| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Factory Lead Time | Contact Plating | Mount | Mounting Type | Package / Case | Surface Mount | Number of Pins | Supplier Device Package | Number of Terminals | Manufacturer Package Identifier | Active Read Current - Max | Clock Frequency-Max (fCLK) | Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity | Ihs Manufacturer | Interface Type | Manufacturer Part Number | Maximum Clock Frequency | Maximum Operating Temperature | Memory Types | Mfr | Minimum Operating Temperature | Moisture Sensitive | Mounting Styles | Number of Words | Number of Words Code | Operating Temperature-Max | Operating Temperature-Min | Package | Package Body Material | Package Code | Package Description | Package Shape | Package Style | Part Life Cycle Code | Product Status | Reflow Temperature-Max (s) | Risk Rank | RoHS | Rohs Code | Supply Voltage-Max | Supply Voltage-Min | Supply Voltage-Nom (Vsup) | Timing Type | Unit Weight | Usage Level | Operating Temperature | Packaging | Series | JESD-609 Code | Pbfree Code | Part Status | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Number of Terminations | ECCN Code | Terminal Finish | Additional Feature | HTS Code | Technology | Voltage - Supply | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Number of Functions | Supply Voltage | Terminal Pitch | Reach Compliance Code | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | Pin Count | JESD-30 Code | Qualification Status | Operating Supply Voltage | Supply Voltage-Max (Vsup) | Power Supplies | Temperature Grade | Supply Voltage-Min (Vsup) | Interface | Memory Size | Number of Ports | Nominal Supply Current | Speed | Operating Mode | Max Supply Current | Clock Frequency | Supply Current-Max | Access Time | Memory Format | Memory Interface | Data Bus Width | Organization | Output Characteristics | Seated Height-Max | Memory Width | Write Cycle Time - Word, Page | Address Bus Width | Density | Standby Current-Max | Memory Density | Max Frequency | Access Time (Max) | Parallel/Serial | I/O Type | Sync/Async | Word Size | Memory IC Type | Programming Voltage | Standby Voltage-Min | Alternate Memory Width | Page Size | Refresh Cycles | Sequential Burst Length | Interleaved Burst Length | Reverse Pinout | Self Refresh | Memory Organization | Height | Height Seated (Max) | Length | Width | Radiation Hardening | REACH SVHC | RoHS Status | Lead Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. ТипIS42S16400J-7BLIAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
DRAM Chip SDRAM 64Mbit 4Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA
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| Min.:1 Mult.:1 | 6 Weeks | - | Surface Mount | Surface Mount | 54-TFBGA | - | 54 | - | - | TF-BGA-54-8000X8000DE | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Industrial grade | -40°C~85°C TA | Tray | - | e1 | - | Active | 3 (168 Hours) | 54 | EAR99 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | AUTO/SELF REFRESH | - | - | 3V~3.6V | BOTTOM | - | - | 1 | 3.3V | 0.8mm | - | - | 54 | - | - | 3.3V | 3.6V | - | - | 3V | - | 64Mb 4M x 16 | 1 | 70mA | - | - | - | 143MHz | - | 5.4ns | DRAM | Parallel | 16b | 4MX16 | 3-STATE | - | 16 | - | 14b | 64 Mb | - | - | - | - | - | COMMON | - | - | - | - | - | - | - | 4096 | 1248FP | 1248 | NO | YES | - | 1.2mm | - | 8mm | - | No | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| IS42S16400J-7BLI | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS61WV6416EEBLL-10TLIAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
1Mb, High-Speed/Low Power, Async with ECC, 64K x 16, 2.4V-3.6V (10ns), 44 Pin TSOP II, Leadfree
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| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | - | - | Surface Mount | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | YES | 44 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Industrial grade | -40°C~85°C TA | Tray | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | 44 | - | - | - | - | - | 2.4V~3.6V | DUAL | - | - | 1 | 3V | 0.8mm | - | - | - | - | Not Qualified | - | 3.6V | 2.5/3.3V | - | 2.4V | - | 1Mb 64K x 16 | - | - | - | - | - | - | - | - | SRAM | Parallel | - | 64KX16 | 3-STATE | - | 16 | 10ns | - | - | 0.004A | 1048576 bit | - | 10 ns | - | COMMON | - | - | - | - | 2V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.2mm | 18.41mm | 10.16mm | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| IS61WV6416EEBLL-10TLI | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS43R16320D-6BLIAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
