| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Factory Lead Time | Mount | Package / Case | Surface Mount | Number of Pins | Memory Types | RoHS | Published | Pbfree Code | Part Status | Number of Terminations | Max Operating Temperature | Min Operating Temperature | Terminal Position | Terminal Form | Number of Functions | Supply Voltage | Terminal Pitch | Reach Compliance Code | Frequency | Pin Count | JESD-30 Code | Operating Supply Voltage | Supply Voltage-Max (Vsup) | Temperature Grade | Supply Voltage-Min (Vsup) | Interface | Max Supply Voltage | Min Supply Voltage | Memory Size | Nominal Supply Current | Operating Mode | Access Time | Data Bus Width | Organization | Memory Width | Address Bus Width | Density | Memory Density | Sync/Async | Word Size | Programming Voltage | Page Size | Height Seated (Max) | Length | Width | Radiation Hardening | RoHS Status |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. ТипTC58FVT641FT-10Anlielectronics Тип | Toshiba |
IC 4M X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48, Programmable ROM
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| Min.:1 Mult.:1 | - | Surface Mount | - | - | 48 | NOR | Compliant | - | - | - | - | 85 °C | -40 °C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Parallel | 3.6 V | 2.7 V | - | 30 mA | - | 100 ns | - | - | - | - | 64 Mb | - | Asynchronous | - | - | - | - | - | - | No | - | ||
| TC58FVT641FT-10 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипTC58NVG1S3ETAI0BBHAnlielectronics Тип | Toshiba |
-
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | Compliant | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| TC58NVG1S3ETAI0BBH | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипTC58BVG1S3HTAI0Anlielectronics Тип | Toshiba |
TC58BVG1S3HTAI0 NAND Flash Memory, 2Gbit, 40s, 2.73.6 V 48-Pin TSOP
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| Min.:1 Mult.:1 | - | Surface Mount | TFSOP | - | 48 | EEPROM, NAND | - | 2013 | - | Active | - | 85°C | -40°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Parallel | 3.6V | 2.7V | 256MB | - | - | 40 μs | 8b | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 20mm | 12mm | - | RoHS Compliant | ||
| TC58BVG1S3HTAI0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипTC58NVG0S3HBAI4Anlielectronics Тип | Toshiba |
IC EEPROM 1GBIT 25NS 63TFBGA
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Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 131 Weeks | - | TFBGA | YES | 63 | EEPROM, NAND | - | 2012 | - | Active | 63 | 85°C | -40°C | BOTTOM | BALL | 1 | 3.3V | 0.8mm | - | - | 63 | - | - | 3.6V | INDUSTRIAL | 2.7V | Parallel | - | - | - | - | ASYNCHRONOUS | - | - | 128MX8 | 8 | - | - | 1073741824 bit | - | - | 3.3V | - | 1mm | 11mm | 9mm | - | RoHS Compliant | ||
| TC58NVG0S3HBAI4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипTC58NVG1S3HTA00Anlielectronics Тип | Toshiba |
NAND Flash Serial 3.3V 2Gbit 256M x 8bit
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 12 Weeks | Surface Mount | TFSOP | - | - | EEPROM, NAND | - | 2013 | - | Active | - | 70°C | 0°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 3.3V | - | - | - | Parallel, Serial | 3.6V | 2.7V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | RoHS Compliant | ||
| TC58NVG1S3HTA00 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипTC58BYG2S0HBAI6Anlielectronics Тип | Toshiba |
IC EEPROM 4GBIT 25NS 67VFBGA
