| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Factory Lead Time | Contact Plating | Mount | Mounting Type | Package / Case | Surface Mount | Number of Pins | Supplier Device Package | Number of Terminals | Access Time-Max | Clock Frequency-Max (fCLK) | Ihs Manufacturer | Manufacturer | Manufacturer Part Number | Memory Types | Number of Words | Number of Words Code | Operating Temperature-Max | Package Body Material | Package Code | Package Description | Package Equivalence Code | Package Shape | Package Style | Part Life Cycle Code | Part Package Code | Reflow Temperature-Max (s) | Risk Rank | Rohs Code | Supply Voltage-Nom (Vsup) | Usage Level | Operating Temperature | Packaging | Published | Series | JESD-609 Code | Pbfree Code | Part Status | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Number of Terminations | ECCN Code | Terminal Finish | Max Operating Temperature | Min Operating Temperature | Additional Feature | HTS Code | Subcategory | Technology | Voltage - Supply | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Number of Functions | Supply Voltage | Terminal Pitch | Reach Compliance Code | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | Base Part Number | Pin Count | JESD-30 Code | Qualification Status | Operating Supply Voltage | Supply Voltage-Max (Vsup) | Power Supplies | Temperature Grade | Supply Voltage-Min (Vsup) | Voltage | Interface | Max Supply Voltage | Min Supply Voltage | Memory Size | Number of Ports | Nominal Supply Current | Operating Mode | Clock Frequency | Supply Current-Max | Access Time | Memory Format | Memory Interface | Organization | Output Characteristics | Seated Height-Max | Memory Width | Write Cycle Time - Word, Page | Address Bus Width | Density | Standby Current-Max | Memory Density | Max Frequency | Screening Level | Access Time (Max) | I/O Type | Sync/Async | Word Size | Memory IC Type | Programming Voltage | Serial Bus Type | Endurance | Data Retention Time-Min | Write Protection | Alternate Memory Width | Data Polling | Toggle Bit | Command User Interface | Number of Sectors/Size | Sector Size | Page Size | Ready/Busy | Boot Block | Refresh Cycles | Common Flash Interface | Sequential Burst Length | Interleaved Burst Length | Access Mode | Self Refresh | Height | Height Seated (Max) | Length | Width | Radiation Hardening | REACH SVHC | RoHS Status |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. ТипN25Q032A13ESF40GAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC FLASH 32M SPI 108MHZ 16SOP2
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Surface Mount | 16-SOIC (0.295, 7.50mm Width) | YES | 16 | - | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tray | 2015 | - | - | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 16 | - | - | - | - | ALSO CAN BE ORGANISED AS 32M X 1 | - | - | - | 2.7V~3.6V | DUAL | - | 260 | 1 | 3V | 1.27mm | - | 30 | N25Q032 | - | - | - | - | - | 3/3.3V | - | - | 2.7V | SPI, Serial | - | - | 32Mb 8M x 4 | - | 20mA | - | 108MHz | - | 7 ns | FLASH | SPI | 8MX4 | - | - | 4 | 8ms, 5ms | 22b | 32 Mb | 0.0001A | - | - | - | - | - | Synchronous | 8b | - | - | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | 2 | - | - | - | - | - | 256B | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.65mm | 10.3mm | - | No | - | ROHS3 Compliant | ||
| N25Q032A13ESF40G | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMT48LC8M16A2TG-7E:GAnlielectronics Тип | Micron |
Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | YES | - | - | 54 | 5.4 ns | 143 MHz | MICRON TECHNOLOGY INC | Micron Technology Inc | MT48LC8M16A2TG-7E:G | - | 8388608 words | 8000000 | 70 °C | PLASTIC/EPOXY | TSOP2 | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54 | TSOP54,.46,32 | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | Obsolete | TSOP2 | 30 | 8.49 | No | 3.3 V | - | - | - | - | - | e0 | - | - | - | - | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | - | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.02 | DRAMs | CMOS | - | DUAL | GULL WING | 235 | 1 | - | 0.8 mm | unknown | - | - | 54 | R-PDSO-G54 | Not Qualified | 3.3 V | 3.6 V | 3.3 V | COMMERCIAL | 3 V | - | - | - | - | - | 1 | - | SYNCHRONOUS | - | 0.33 mA | - | - | - | 8MX16 | 3-STATE | 1.2 mm | 16 | - | - | - | 0.002 A | 134217728 bit | - | - | - | COMMON | - | - | SYNCHRONOUS DRAM | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 4096 | - | 1,2,4,8,FP | 1,2,4,8 | FOUR BANK PAGE BURST | YES | - | - | 22.22 mm | 10.16 mm | - | - | - | ||
| MT48LC8M16A2TG-7E:G | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипN25Q128A11E1240EAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC FLASH 128M SPI 24TPBGA
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Surface Mount | 24-TBGA | YES | 24 | - | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tray | 2014 | - | e1 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 24 | - | TIN SILVER COPPER | - | - | - | - | - | - | 1.7V~2V | BOTTOM | - | 260 | 1 | 1.8V | 1mm | - | 30 | N25Q128 | - | - | - | 1.8V | - | - | - | - | 1.7V | SPI, Serial | - | - | 128Mb 32M x 4 | - | 20mA | - | 108MHz | - | 7 ns | FLASH | SPI | 128MX1 | - | - | 1 | 8ms, 5ms | 1b | 128 Mb | 0.00001A | - | - | - | - | - | Synchronous | 8b | - | - | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | - | - | - | - | - | - | 256B | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.2mm | 8mm | - | No | - | ROHS3 Compliant | ||
| N25Q128A11E1240E | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипPC28F00AP30TFAAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC FLASH 1G PARALLEL 64EASYBGA
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 5 Weeks | Copper, Silver, Tin | - | Surface Mount | 64-TBGA | YES | 64 | - | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tray | 2015 | Axcell™ | e1 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 64 | 3A991.B.1.A | TIN SILVER COPPER | - | - | TOP BOOT | 8542.32.00.51 | - | - | 1.7V~2V | BOTTOM | - | 260 | 1 | 1.8V | 1mm | - | 30 | 28F00AP30 | 64 | - | - | 1.8V | - | 1.81.8/3.3V | - | - | 1.7V | Parallel, Serial | - | - | 1Gb 64M x 16 | - | 31mA | - | 52MHz | - | - | FLASH | Parallel | - | - | - | 16 | 100ns | 26b | 1 Gb | 0.00024A | - | - | - | 100 ns | - | Asynchronous | 16b | - | - | - | - | - | - | - | NO | NO | - | 41023 | - | 16words | - | TOP | - | - | - | - | - | - | - | 1.2mm | 10mm | - | No | - | ROHS3 Compliant | ||
| PC28F00AP30TFA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипM29W640GB7AN6EAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Surface Mount | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | YES | 48 | - | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tray | 2015 | - | e3 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 48 | - | MATTE TIN | - | - | - | - | - | - | 2.7V~3.6V | DUAL | - | 260 | 1 | 3V | 0.5mm | - | 30 | M29W640 | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.7V | - | - | - | 64Mb 8M x 8 4M x 16 | - | - | ASYNCHRONOUS | - | - | - | FLASH | Parallel | 4MX16 | - | - | 16 | 70ns | - | - | - | 67108864 bit | - | - | 70 ns | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 8 | - | - | - | - | - | - | - | BOTTOM | - | - | - | - | - | - | - | 1.2mm | 18.4mm | 12mm | - | - | ROHS3 Compliant | ||
| M29W640GB7AN6E | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMT49H8M36FM-33Anlielectronics Тип | Micron |