DRAM Chip DDR SDRAM 512M-Bit 32Mx16 2.5V 60-Pin TFBGA
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| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | - | Surface Mount | Surface Mount | 60-TFBGA | - | 60 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tray | - | e1 | yes | Active | 3 (168 Hours) | 60 | EAR99 | TIN SILVER COPPER | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.28 | - | 2.3V~2.7V | BOTTOM | - | 260 | 1 | 2.5V | 1mm | - | 40 | 60 | - | - | 2.5V | 2.7V | - | - | 2.3V | - | 512Mb 32M x 16 | 1 | 370mA | - | - | - | 166MHz | - | 700ps | DRAM | Parallel | 16b | 32MX16 | 3-STATE | - | 16 | 15ns | 15b | 512 Mb | 0.025A | - | - | - | - | COMMON | - | - | - | - | - | - | - | 8192 | 248 | 248 | - | - | - | - | 1.2mm | 13mm | - | No | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| IS43R16320D-6BLI | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS61LPS25636A-200TQLIAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) IS61LPS25636A-200TQLI SRAM, 9MBIT, PARALLEL, 3.1NS TQFP100
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| Min.:1 Mult.:1 | 12 Weeks | - | - | Surface Mount | 100-LQFP | YES | 100 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Industrial grade | -40°C~85°C TA | Tray | - | e3 | yes | Active | 3 (168 Hours) | 100 | 3A991.B.2.A | Matte Tin (Sn) - annealed | PIPELINED ARCHITECTURE | - | - | 3.135V~3.465V | QUAD | - | 260 | 1 | 3.3V | 0.65mm | - | 10 | 100 | - | - | 3.3V | - | - | - | 3.135V | - | 9Mb 256K x 36 | 4 | 275mA | - | - | - | 200MHz | - | 3.1ns | SRAM | Parallel | - | 256KX36 | 3-STATE | - | 36 | - | 18b | 9 Mb | 0.105A | - | - | - | - | COMMON | Synchronous | 36b | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.6mm | 20mm | - | No | No SVHC | ROHS3 Compliant | - | ||
| IS61LPS25636A-200TQLI | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS43R16800E-6TLAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
DRAM Chip DDR SDRAM 128M-Bit 8Mx16 2.5V 66-Pin TSOP-II
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| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | - | Surface Mount | Surface Mount | 66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width) | - | 66 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0°C~70°C TA | Tray | - | e3 | - | Active | 3 (168 Hours) | 66 | - | Tin (Sn) | AUTO/SELF REFRESH | - | - | 2.3V~2.7V | DUAL | - | - | 1 | 2.5V | 0.65mm | - | - | - | - | - | 2.5V | 2.7V | - | - | 2.3V | - | 128Mb 8M x 16 | 1 | 220mA | - | - | - | 166MHz | - | 700ps | DRAM | Parallel | 16b | 8MX16 | 3-STATE | - | 16 | 12ns | 14b | 128 Mb | 0.003A | - | - | - | - | COMMON | - | - | - | - | - | - | - | 4096 | 248 | 248 | - | - | - | - | 1.2mm | 22.22mm | - | No | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| IS43R16800E-6TL | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS61WV6416DBLL-10BLIAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 1M-bit 64K x 16 10ns 48-Pin Mini-FBGA
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| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | - | - | Surface Mount | 48-TFBGA | YES | 48 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tray | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | 48 | - | - | - | - | - | 2.4V~3.6V | BOTTOM | - | - | 1 | 3V | 0.75mm | - | - | 48 | - | Not Qualified | - | 3.6V | 2.5/3.3V | - | 2.4V | - | 1Mb 64K x 16 | 1 | 55mA | - | - | - | - | - | - | SRAM | Parallel | - | - | 3-STATE | - | 16 | 10ns | 16b | 1 Mb | 0.000055A | - | - | - | - | COMMON | Asynchronous | 16b | - | - | 2V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 8mm | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| IS61WV6416DBLL-10BLI | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипIS64LV25616AL-12TLA3Anlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 12ns Automotive 44-Pin TSOP-II
