| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Factory Lead Time | Lifecycle Status | Contact Plating | Mount | Mounting Type | Package / Case | Surface Mount | Number of Pins | Number of Terminals | Access Time-Max | Clock Frequency-Max (fCLK) | Ihs Manufacturer | Manufacturer | Manufacturer Part Number | Memory Types | Number of Words | Number of Words Code | Operating Temperature-Max | Operating Temperature-Min | Package Body Material | Package Code | Package Description | Package Equivalence Code | Package Shape | Package Style | Part Life Cycle Code | Part Package Code | Reflow Temperature-Max (s) | Risk Rank | RoHS | Rohs Code | Schedule B | Supply Voltage-Nom (Vsup) | Usage Level | Operating Temperature | Packaging | Published | Series | JESD-609 Code | Pbfree Code | Part Status | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Number of Terminations | ECCN Code | Terminal Finish | Max Operating Temperature | Min Operating Temperature | Additional Feature | HTS Code | Subcategory | Technology | Voltage - Supply | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Number of Functions | Supply Voltage | Terminal Pitch | Reach Compliance Code | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | Base Part Number | Pin Count | JESD-30 Code | Qualification Status | Operating Supply Voltage | Supply Voltage-Max (Vsup) | Power Supplies | Temperature Grade | Supply Voltage-Min (Vsup) | Voltage | Interface | Max Supply Voltage | Min Supply Voltage | Memory Size | Number of Ports | Nominal Supply Current | Operating Mode | Clock Frequency | Supply Current-Max | Access Time | Memory Format | Memory Interface | Data Bus Width | Organization | Output Characteristics | Seated Height-Max | Memory Width | Write Cycle Time - Word, Page | Address Bus Width | Density | Standby Current-Max | Memory Density | Max Frequency | Screening Level | Access Time (Max) | Parallel/Serial | I/O Type | Sync/Async | Word Size | Memory IC Type | Programming Voltage | Serial Bus Type | Endurance | Data Retention Time-Min | Write Protection | Alternate Memory Width | Data Polling | Toggle Bit | Command User Interface | Number of Sectors/Size | Sector Size | Page Size | Ready/Busy | Refresh Cycles | Common Flash Interface | Sequential Burst Length | Interleaved Burst Length | Access Mode | Self Refresh | Height Seated (Max) | Length | Width | Radiation Hardening | RoHS Status | Lead Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. ТипPC48F4400P0VB0EFAnlielectronics Тип | Micron |
Flash, 32MX16, 17ns, PBGA64, BGA-64
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Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | EOL (Last Updated: 2 years ago) | Copper, Silver, Tin | - | - | - | - | 64 | - | - | - | - | - | - | NOR | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Compliant | - | 8542320070/8542320070/8542320070/8542320070/8542320070 | - | - | - | Tape & Reel | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 85 °C | -40 °C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.8 V | - | - | - | - | 1.7 V | Parallel, Serial | 2 V | 1.7 V | - | - | 31 mA | - | - | - | 100 ns | - | - | - | - | - | - | - | - | 25 b | 512 Mb | - | - | - | - | - | - | - | Asynchronous | 16 b | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | No | - | - | ||
| PC48F4400P0VB0EF | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMT49H32M18CBM-25:BAnlielectronics Тип | Micron |
DDR DRAM, 32MX18, 20ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, UBGA-144
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | YES | - | 144 | 20 ns | - | MICRON TECHNOLOGY INC | Micron Technology Inc | MT49H32M18CBM-25:B | - | 33554432 words | 32000000 | - | - | PLASTIC/EPOXY | TBGA | LEAD FREE, UBGA-144 | - | RECTANGULAR | GRID ARRAY, THIN PROFILE | Obsolete | BGA | - | 5.7 | - | - | - | 1.8 V | - | - | - | - | - | e1 | - | - | - | - | EAR99 | TIN SILVER COPPER | - | - | AUTO REFRESH | 8542.32.00.32 | - | CMOS | - | BOTTOM | BALL | - | 1 | - | 1 mm | compliant | - | - | 144 | R-PBGA-B144 | - | - | 1.9 V | - | - | 1.7 V | - | - | - | - | - | 1 | - | SYNCHRONOUS | - | - | - | - | - | - | 32MX18 | - | 1.2 mm | 18 | - | - | - | - | 603979776 bit | - | - | - | - | - | - | - | DDR DRAM | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | MULTI BANK PAGE BURST | - | - | 18.5 mm | 11 mm | - | - | - | ||
