22mm | - | - | ROHS3 Compliant | ||
| IS45S16400J-6CTLA1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS61LV5128AL-10TIAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Surface Mount | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | YES | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tray | - | e0 | no | Not For New Designs | 2 (1 Year) | 44 | 3A991.B.2.A | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | 8542.32.00.41 | - | 3.135V~3.6V | DUAL | - | NOT SPECIFIED | 1 | 3.3V | 0.8mm | - | NOT SPECIFIED | 44 | R-PDSO-G44 | Not Qualified | - | 3.63V | 3.3V | - | 3.135V | 4Mb 512K x 8 | - | - | - | - | - | - | - | - | SRAM | Parallel | - | - | 512KX8 | 3-STATE | - | 8 | 10ns | - | - | 0.02A | 4194304 bit | - | 10 ns | - | COMMON | - | - | - | - | 3.14V | - | - | - | - | - | - | - | 1.2mm | 18.415mm | 10.16mm | - | Non-RoHS Compliant | ||
| IS61LV5128AL-10TI | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS43DR86400C-25DBLAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
DRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 64Mx8 DDR2 SDRAM
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| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | - | - | Surface Mount | 60-TFBGA | YES | 60 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0°C~70°C TA | Tray | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | 60 | EAR99 | - | AUTO/SELF REFRESH | - | - | 1.7V~1.9V | BOTTOM | - | - | 1 | 1.8V | 0.8mm | - | - | - | - | Not Qualified | - | 1.9V | 1.8V | - | 1.7V | 512Mb 64M x 8 | 1 | - | - | SYNCHRONOUS | 135mA | 400MHz | - | 400ps | DRAM | Parallel | - | 8b | 64MX8 | 3-STATE | - | 8 | 15ns | - | - | 0.013A | 536870912 bit | - | - | - | COMMON | - | - | - | - | - | - | 8192 | 48 | 48 | - | - | - | 1.2mm | 10.5mm | - | - | ROHS3 Compliant | ||
| IS43DR86400C-25DBL | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS46DR16320D-25DBLA1Anlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 32M x 16 1.8V 84-Pin TWBGA
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| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | - | - | Surface Mount | 84-TFBGA | YES | 84 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Automotive grade | -40°C~85°C TA | Tray | - | e1 | - | Active | 3 (168 Hours) | 84 | EAR99 | TIN SILVER COPPER | PROGRAMMABLE CAS LATENCY | 8542.32.00.28 | - | 1.7V~1.9V | BOTTOM | - | NOT SPECIFIED | 1 | 1.8V | 0.8mm | - | NOT SPECIFIED | - | - | Not Qualified | 1.8V | 1.9V | - | - | 1.7V | 512Mb 32M x 16 | 1 | - | - | SYNCHRONOUS | - | 400MHz | - | 400ps | DRAM | Parallel | - | - | 32MX16 | 3-STATE | - | 16 | 15ns | 13b | 512 Mb | 0.025A | - | - | - | - | COMMON | - | - | - | - | - | - | 8192 | 48 | 48 | - | - | - | 1.2mm | 12.5mm | - | - | ROHS3 Compliant | ||
| IS46DR16320D-25DBLA1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипIS62WV25616BLL-55TIAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 55ns 44-Pin TSOP-II
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | Surface Mount | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | - | 44 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tray | - | e0 | no | Obsolete | 2 (1 Year) | 44 | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | - | - | 2.5V~3.6V | DUAL | - | NOT SPECIFIED | 1 | 2.8V | 0.8mm | - | NOT SPECIFIED | 44 | - | Not Qualified | 3.3V | 3.6V | - | - | 2.5V | 4Mb 256K x 16 | 1 | 15mA | - | - | - | - | - | - | SRAM | Parallel | - | - | - | 3-STATE | - | 16 | 55ns | 18b | 4 Mb | - | - | - | 55 ns | - | COMMON | Asynchronous | 16b | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Non-RoHS Compliant | ||
| IS62WV25616BLL-55TI | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS42S16800F-6BLI-TRAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
DRAM 128M 8Mx16 166Mhz SDRAM, 3.3v
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| Min.:1 Mult.:1 | 6 Weeks | - | - | Surface Mount | 54-TFBGA | YES | 54 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Industrial grade | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | 54 | - | - | - | - | - | 3V~3.6V | BOTTOM | - | - | - | 3.3V | 0.8mm | - | - | - | - | Not Qualified | - | - | 3.3V | - | - | 128Mb 8M x 16 | - | - | - | - | - | 166MHz | - | 5.4ns | DRAM | Parallel | - | 16b | 8MX16 | 3-STATE | - | 16 | - | - | - | 0.002A | 134217728 bit | - | - | - | COMMON | - | - | - | - | - | - | 4096 | 1248FP | 1248 | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | ||