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| Min.:1 Mult.:1 | 12 Weeks | - | Surface Mount | Surface Mount | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | - | 44 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Automotive grade | -40°C~125°C TA | Tray | - | e3 | yes | Active | 2 (1 Year) | 44 | - | Matte Tin (Sn) - annealed | - | - | - | 3.135V~3.6V | DUAL | - | 260 | 1 | 3.3V | 0.8mm | - | 40 | 44 | - | Not Qualified | 3.3V | 3.63V | - | - | - | - | 4Mb 256K x 16 | 1 | 120mA | - | - | - | - | - | - | SRAM | Parallel | - | - | 3-STATE | - | 16 | 12ns | 18b | 4 Mb | 0.02A | - | - | - | - | COMMON | Asynchronous | 16b | - | - | 2V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| IS64LV25616AL-12TLA3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS25WQ040-JNLEAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOP
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| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | - | Surface Mount | Surface Mount | 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | - | 8 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~105°C TA | Tube | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | 8 | - | - | - | - | - | 1.65V~1.95V | DUAL | - | NOT SPECIFIED | 1 | 1.8V | 1.27mm | - | NOT SPECIFIED | - | - | - | 1.8V | 1.95V | - | - | 1.65V | SPI, Serial | 4Mb 512K x 8 | - | - | - | SYNCHRONOUS | - | 104MHz | - | 8 ns | FLASH | SPI | - | 4MX1 | - | - | 1 | 1ms | 20b | 32 Mb | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 256B | - | - | - | - | - | - | - | 1.75mm | 4.9mm | - | - | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| IS25WQ040-JNLE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS42S16400J-7TLAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP
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| Min.:1 Mult.:1 | 6 Weeks | Tin | Surface Mount | Surface Mount | 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | - | 54 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Commercial grade | 0°C~70°C TA | Tray | - | e3 | - | Active | 3 (168 Hours) | 54 | EAR99 | - | AUTO/SELF REFRESH | - | - | 3V~3.6V | DUAL | - | - | 1 | 3.3V | 0.8mm | - | - | 54 | - | - | 3.3V | 3.6V | - | - | 3V | - | 64Mb 4M x 16 | 1 | 90mA | - | - | 90mA | 143MHz | - | 5.4ns | DRAM | Parallel | 16b | 4MX16 | 3-STATE | - | 16 | - | 14b | 64 Mb | - | - | - | - | - | COMMON | - | - | - | - | - | - | - | 4096 | 1248FP | 1248 | NO | YES | - | - | 1.2mm | 22.22mm | - | No | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| IS42S16400J-7TL | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипIS42S16320F-7TLAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC SDRAM 512MBIT 143MHZ 54TSOP
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 6 Weeks | - | - | Surface Mount | 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | YES | 54 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Commercial grade | 0°C~70°C TA | Tray | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | 54 | EAR99 | - | PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH | - | - | 3V~3.6V | DUAL | - | - | 1 | 3.3V | 0.8mm | - | - | - | - | Not Qualified | - | 3.6V | 3.3V | - | 3V | - | 512Mb 32M x 16 | 1 | 110mA | - | SYNCHRONOUS | - | 143MHz | - | 5.4ns | DRAM | Parallel | - | 32MX16 | 3-STATE | - | 16 | - | - | - | 0.004A | 536870912 bit | - | - | - | COMMON | - | - | - | - | - | - | - | 8192 | 1248FP | 1248 | - | - | - | - | 1.2mm | 22.22mm | 10.16mm | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| IS42S16320F-7TL | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS25LP080D-JULE-TRAnlielectronics Тип | Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) |
NOR Flash 8Mb QSPI, 8-pin USON 2x3mm, RoHS, T&R
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| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | Surface Mount | USON-8 | YES | - | 8-USON (2x3) | 8 | - | 25 mA | 133 MHz | 5000 | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC | QPI, SPI | IS25LP080D-JULE-TR | 133 MHz | + 105 C | Non-Volatile | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - 40 C | Yes | SMD/SMT | 1048576 words | 1000000 | 105 °C | -40 °C | Tape & Reel (TR) | PLASTIC/EPOXY | HVSON | HVSON, | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE | Active | Active | NOT SPECIFIED | 1.73 | Details | Yes | 3.6 V | 2.3 V | 3 V | Synchronous | 0.017375 oz | - | -40 to 105 °C | MouseReel | IS25LP080D | - | - | - | - | - | - | - | - | - | FLASH - NOR (SLC) | 2.3V ~ 3.6V | DUAL | NO LEAD | NOT SPECIFIED | 1 | - | 0.5 mm | compliant | - | - | R-PDSO-N8 | - | - | 3.6 V | - | INDUSTRIAL | 2.3 V | - | 8 Mbit | - | - | 133 MHz | SYNCHRONOUS | - | 133 MHz | 25 mA | 7 ns | FLASH | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 8 bit | 1 M x 8 | - | 0.6 mm | 8 | 40µs, 800µs | - | - | - | 8388608 bit | - | - | SERIAL | - | - | - | FLASH | 3 V | - | - | - | - | - | - | - | - | 1M x 8 | - | - | 3 mm | 2 mm | - | - | - | - | ||