DDR DRAM, 8MX36, 0.3ns, CMOS, PBGA144, MICRO, BGA-144
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | YES | - | - | 144 | 0.3 ns | 300 MHz | MICRON TECHNOLOGY INC | Micron Technology Inc | MT49H8M36FM-33 | - | 8388608 words | 8000000 | - | PLASTIC/EPOXY | BGA | MICRO, BGA-144 | BGA144,12X18,40/32 | RECTANGULAR | GRID ARRAY | Obsolete | BGA | 30 | 8.65 | No | 1.8 V | - | - | - | - | - | e0 | - | - | - | - | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | - | AUTO REFRESH | 8542.32.00.28 | DRAMs | CMOS | - | BOTTOM | BALL | 235 | 1 | - | 1 mm | unknown | - | - | 144 | R-PBGA-B144 | Not Qualified | - | 1.9 V | 1.5/1.8,1.8,2.5 V | - | 1.7 V | - | - | - | - | - | 1 | - | SYNCHRONOUS | - | - | - | - | - | 8MX36 | 3-STATE | 0.93 mm | 36 | - | - | - | - | 301989888 bit | - | - | - | COMMON | - | - | DDR DRAM | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2,4,8 | - | MULTI BANK PAGE BURST | - | - | - | 18.5 mm | 11 mm | - | - | - | ||
| MT49H8M36FM-33 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипJR28F064M29EWBAAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 64Mbit 8M/4M x 8bit/16bit 70ns 48-Pin TSOP Tray
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | Tin | - | Surface Mount | 48-TFSOP (0.173, 4.40mm Width) | YES | 48 | - | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tray | 2012 | - | e3 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 48 | 3A991.B.1.A | - | - | - | - | 8542.32.00.51 | - | - | 2.7V~3.6V | DUAL | - | 260 | 1 | 3V | 0.5mm | - | 30 | JR28F064 | - | - | - | - | - | 3/3.3V | - | - | 2.7V | - | - | - | 64Mb 8M x 8 4M x 16 | - | 25mA | - | - | - | - | FLASH | Parallel | 4MX16 | - | - | 16 | 70ns | - | 64 Mb | 0.00012A | - | - | - | 75 ns | - | Asynchronous | - | - | - | - | - | - | - | 8 | YES | YES | YES | 8127 | 8K64K | 8/16words | YES | BOTTOM | - | YES | - | - | - | - | - | 1.2mm | 18.4mm | 12mm | No | - | ROHS3 Compliant | ||
| JR28F064M29EWBA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMT48LC16M8A2BB-7E:GAnlielectronics Тип | Micron |
Synchronous DRAM, 16MX8, 5.4ns, CMOS, PBGA60, 8 X 16 MM, LEAD FREE, PLASTIC, FBGA-60
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | YES | - | - | 60 | 5.4 ns | 143 MHz | MICRON TECHNOLOGY INC | Micron Technology Inc | MT48LC16M8A2BB-7E:G | - | 16777216 words | 16000000 | 70 °C | PLASTIC/EPOXY | TFBGA | TFBGA, BGA60,8X15,32 | BGA60,8X15,32 | RECTANGULAR | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | Obsolete | BGA | 30 | 8.34 | Yes | 3.3 V | - | - | - | - | - | e1 | - | - | - | - | EAR99 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | - | - | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.02 | DRAMs | CMOS | - | BOTTOM | BALL | 260 | 1 | - | 0.8 mm | unknown | - | - | 60 | R-PBGA-B60 | Not Qualified | - | 3.6 V | 3.3 V | COMMERCIAL | 3 V | - | - | - | - | - | 1 | - | SYNCHRONOUS | - | 0.33 mA | - | - | - | 16MX8 | 3-STATE | 1.2 mm | 8 | - | - | - | 0.002 A | 134217728 bit | - | - | - | COMMON | - | - | SYNCHRONOUS DRAM | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 4096 | - | 1,2,4,8,FP | 1,2,4,8 | FOUR BANK PAGE BURST | YES | - | - | 16 mm | 8 mm | - | - | - | ||
| MT48LC16M8A2BB-7E:G | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипRC28F128P33B85AAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC FLASH 128M PARALLEL 64EASYBGA