| IS42S16800F-6BLI-TR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS62WV51216BLL-55BIAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC SRAM 8M PARALLEL 48MINIBGA
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Surface Mount | 48-TFBGA | YES | 48 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tray | - | e0 | no | Last Time Buy | 2 (1 Year) | 48 | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | - | - | 2.5V~3.6V | BOTTOM | - | - | 1 | 3V | 0.75mm | - | - | 48 | - | - | 3.3V | 3.6V | - | - | 2.5V | 8Mb 512K x 16 | 1 | 5mA | - | - | - | - | - | - | SRAM | Parallel | - | - | - | 3-STATE | - | 16 | 55ns | 19b | 8 Mb | 0.00002A | - | - | 55 ns | - | COMMON | Asynchronous | 16b | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 8.7mm | - | No | Non-RoHS Compliant | ||
| IS62WV51216BLL-55BI | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS43R86400F-5TLAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
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| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | - | - | Surface Mount | 66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width) | YES | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0°C~70°C TA | Tray | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | 66 | EAR99 | - | PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH | - | - | 2.3V~2.7V | DUAL | - | NOT SPECIFIED | 1 | 2.5V | 0.65mm | - | NOT SPECIFIED | - | R-PDSO-G66 | - | - | 2.7V | - | - | 2.3V | 512Mb 64M x 8 | 1 | - | - | SYNCHRONOUS | - | 200MHz | - | 700ps | DRAM | Parallel | - | - | 64MX8 | - | - | 8 | 15ns | - | - | - | 536870912 bit | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.2mm | 22.22mm | 10.16mm | - | ROHS3 Compliant | ||
| IS43R86400F-5TL | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипIS42S86400F-7TLAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC SDRAM 512MBIT 143MHZ 54TSOP
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| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | - | - | Surface Mount | 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | YES | 54 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Commercial grade | 0°C~70°C TA | Tube | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | 54 | EAR99 | - | PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH | - | - | 3V~3.6V | DUAL | - | - | 1 | 3.3V | 0.8mm | - | - | - | - | Not Qualified | - | 3.6V | 3.3V | - | 3V | 512Mb 64M x 8 | 1 | - | - | SYNCHRONOUS | - | 143MHz | - | 5.4ns | DRAM | Parallel | - | - | 64MX8 | 3-STATE | - | 8 | - | - | - | 0.004A | 536870912 bit | - | - | - | COMMON | - | - | - | - | - | - | 8192 | 1248FP | 1248 | - | - | - | 1.2mm | 22.22mm | 10.16mm | - | ROHS3 Compliant | ||
| IS42S86400F-7TL | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS62WV5128EBLL-45HLIAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP I
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| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | - | - | Surface Mount | 32-TFSOP (0.465, 11.80mm Width) | YES | 32 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Industrial grade | -40°C~85°C TA | Tray | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | 32 | - | - | - | - | - | 2.2V~3.6V | DUAL | - | NOT SPECIFIED | 1 | 3V | 0.5mm | - | NOT SPECIFIED | - | - | - | - | 3.6V | - | - | 2.2V | 4Mb 512K x 8 | - | - | - | - | - | - | - | - | SRAM | Parallel | - | - | 512KX8 | - | - | 8 | 45ns | - | - | - | 4194304 bit | - | 45 ns | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.2mm | 11.8mm | 8mm | - | ROHS3 Compliant | ||
| IS62WV5128EBLL-45HLI | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS43TR16128A-15HBLAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
DRAM 2G 1.5V, (128M x 16) DDR3 SDRAM
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | Surface Mount | 96-TFBGA | - | 96 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0°C~95°C TC | Tray | - | - | - | Discontinued | 3 (168 Hours) | 96 | EAR99 | - | AUTO SELF REFRESH MODE, ALSO OPERATES AT 1.35 V NOMINAL SUPPLY | 8542.32.00.36 | - | 1.425V~1.575V | BOTTOM | - | - | 1 | 1.5V | 0.8mm | - | - | 96 | - | Not Qualified | 1.5V | 1.575V | - | - | 1.425V | 2Gb 128M x 16 | 1 | 140mA | - | SYNCHRONOUS | 286mA | 667MHz | - | 20ns | DRAM | Parallel | - | 16b | 128MX16 | 3-STATE | - | 16 | 15ns | 17b | 2 Gb | 0.02A | - | - | - | - | COMMON | - | - | - | - | - | - | 8192 | 48 | 48 | - | - | - | 1.2mm | 13mm | - | - | ROHS3 Compliant | ||