| MT49H32M18CBM-25:B | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипM29W640GL70ZA6EAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC FLASH 64M PARALLEL 48TFBGA
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | Surface Mount | 48-TFBGA | YES | 48 | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tray | 2009 | - | e1 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 48 | 3A991.B.1.A | TIN SILVER COPPER | - | - | TOP BOOT BLOCK | 8542.32.00.51 | - | - | 2.7V~3.6V | BOTTOM | - | 260 | 1 | 3V | 0.8mm | - | 30 | M29W640 | 48 | - | - | - | - | 3/3.3V | - | - | 2.7V | - | - | - | 64Mb 8M x 8 4M x 16 | - | 10mA | - | - | - | - | FLASH | Parallel | - | 4MX16 | - | - | 16 | 70ns | - | 64 Mb | 0.0001A | - | - | - | 70 ns | - | - | Asynchronous | - | - | - | - | - | - | - | 8 | YES | YES | YES | 128 | 64K | 4/8words | YES | - | YES | - | - | - | - | 1.2mm | 8mm | 6mm | No | ROHS3 Compliant | - | ||
| M29W640GL70ZA6E | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипN25Q256A11E1240EAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
NOR Flash Serial-SPI 1.8V 256Mbit 256M/128M/64M x 1bit/2bit/4bit 8ns 24-Pin TBGA Tray
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Surface Mount | Surface Mount | 24-TBGA | - | 24 | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tray | 2006 | - | e1 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 24 | - | TIN SILVER COPPER | - | - | - | - | - | - | 1.7V~2V | BOTTOM | - | 260 | 1 | 1.8V | 1mm | - | 30 | N25Q256A11 | - | - | - | 1.8V | - | - | - | - | 1.7V | SPI, Serial | - | - | 256Mb 64M x 4 | - | 20mA | - | 108MHz | - | 8 ns | FLASH | SPI | - | 256MX1 | - | - | 1 | 8ms, 5ms | 1b | 256 Mb | 0.00002A | - | - | - | - | - | - | Synchronous | - | - | - | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | - | - | - | - | - | - | 256B | - | - | - | - | - | - | - | 1.2mm | 8mm | - | No | ROHS3 Compliant | - | ||
| N25Q256A11E1240E | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипM29W640GH7ANB6EAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 64M-bit 8M x 8/4M x 16 70ns Automotive 56-Pin TSOP Tray
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | Surface Mount | 56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | YES | 56 | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tray | 2015 | - | e3 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 56 | 3A991.B.1.A | MATTE TIN | - | - | BOTTOM BOOT BLOCK | 8542.32.00.51 | - | - | 2.7V~3.6V | DUAL | - | 260 | 1 | 3V | 0.5mm | - | 30 | M29W640 | 56 | - | - | - | - | 3/3.3V | - | - | 2.7V | - | - | - | 64Mb 8M x 8 4M x 16 | - | 10mA | - | - | - | - | FLASH | Parallel | - | 4MX16 | - | - | 16 | 70ns | - | 64 Mb | 0.0001A | - | - | - | 70 ns | - | - | Asynchronous | - | - | - | - | - | - | - | 8 | YES | YES | YES | 128 | 64K | 4/8words | YES | - | YES | - | - | - | - | 1.2mm | 18.4mm | 14mm | No | ROHS3 Compliant | - | ||
| M29W640GH7ANB6E | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMT29F128G08CECABH1-12:AAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MLC NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 128Gbit 16G x 8bit 100-Pin VBGA
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Surface Mount | Surface Mount | 100-VBGA | - | 100 | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0°C~70°C TA | Bulk | 2012 | - | e1 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 100 | 3A991.B.1.A | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | - | - | - | 8542.32.00.51 | - | - | 2.7V~3.6V | BOTTOM | - | 260 | 1 | 3.3V | 1mm | - | 30 | MT29F128G08 | 100 | - | - | 3.3V | 3.6V | - | - | 2.7V | - | Parallel, Serial | - | - | 128Gb 16G x 8 | - | 50mA | - | 83MHz | - | 20 ns | FLASH | Parallel | - | 16GX8 | - | - | 8 | - | - | 128 Gb | - | - | - | - | - | - | - | Asynchronous | 8b | - | 2.7V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1mm | 18mm | 12mm | No | ROHS3 Compliant | - | ||