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Surface Mount | 64-TBGA | - | 64 | 64-EasyBGA (8x10) | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TC | Tray | 2007 | StrataFlash™ | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | - | - | - | 85°C | -40°C | - | - | - | - | 2.3V~3.6V | - | - | - | - | - | - | - | - | 28F128P33 | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.3V | Parallel, Serial | 3.6V | 2.3V | 128Mb 8M x 16 | - | 28mA | - | 52MHz | - | 85ns | FLASH | Parallel | - | - | - | - | 85ns | 23b | 128 Mb | - | - | - | - | - | - | Asynchronous | 16b | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Non-RoHS Compliant | ||
| RC28F128P33B85A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMT49H32M18CBM-25E:AAnlielectronics Тип | Micron |
DDR DRAM, 32MX18, 15ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, UBGA-144
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | YES | - | - | 144 | 15 ns | 400 MHz | MICRON TECHNOLOGY INC | Micron Technology Inc | MT49H32M18CBM-25E:A | - | 33554432 words | 32000000 | 95 °C | PLASTIC/EPOXY | TBGA | LEAD FREE, UBGA-144 | BGA144,12X18,40/32 | RECTANGULAR | GRID ARRAY, THIN PROFILE | Obsolete | BGA | 30 | 5.73 | Yes | 1.8 V | - | - | - | - | - | e1 | - | - | - | - | EAR99 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | - | - | AUTO REFRESH | 8542.32.00.32 | DRAMs | CMOS | - | BOTTOM | BALL | 260 | 1 | - | 1 mm | unknown | - | - | 144 | R-PBGA-B144 | Not Qualified | - | 1.9 V | 1.5/1.8,1.8,2.5 V | OTHER | 1.7 V | - | - | - | - | - | 1 | - | SYNCHRONOUS | - | 0.98 mA | - | - | - | 32MX18 | 3-STATE | 1.2 mm | 18 | - | - | - | 0.053 A | 603979776 bit | - | - | - | SEPARATE | - | - | DDR DRAM | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2,4,8 | 2,4,8 | MULTI BANK PAGE BURST | - | - | - | 18.5 mm | 11 mm | - | - | - | ||
| MT49H32M18CBM-25E:A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMT47H128M4BT-37E:AAnlielectronics Тип | Micron |
DDR DRAM, 128MX4, 0.5ns, CMOS, PBGA92, 11 X 19 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-92
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | YES | - | - | 92 | 0.5 ns | 267 MHz | MICRON TECHNOLOGY INC | Micron Technology Inc | MT47H128M4BT-37E:A | - | 134217728 words | 128000000 | 85 °C | PLASTIC/EPOXY | TFBGA | TFBGA, BGA92,9X21,32 | BGA92,9X21,32 | RECTANGULAR | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | Obsolete | BGA | 30 | 8.62 | Yes | 1.8 V | - | - | - | - | - | e1 | - | - | - | - | EAR99 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | - | - | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.28 | DRAMs | CMOS | - | BOTTOM | BALL | 260 | 1 | - | 0.8 mm | unknown | - | - | 92 | R-PBGA-B92 | Not Qualified | - | 1.9 V | 1.8 V | OTHER | 1.7 V | - | - | - | - | - | 1 | - | SYNCHRONOUS | - | - | - | - | - | 128MX4 | 3-STATE | 1.2 mm | 4 | - | - | - | 0.005 A | 536870912 bit | - | - | - | COMMON | - | - | DDR DRAM | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 8192 | - | 4,8 | 4,8 | FOUR BANK PAGE BURST | YES | - | - | 19 mm | 11 mm | - | - | - | ||
| MT47H128M4BT-37E:A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипEDB8132B4PM-1D-F-DAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC DRAM 8G PARALLEL 168FBGA
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 9 Weeks | Copper, Silver, Tin | Surface Mount | Surface Mount | 168-WFBGA | - | 168 | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -30°C~85°C TC | Bulk | - | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | 168 | - | - | - | - | AUTO/SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOMINAL SUPPLY | - | - | - | 1.14V~1.95V | BOTTOM | - | NOT SPECIFIED | 1 | 1.2V | 0.5mm | - | NOT SPECIFIED | - | - | - | - | - | 1.3V | - | - | 1.14V | - | - | - | - | 8Gb 256M x 32 | 1 | - | SYNCHRONOUS | - | - | 5.5 ns | DRAM | Parallel | 256MX32 | - | - | 32 | - | - | - | - | 8589934592 bit | 533MHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0.82mm | 12mm | 12mm | - | - | ROHS3 Compliant | ||