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | BGA | YES | 67 | EEPROM, NAND | - | 2013 | - | Active | 67 | 85°C | -40°C | BOTTOM | BALL | 1 | 1.8V | 0.8mm | - | - | 67 | - | - | 1.95V | INDUSTRIAL | 1.7V | Parallel | - | - | - | - | ASYNCHRONOUS | - | - | 512MX8 | 8 | - | - | - | - | - | 1.8V | - | 1mm | 8mm | 6.5mm | - | RoHS Compliant | ||
| TC58BYG2S0HBAI6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипTC58BYG0S3HBAI6Anlielectronics Тип | Toshiba |
SLC NAND Flash Serial 1.8V 1Gbit 128M x 8Bit 67-Pin VFBGA
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | Surface Mount | - | - | 67 | EEPROM, NAND, SLC NAND | - | 2012 | - | Active | 67 | 85°C | -40°C | BOTTOM | BALL | 1 | 1.8V | 0.8mm | - | - | - | - | 1.8V | - | INDUSTRIAL | - | Parallel, Serial | 1.95V | 1.7V | - | - | - | - | - | 128MX8 | 8 | - | 1 Gb | - | - | - | - | 2kB | 1mm | 8mm | 6.5mm | No | RoHS Compliant | ||
| TC58BYG0S3HBAI6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипTC58CVG0S3HRAIGAnlielectronics Тип | Toshiba |
IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 14 Weeks | - | - | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Non-RoHS Compliant | ||
| TC58CVG0S3HRAIG | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипTC58NVG1S3HBAI4Anlielectronics Тип | Toshiba |
SLC NAND Flash 3.3V 2G-bit 63-Pin FBGA
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 131 Weeks | - | TFBGA | YES | 63 | EEPROM, NAND | - | 2013 | - | Active | 63 | 85°C | -40°C | BOTTOM | BALL | 1 | 3.3V | 0.8mm | - | - | 63 | - | - | 3.6V | INDUSTRIAL | 2.7V | Parallel | - | - | - | - | ASYNCHRONOUS | - | - | 256MX8 | 8 | - | - | 2147483648 bit | - | - | 3.3V | - | 1mm | 11mm | 9mm | - | RoHS Compliant | ||
| TC58NVG1S3HBAI4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипTC58NVG2S0HBAI4Anlielectronics Тип | Toshiba |
IC EEPROM 4GBIT 25NS 63TFBGA
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Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 4 Weeks | - | TFBGA | YES | 63 | EEPROM, NAND | - | 2005 | - | Active | 63 | 85°C | -40°C | BOTTOM | BALL | 1 | 3.3V | 0.8mm | - | - | 63 | - | - | 3.6V | INDUSTRIAL | 2.7V | Parallel | - | - | - | - | ASYNCHRONOUS | - | - | 512MX8 | 8 | - | - | 4294967296 bit | - | - | 3.3V | - | 1mm | 11mm | 9mm | - | RoHS Compliant | ||
| TC58NVG2S0HBAI4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипTH58BYG2S3HBAI6Anlielectronics Тип | Toshiba |
EEPROM 1.8V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | BGA | - | 67 | EEPROM, NAND | - | - | - | - | - | 85°C | -40°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Parallel | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.8V | - | - | - | - | - | RoHS Compliant | ||
| TH58BYG2S3HBAI6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипTH58NVG3S0HTA00Anlielectronics Тип | Toshiba |
IC EEPROM 8GBIT 25NS 48TSOP
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | TFSOP | - | - | EEPROM, NAND | - | 2014 | - | Active | - | 70°C | 0°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Parallel, Serial | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | RoHS Compliant | ||
| TH58NVG3S0HTA00 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипTC58NVG2S0HBAI6Anlielectronics Тип | Toshiba |
NAND Flash Serial 3.3V 4G-bit 512M x 8 67-Pin VFBGA
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | Surface Mount | - | - | 67 | EEPROM, NAND | - | 2013 | - | Active | 67 | 85°C | -40°C | BOTTOM | BALL | 1 | 3.3V | 0.8mm | - | - | 67 | - | 3.3V | - | INDUSTRIAL | - | Parallel, Serial | 3.6V | 2.7V | - | - | ASYNCHRONOUS | 25 ns | - | 512MX8 | 8 | - | - | - | - | - | - | - | 1mm | 8mm | 6.5mm | - | RoHS Compliant | ||