| MT29F128G08CECABH1-12:A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMT51J256M32HF-80:BAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC RAM 8G PARALLEL 2.0GHZ FBGA
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | Surface Mount | 170-TFBGA | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0°C~95°C TC | Tray | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.31V~1.39V 1.46V~1.55V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 8Gb 256M x 32 | - | - | - | 2GHz | - | - | RAM | Parallel | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| MT51J256M32HF-80:B | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипEDB4432BBBJ-1D-F-RAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | - | - | - | Surface Mount | 134-WFBGA | YES | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -30°C~85°C TC | Tape & Reel (TR) | - | - | e1 | - | Active | 3 (168 Hours) | 134 | EAR99 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | - | - | AUTO/SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM | 8542.32.00.36 | - | - | 1.14V~1.95V | BOTTOM | - | 260 | 1 | 1.2V | 0.65mm | - | 30 | - | - | R-PBGA-B134 | - | - | 1.3V | - | - | 1.14V | - | - | - | - | 4Gb 128M x 32 | 1 | - | SYNCHRONOUS | 533MHz | - | - | DRAM | Parallel | - | 128MX32 | - | - | 32 | - | - | - | - | 4294967296 bit | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | MULTI BANK PAGE BURST | - | 0.75mm | 11.5mm | 10mm | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| EDB4432BBBJ-1D-F-R | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMT35XU256ABA1G12-0AATAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
SPI FLASH NOR SLC 32MX8 TBGA
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 7 Weeks | - | - | - | Surface Mount | 24-TBGA | YES | - | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Automotive grade | -40°C~105°C | Bulk | - | Xccela™ - MT35X | e1 | - | Active | - | 24 | - | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | - | - | - | - | - | - | 1.7V~2V | BOTTOM | - | 260 | 1 | 1.8V | 1mm | compliant | 30 | - | - | R-PBGA-B24 | - | - | 2V | - | - | 1.7V | - | - | - | - | 256Mb 32M x 8 | - | - | SYNCHRONOUS | 200MHz | - | - | FLASH | Xccela Bus | - | 256MX1 | - | - | 1 | - | - | - | - | 268435456 bit | - | AEC-Q100 | - | SERIAL | - | - | - | - | 1.8V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.2mm | 8mm | 6mm | - | RoHS Compliant | - | ||
| MT35XU256ABA1G12-0AAT | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипN25Q512A83G1240EAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC FLASH 512MBIT 108MHZ 24TBGA
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | Surface Mount | 24-TBGA | YES | 24 | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tray | 2012 | - | e1 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 24 | - | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | - | - | - | - | - | - | 2.7V~3.6V | BOTTOM | - | - | 1 | 3V | 1mm | - | - | N25Q512 | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.7V | SPI, Serial | - | - | 512Mb 128M x 4 | - | - | SYNCHRONOUS | 108MHz | - | - | FLASH | SPI | - | 64MX8 | - | - | 8 | 8ms, 5ms | - | 512 Mb | 0.0005A | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.2mm | 8mm | 6mm | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| N25Q512A83G1240E | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMT47H32M16CC-37E:BAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA Tray
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Surface Mount | Surface Mount | 84-TFBGA | - | 84 | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0°C~85°C TC | Tray | 2006 | - | e1 | - | Obsolete | 5 (48 Hours) | 84 | EAR99 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | - | - | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.28 | - | - | 1.7V~1.9V | BOTTOM | - | 260 | 1 | 1.8V | 0.8mm | not_compliant | 30 | MT47H32M16 | 84 | - | Not Qualified | 1.8V | 1.9V | - | - | 1.7V | - | - | - | - | 512Mb 32M x 16 | 1 | 205mA | SYNCHRONOUS | 267MHz | - | 500ps | DRAM | Parallel | - | 32MX16 | 3-STATE | - | 16 | 15ns | 15b | 512 Mb | 0.007A | - | - | - | - | - | COMMON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 8192 | - | 48 | 48 | - | - | 1.2mm | 12.5mm | - | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| MT47H32M16CC-37E:B | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипM25P40-VMW6GBAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