| EDB8132B4PM-1D-F-D | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипM29F400FB55N3E2Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
NOR Flash Parallel 5V 4M-bit 512K x 8/256K x 16 55ns Automotive 48-Pin TSOP Tray
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | Tin | - | Surface Mount | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | YES | 48 | - | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Automotive grade | -40°C~125°C TA | Tray | 2010 | - | e3 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 48 | EAR99 | - | - | - | BOTTOM BOOT BLOCK | 8542.32.00.51 | - | - | 4.5V~5.5V | DUAL | - | 260 | 1 | 5V | 0.5mm | - | 30 | M29F400 | 48 | - | - | 5V | - | 5V | - | - | 4.5V | - | - | - | 4Mb 512K x 8 256K x 16 | - | 20mA | - | - | - | - | FLASH | Parallel | 256KX16 | - | - | 16 | 55ns | - | 4 Mb | 0.00012A | - | - | AEC-Q100 | 55 ns | - | Asynchronous | - | - | - | - | - | - | - | 8 | YES | YES | YES | 1217 | 16K8K32K64K | - | YES | BOTTOM | - | YES | - | - | - | - | - | 1.2mm | 18.4mm | 12mm | No | - | ROHS3 Compliant | ||
| M29F400FB55N3E2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипJR28F064M29EWLAAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 64M-bit 8M x 8/4M x 16 70ns 48-Pin TSOP Tray
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Surface Mount | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | YES | 48 | - | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tray | 2012 | - | e3 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 48 | 3A991.B.1.A | MATTE TIN | - | - | - | 8542.32.00.51 | - | - | 2.7V~3.6V | DUAL | - | 260 | 1 | 3V | 0.5mm | - | 30 | JR28F064 | - | - | - | - | - | 3/3.3V | - | - | 2.7V | - | - | - | 64Mb 8M x 8 4M x 16 | - | 25mA | - | - | - | - | FLASH | Parallel | 4MX16 | - | - | - | 70ns | - | 64 Mb | 0.00012A | - | - | - | 75 ns | - | Asynchronous | - | - | - | - | - | - | - | - | YES | YES | YES | 128 | 64K | 8/16words | YES | - | - | YES | - | - | - | - | 1mm | - | 18.4mm | 12mm | No | No SVHC | ROHS3 Compliant | ||
| JR28F064M29EWLA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипJS28F256J3F105AAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | Tin | - | Surface Mount | 56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | YES | 56 | - | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tray | 2008 | StrataFlash™ | e3 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 56 | 3A991.B.1.A | - | - | - | - | 8542.32.00.51 | - | - | 2.7V~3.6V | DUAL | - | 260 | 1 | 3V | 0.5mm | - | 30 | 28F256J3 | 56 | - | - | - | - | - | - | - | 2.7V | - | - | - | 256Mb 32M x 8 16M x 16 | - | 31mA | - | - | - | - | FLASH | Parallel | 16MX16 | - | - | 16 | 105ns | - | 256 Mb | - | - | - | - | 105 ns | - | Asynchronous | - | - | - | - | - | - | - | 8 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.2mm | 18.4mm | 14mm | No | - | ROHS3 Compliant | ||
| JS28F256J3F105A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMT28EW128ABA1LJS-0SITAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP
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| Min.:1 Mult.:1 | 6 Weeks | - | - | Surface Mount | 56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | YES | - | - | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tray | - | - | e3 | - | Active | 3 (168 Hours) | 56 | 3A991.B.1.A | MATTE TIN | - | - | - | 8542.32.00.51 | - | - | 2.7V~3.6V | DUAL | - | 260 | 1 | 3V | 0.5mm | - | 30 | - | - | R-PDSO-G56 | - | - | 3.6V | - | - | 2.7V | - | - | - | - | 128Mb 16M x 8 8M x 16 | - | - | ASYNCHRONOUS | - | - | 95ns | FLASH | Parallel | 8MX16 | - | - | 16 | 60ns | - | - | - | 134217728 bit | - | - | - | - | - | - | - | 3V | - | - | - | - | 8 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.2mm | 18.4mm | 14mm | - | - | ROHS3 Compliant | ||