| IS25LP080D-JULE-TR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS43DR16640C-3DBLIAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA
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| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | Copper, Silver, Tin | Surface Mount | Surface Mount | 84-TFBGA | - | 84 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Industrial grade | -40°C~85°C TA | Tray | - | e1 | - | Active | 3 (168 Hours) | 84 | EAR99 | TIN SILVER COPPER | AUTO/SELF REFRESH | - | - | 1.7V~1.9V | BOTTOM | - | 260 | 1 | 1.8V | 0.8mm | - | 10 | - | - | Not Qualified | 1.8V | 1.9V | - | - | 1.7V | - | 1Gb 64M x 16 | 1 | - | - | SYNCHRONOUS | - | - | - | 450ps | DRAM | Parallel | 16b | 64MX16 | 3-STATE | - | 16 | 15ns | 13b | 1 Gb | 0.025A | - | 333MHz | - | - | COMMON | - | - | - | - | - | - | - | 8192 | 48 | 48 | - | - | - | - | 1.2mm | 12.5mm | - | - | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| IS43DR16640C-3DBLI | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипIS62WV6416BLL-55BLIAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC SRAM 1M PARALLEL 48MINIBGA
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | - | Surface Mount | Surface Mount | 48-TFBGA | - | 48 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Industrial grade | -40°C~85°C TA | Tray | - | e1 | yes | Active | 2 (1 Year) | 48 | EAR99 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | - | - | - | 2.5V~3.6V | BOTTOM | - | 260 | 1 | 3V | 0.75mm | - | 40 | 48 | - | - | 3.3V | 3.6V | - | - | 2.5V | - | 1Mb 64K x 16 | 1 | 5mA | - | - | - | - | - | - | SRAM | Parallel | - | - | 3-STATE | - | - | 55ns | 16b | 1 Mb | 0.000005A | - | - | 55 ns | - | COMMON | Asynchronous | 16b | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 600μm | - | 8mm | 6mm | No | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| IS62WV6416BLL-55BLI | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS25LQ020B-JNLEAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8SOIC
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | - | Surface Mount | Surface Mount | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | - | 8 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~105°C TA | Tube | - | e3 | - | Active | 3 (168 Hours) | 8 | - | Tin (Sn) | - | - | - | 2.3V~3.6V | DUAL | - | - | 1 | 3V | 1.27mm | - | - | - | - | - | 3.3V | 3.6V | - | - | 2.3V | SPI, Serial | 2Mb 256K x 8 | - | - | - | SYNCHRONOUS | - | 104MHz | - | 8 ns | FLASH | SPI - Quad I/O | - | 2MX1 | - | - | 1 | 800μs | 24b | 2 Mb | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 3V | - | - | 256B | - | - | - | - | - | - | - | 1.75mm | 4.9mm | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| IS25LQ020B-JNLE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS63LV1024L-10JLIAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | Surface Mount | 32-BSOJ (0.300, 7.62mm Width) | - | 32 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tube | - | e3 | yes | Last Time Buy | 2 (1 Year) | 32 | - | Matte Tin (Sn) - annealed | - | - | - | 3.15V~3.45V | DUAL | - | 260 | 1 | 3.3V | - | - | 40 | 32 | - | - | 3.3V | 3.45V | - | - | - | - | 1Mb 128K x 8 | 1 | 160mA | - | - | - | - | - | - | SRAM | Parallel | - | - | 3-STATE | - | 8 | 10ns | 17b | 1 Mb | - | - | - | - | - | COMMON | Asynchronous | 8b | - | - | 2V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 3.56mm | 20.955mm | - | No | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| IS63LV1024L-10JLI | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипIS64WV51216BLL-10CTLA3-TRAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II