| TC58NVG2S0HBAI6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипTC58BVG0S3HBAI4Anlielectronics Тип | Toshiba |
IC EEPROM 1GBIT 25NS 63FBGA
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 131 Weeks | Surface Mount | TFBGA | - | 63 | EEPROM, NAND | - | 2012 | - | Active | 63 | 85°C | -40°C | BOTTOM | BALL | 1 | 3.3V | 0.8mm | - | - | - | - | - | - | INDUSTRIAL | - | Parallel | 3.6V | 2.7V | 128MB | - | ASYNCHRONOUS | 120 μs | 8b | 128MX8 | - | - | - | 1073741824 bit | - | - | 3.3V | - | - | 11mm | 9mm | - | RoHS Compliant | ||
| TC58BVG0S3HBAI4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипTH58NVG3S0HTAI0Anlielectronics Тип | Toshiba |
IC EEPROM 8GBIT 25NS 48TSOP
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 145 Weeks | - | TFSOP | - | - | EEPROM, NAND | - | 2013 | - | Active | - | 85°C | -40°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Parallel, Serial | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | RoHS Compliant | ||
| TH58NVG3S0HTAI0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипTC58NVG1S3ETA00Anlielectronics Тип | Toshiba |
Flash Mem Serial 3.3V 2G-Bit 256M x 8 30us 48-Pin TSOP-I
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 12 Weeks | Surface Mount | TFSOP | - | 48 | EEPROM, NAND, SLC NAND | - | 2012 | - | - | - | 70°C | 0°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 3.3V | - | - | - | Serial | 3.6V | 2.7V | - | 30mA | - | 30 μs | - | - | - | 1b | 2 Gb | - | Asynchronous | 8b | - | 2kB | - | - | - | No | RoHS Compliant | ||
| TC58NVG1S3ETA00 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипTHGBMHG8C2LBAILAnlielectronics Тип | Toshiba |
IC FLASH 256GBIT 52MHZ 153WFBGA
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | YES | - | FLASH, NAND | - | 2016 | yes | Active | 153 | 85°C | -25°C | BOTTOM | BALL | 1 | - | - | - | 52MHz | - | R-PBGA-B153 | - | - | OTHER | - | MMC | - | - | - | - | - | - | - | 32GX8 | 8 | - | - | 274877906944 bit | - | - | - | - | - | - | - | - | RoHS Compliant | ||
| THGBMHG8C2LBAIL | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипTC58BVG2S0HTA00Anlielectronics Тип | Toshiba |
IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 16 Weeks | Surface Mount | TFSOP | - | - | EEPROM, NAND | - | 2013 | - | Active | 48 | 70°C | 0°C | DUAL | GULL WING | 1 | 3.3V | 0.5mm | - | - | 48 | R-PDSO-G48 | 3.3V | - | COMMERCIAL | - | Parallel, Serial | 3.6V | 2.7V | - | - | ASYNCHRONOUS | 25 ns | - | 512MX8 | 8 | - | - | 4294967296 bit | - | - | - | - | 1.2mm | 18.4mm | 12mm | - | RoHS Compliant | ||
| TC58BVG2S0HTA00 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипTH58BVG2S3HTAI0Anlielectronics Тип | Toshiba |
IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 16 Weeks | - | TFSOP | - | - | EEPROM, NAND | - | 2013 | yes | Active | - | 85°C | -40°C | - | - | - | - | - | unknown | - | - | - | - | - | - | - | Parallel | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | RoHS Compliant | ||
| TH58BVG2S3HTAI0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипTH58NVG2S3HTA00Anlielectronics Тип | Toshiba |
IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | TFSOP | - | - | EEPROM, NAND | - | 2013 | yes | Active | - | 70°C | 0°C | - | - | - | - | - | unknown | - | - | - | - | - | - | - | Parallel, Serial | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | RoHS Compliant | ||
| TH58NVG2S3HTA00 |
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