| MT28EW128ABA1LJS-0SIT | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипN25Q064A11EF640EAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MICRON N25Q064A11EF640EFlash Memory, 64 Mbit, 16M x 4bit, 108 MHz, SPI, DFN, 8 Pins
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | Surface Mount | 8-VDFN Exposed Pad | - | 8 | - | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tray | 2012 | - | - | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 8 | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.7V~2V | DUAL | - | 260 | 1 | 1.8V | 1.27mm | - | 30 | N25Q064A11 | - | - | - | 1.8V | - | - | - | - | 1.7V | SPI, Serial | - | - | 64Mb 16M x 4 | - | 20mA | - | 108MHz | - | 8 ns | FLASH | SPI | 64MX1 | - | - | - | 8ms, 5ms | 1b | 64 Mb | - | - | - | - | - | - | Synchronous | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 256B | - | - | - | - | - | - | - | - | 850μm | - | 6mm | 5mm | No | No SVHC | ROHS3 Compliant | ||
| N25Q064A11EF640E | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипM28W640HCB70ZB6EAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 64Mbit 4M x 16bit 70ns 48-Pin TFBGA Tray
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Surface Mount | 48-TFBGA | YES | 48 | - | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tray | 2008 | - | e1 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 48 | 3A991.B.1.A | TIN SILVER COPPER | - | - | BOTTOM BOOT BLOCK | 8542.32.00.51 | - | - | 2.7V~3.6V | BOTTOM | - | 260 | 1 | 3V | 0.75mm | - | 30 | M28W640 | 48 | - | - | - | - | 3/3.3V | - | - | 2.7V | - | - | - | 64Mb 4M x 16 | - | 18mA | - | - | - | - | FLASH | Parallel | 4MX16 | - | - | 16 | 70ns | 22b | 64 Mb | 0.000005A | - | - | - | 70 ns | - | Asynchronous | 16b | - | - | - | - | - | - | - | NO | NO | YES | 8127 | 4K32K | 4words | - | BOTTOM | - | YES | - | - | - | - | - | 1.2mm | 10.5mm | - | No | - | ROHS3 Compliant | ||
| M28W640HCB70ZB6E | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMT51J256M32HF-70:BAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC RAM 8G PARALLEL 1.75GHZ
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Surface Mount | 170-TFBGA | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0°C~95°C TC | Tray | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.31V~1.39V 1.46V~1.55V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 8Gb 256M x 32 | - | - | - | 1.75GHz | - | - | RAM | Parallel | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| MT51J256M32HF-70:B | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипN25Q032A13EF640EAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MICRON - N25Q032A13EF640E - FLASH, SERIELL, 32MB, 3V, 8V-PDFN
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| Min.:1 Mult.:1 | 15 Weeks | - | Surface Mount | Surface Mount | 8-VDFN Exposed Pad | - | 8 | - | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tray | 2012 | - | - | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 8 | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.7V~3.6V | DUAL | - | 260 | 1 | 3V | 1.27mm | - | 30 | N25Q032 | - | - | - | - | - | 3/3.3V | - | - | 2.7V | SPI, Serial | - | - | 32Mb 8M x 4 | - | 20mA | - | 108MHz | - | 7 ns | FLASH | SPI | 32MX1 | - | - | - | 8ms, 5ms | 22b | 32 Mb | 0.0001A | - | - | - | - | - | Synchronous | 8b | - | - | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | - | - | - | - | - | - | 256B | - | - | - | - | - | - | - | - | 850μm | - | 6mm | 5mm | No | No SVHC | ROHS3 Compliant | ||
| N25Q032A13EF640E |
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