| IS43TR16128A-15HBL | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипIS43R16160F-6TLIAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
DRAM Chip DDR SDRAM 256M-Bit 16Mx16 2.5V 66-Pin TSOP-II
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | - | - | Surface Mount | 66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width) | YES | 66 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Industrial grade | -40°C~85°C TA | Tray | - | e3 | - | Active | 3 (168 Hours) | 66 | EAR99 | TIN | AUTO/SELF REFRESH | - | - | 2.3V~2.7V | DUAL | - | 260 | 1 | 2.5V | 0.65mm | - | 10 | - | - | - | 2.5V | 2.7V | - | - | 2.3V | 256Mb 16M x 16 | 1 | - | - | SYNCHRONOUS | - | 166MHz | - | 700ps | DRAM | Parallel | - | - | 16MX16 | - | - | 16 | 15ns | 13b | 256 Mb | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.2mm | 22.22mm | - | - | ROHS3 Compliant | ||
| IS43R16160F-6TLI | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS43R16160F-6BLAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
DRAM Chip DDR SDRAM 256M-Bit 16Mx16 2.5V 60-Pin TFBGA
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | Copper, Silver, Tin | Surface Mount | Surface Mount | 60-TFBGA | - | 60 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Commercial grade | 0°C~70°C TA | Tray | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | 60 | - | - | AUTO/SELF REFRESH | - | - | 2.3V~2.7V | BOTTOM | - | - | 1 | 2.5V | 1mm | - | - | - | - | - | 2.5V | 2.7V | - | - | 2.3V | 256Mb 16M x 16 | 1 | - | - | SYNCHRONOUS | - | 166MHz | - | 700ps | DRAM | Parallel | - | 16b | 16MX16 | - | - | 16 | 15ns | 13b | 256 Mb | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.2mm | 13mm | - | - | ROHS3 Compliant | ||
| IS43R16160F-6BL | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипIS42S83200J-7TLIAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | - | - | Surface Mount | 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | YES | 54 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Industrial grade | -40°C~85°C TA | Tray | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | 54 | - | - | PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH | - | - | 3V~3.6V | DUAL | - | NOT SPECIFIED | 1 | 3.3V | 0.8mm | - | NOT SPECIFIED | - | - | - | - | 3.6V | - | - | 3V | 256Mb 32M x 8 | 1 | - | - | SYNCHRONOUS | - | 143MHz | - | 5.4ns | DRAM | Parallel | - | - | 32MX8 | - | - | 8 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.2mm | 22.22mm | 10.16mm | - | ROHS3 Compliant | ||
| IS42S83200J-7TLI | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS25LP256D-JHLEAnlielectronics Тип | Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) |
NOR Flash 256Mb QPI/QSPI, 24-ball TFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS,
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| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | Surface Mount | TFBGA-24 | YES | - | 24-TFBGA (6x8) | 24 | 30 mA | Symmetrical | NOR | 133 MHz | 480 | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC | QPI, SPI | IS25LP256D-JHLE | 166 MHz | 3.6 V | + 105 C | Non-Volatile | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 2.3 V | - 40 C | Yes | Surface Mount | SMD/SMT | 32 MWords | 32000000 | 105 °C | -40 °C | Bulk | PLASTIC/EPOXY | TBGA | TBGA, | RECTANGULAR | GRID ARRAY, THIN PROFILE | Active | Active | NOT SPECIFIED | 2.27 | Details | Yes | NOR Flash 256Mb QPI/QSPI, 24-ball TFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, | TFBGA | 3.6 V | 2.3 V | 3 V | Synchronous | 2.5, 3.3 V | - | -40 to 105 °C | - | IS25LP256D | - | - | - | - | - | - | - | - | - | FLASH - NOR (SLC) | 2.3V ~ 3.6V | BOTTOM | BALL | NOT SPECIFIED | 1 | - | 1 mm | compliant | - | 24 | R-PBGA-B24 | - | - | 3.6 V | - | INDUSTRIAL | 2.3 V | 256 Mbit | - | - | 166 MHz | SYNCHRONOUS | - | 166 MHz | 30 mA | - | FLASH | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | Sectored | 8 bit | 32 M x 8 | - | 1.2 mm | 8 | 40µs, 800µs | - | 256 Mbit | - | 268435456 bit | Extended | - | SERIAL | - | - | - | FLASH | 2.3, 3.6 V | - | Yes | - | - | - | - | - | 32M x 8 | - | 8 mm | 6 mm | - | - | ||