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| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | - | - | Surface Mount | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | - | 44 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Automotive grade | -40°C~125°C TA | Tape & Reel (TR) | - | - | - | Active | 2 (1 Year) | - | - | - | - | - | - | 2.4V~3.6V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 8Mb 512K x 16 | 1 | 140mA | - | - | - | - | - | - | SRAM | Parallel | - | - | - | - | - | 10ns | 19b | 8 Mb | - | - | - | - | - | - | Asynchronous | 16b | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | No | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| IS64WV51216BLL-10CTLA3-TR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипIS63WV1288DBLL-10HLI-TRAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I
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| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | - | - | Surface Mount | 32-LFSOP (0.465, 11.80mm Width) | YES | 32 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | 32 | - | - | - | - | - | 2.4V~3.6V | DUAL | - | - | - | - | 0.5mm | - | - | - | - | Not Qualified | - | - | 2.5/3.3V | - | - | - | 1Mb 128K x 8 | - | - | - | - | - | - | - | - | SRAM | Parallel | - | 128KX8 | 3-STATE | - | 8 | 10ns | - | - | 0.000055A | 1048576 bit | - | 10 ns | - | COMMON | - | - | - | - | 2V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| IS63WV1288DBLL-10HLI-TR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипIS25LP080D-JBLEAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC FLASH 8M SPI 133MHZ 8SOIC
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| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | - | - | Surface Mount | 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | YES | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~105°C TA | Bulk | - | e3 | - | Active | 3 (168 Hours) | 8 | - | Tin (Sn) | - | - | - | 2.3V~3.6V | DUAL | - | NOT SPECIFIED | 1 | 3V | 1.27mm | - | NOT SPECIFIED | - | S-PDSO-G8 | - | - | 3.6V | - | - | 2.3V | - | 8Mb 1M x 8 | - | - | - | SYNCHRONOUS | - | 133MHz | - | - | FLASH | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | - | 1MX8 | - | - | 8 | 800μs | - | - | - | 8388608 bit | - | - | SERIAL | - | - | - | - | 3V | - | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.16mm | 5.28mm | 5.28mm | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| IS25LP080D-JBLE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипIS25LQ010B-JNLEAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 2.5V/3V/3.3V 1M-bit 128K x 8 8ns 8-Pin SOIC N
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| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | - | - | Surface Mount | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | 8 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~105°C TA | Bulk | - | e3 | - | Active | 3 (168 Hours) | 8 | - | Tin (Sn) | - | - | - | 2.3V~3.6V | DUAL | - | - | 1 | 3V | 1.27mm | - | - | - | - | - | - | 3.6V | - | - | 2.3V | SPI, Serial | 1Mb 128K x 8 | - | - | - | SYNCHRONOUS | - | 104MHz | - | - | FLASH | SPI - Quad I/O | - | 1MX1 | - | - | 1 | 800μs | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 3V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| IS25LQ010B-JNLE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипIS61WV25616BLL-10BLI-TRAnlielectronics Тип | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
IC SRAM 4M PARALLEL 48MINIBGA
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| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | - | - | Surface Mount | 48-TFBGA | YES | 48 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Industrial grade | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | - | - | - | Active | 2 (1 Year) | 48 | - | - | - | - | - | 2.4V~3.6V | BOTTOM | - | - | - | - | 0.75mm | - | - | - | - | - | - | - | 2.5/3.3V | - | - | - | 4Mb 256K x 16 | 1 | 45mA | - | - | - | - | - | - | SRAM | Parallel | - | - | 3-STATE | - | 16 | 10ns | 18b | 4 Mb | 0.009A | - | - | - | - | COMMON | Asynchronous | 16b | - | - | 2V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | No | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| IS61WV25616BLL-10BLI-TR |
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