| IS25LP256D-JHLE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипIS43DR16640B-3DBIAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
DRAM 1G (64Mx16) 333MHz DDR2 1.8v
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Surface Mount | 84-TFBGA | YES | 84 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tray | - | - | - | Last Time Buy | 3 (168 Hours) | 84 | EAR99 | - | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.32 | - | 1.7V~1.9V | BOTTOM | - | NOT SPECIFIED | 1 | 1.8V | 0.8mm | - | NOT SPECIFIED | - | - | Not Qualified | 1.8V | 1.9V | - | - | 1.7V | 1Gb 64M x 16 | 1 | - | - | SYNCHRONOUS | - | 333MHz | - | 450ps | DRAM | Parallel | - | 16b | 64MX16 | 3-STATE | - | 16 | 15ns | - | 1 Gb | 0.015A | - | - | - | - | COMMON | - | - | - | - | - | - | 8192 | 48 | 48 | - | - | - | 1.2mm | 12.5mm | - | - | Non-RoHS Compliant | ||
| IS43DR16640B-3DBI | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS61LPD51236A-200TQLIAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP
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| Min.:1 Mult.:1 | 12 Weeks | - | - | Surface Mount | 100-LQFP | YES | 100 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Industrial grade | -40°C~85°C TA | Tray | - | e3 | yes | Active | 2 (1 Year) | 100 | 3A991.B.2.A | Matte Tin (Sn) - annealed | PIPELINED ARCHITECTURE | - | - | 3.135V~3.465V | QUAD | - | 260 | 1 | 3.3V | 0.65mm | - | 40 | 100 | - | - | 3.3V | - | - | - | 3.135V | 18Mb 512K x 36 | 4 | 475mA | - | - | - | 200MHz | - | 3.1ns | SRAM | Parallel | - | - | 512KX36 | 3-STATE | - | 36 | - | 19b | 18 Mb | 0.075A | - | - | - | - | COMMON | Synchronous | 36b | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.6mm | 20mm | - | No | ROHS3 Compliant | ||
| IS61LPD51236A-200TQLI | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS61QDPB42M36A-500B4LIAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 72M-Bit 2M x 36 0.45ns 165-Pin LFBGA
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| Min.:1 Mult.:1 | 12 Weeks | - | - | Surface Mount | 165-LBGA | YES | 165 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Industrial grade | -40°C~85°C TA | Tray | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | 165 | 3A991.B.2.A | - | PIPELINED ARCHITECTURE | 8542.32.00.41 | - | 1.71V~1.89V | BOTTOM | - | - | 1 | 1.8V | 1mm | - | - | 165 | - | Not Qualified | - | 1.89V | 1.8V | - | 1.71V | 72Mb 2M x 36 | - | - | - | - | - | 500MHz | - | 8.4ns | SRAM | Parallel | - | - | 2MX36 | 3-STATE | - | 36 | - | - | - | 0.36A | 75497472 bit | - | - | - | SEPARATE | - | - | - | - | 1.71V | - | - | - | - | - | - | - | 1.4mm | 15mm | 13mm | - | ROHS3 Compliant | ||
| IS61QDPB42M36A-500B4LI | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипIS43DR16320E-3DBLIAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA
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| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | - | - | Surface Mount | 84-TFBGA | YES | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tray | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | 84 | EAR99 | - | AUTO/SELF REFRESH | - | - | 1.7V~1.9V | BOTTOM | - | NOT SPECIFIED | 1 | 1.8V | 0.8mm | - | NOT SPECIFIED | - | R-PBGA-B84 | - | - | 1.9V | - | - | 1.7V | 512Mb 32M x 16 | 1 | - | - | SYNCHRONOUS | - | 333MHz | - | 450ns | DRAM | Parallel | - | - | 32MX16 | - | - | 16 | 15ns | - | - | - | 536870912 bit | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.2mm | 10.5mm | 8mm | - | ROHS3 Compliant | ||
| IS43DR16320E-3DBLI | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS43TR16512B-125KBLAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA
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| Min.:1 Mult.:1 | 12 Weeks | - | - | Surface Mount | 96-TFBGA | YES | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0°C~95°C TC | Tray | - | e1 | - | Active | 3 (168 Hours) | 96 | EAR99 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | AUTO/SELF REFRESH | - | - | 1.425V~1.575V | BOTTOM | - | 260 | 1 | 1.5V | 0.8mm | - | 10 | - | R-PBGA-B96 | - | - | 1.575V | - | - | 1.425V | 8Gb 512M x 16 | 1 | - | - | SYNCHRONOUS | - | 800MHz | - | 20ns | DRAM | Parallel | - | - | 512MX16 | - | - | 16 | - | - | - | - | 8589934592 bit | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.2mm | 14mm | 10mm | - | ROHS3 Compliant | ||
| IS43TR16512B-125KBL |
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