NOR Flash Serial-SPI 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 8ns 8-Pin SO W Tube
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | Surface Mount | 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | YES | 8 | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tube | 2013 | - | - | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 8 | 3A991.B.1.B.1 | - | - | - | - | - | - | - | 2.3V~3.6V | DUAL | - | - | 1 | 2.7V | 1.27mm | - | - | M25P40 | 8 | - | - | - | - | 2.5/3.3V | - | - | 2.3V | SPI, Serial | - | - | 4Mb 512K x 8 | - | 8mA | - | 75MHz | - | 8 ns | FLASH | SPI | - | - | - | - | 8 | 15ms, 5ms | 1b | 4 Mb | 0.00001A | - | - | - | - | - | - | Synchronous | 8b | - | - | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | - | - | - | - | - | - | 256B | - | - | - | - | - | - | - | 2.5mm | 5.62mm | - | No | ROHS3 Compliant | - | ||
| M25P40-VMW6GB | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипN25Q064A13ESED0EAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC FLASH 64M SPI 108MHZ 8SO
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 25 Weeks | - | - | - | Surface Mount | 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | YES | 8 | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Bulk | 2012 | - | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | 8 | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.7V~3.6V | DUAL | - | NOT SPECIFIED | 1 | 3V | 1.27mm | - | NOT SPECIFIED | - | - | - | Not Qualified | - | - | 3/3.3V | - | - | 2.7V | - | - | - | 64Mb 16M x 4 | - | - | SYNCHRONOUS | 108MHz | - | - | FLASH | SPI | - | 64MX1 | - | - | 1 | 8ms, 5ms | - | 64 Mb | 0.0001A | - | - | - | - | SERIAL | - | - | - | - | - | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.16mm | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| N25Q064A13ESED0E | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMT48LC16M16A2FG-75:DAnlielectronics Тип | Micron |
Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 14 MM, VFBGA-54
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | YES | - | 54 | 5.4 ns | 133 MHz | MICRON TECHNOLOGY INC | Micron Technology Inc | MT48LC16M16A2FG-75:D | - | 16777216 words | 16000000 | 70 °C | - | PLASTIC/EPOXY | VFBGA | 8 X 14 MM, VFBGA-54 | BGA54,9X9,32 | RECTANGULAR | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | Obsolete | BGA | 30 | 8.47 | - | No | - | 3.3 V | - | - | - | - | - | e0 | - | - | - | - | EAR99 | Tin/Lead/Silver (Sn/Pb/Ag) | - | - | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.24 | DRAMs | CMOS | - | BOTTOM | BALL | 235 | 1 | - | 0.8 mm | unknown | - | - | 54 | R-PBGA-B54 | Not Qualified | - | 3.6 V | 3.3 V | COMMERCIAL | 3 V | - | - | - | - | - | 1 | - | SYNCHRONOUS | - | 0.27 mA | - | - | - | - | 16MX16 | 3-STATE | 1 mm | 16 | - | - | - | 0.002 A | 268435456 bit | - | - | - | - | COMMON | - | - | SYNCHRONOUS DRAM | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 8192 | - | 1,2,4,8,FP | 1,2,4,8 | FOUR BANK PAGE BURST | YES | - | 14 mm | 8 mm | - | - | - | ||
| MT48LC16M16A2FG-75:D | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMT41K1G4DA-107:PAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Copper, Silver, Tin | Surface Mount | Surface Mount | 78-TFBGA | - | 78 | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0°C~95°C TC | Tray | - | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | 78 | EAR99 | - | - | - | AUTO/SELF REFRESH | - | - | - | 1.283V~1.45V | BOTTOM | - | - | 1 | 1.35V | 0.8mm | - | - | - | - | - | - | 1.35V | 1.45V | - | - | 1.283V | - | - | - | - | 4Gb 1G x 4 | 1 | - | SYNCHRONOUS | 933MHz | - | 20ns | DRAM | Parallel | 4b | 1GX4 | - | - | 4 | - | 16b | 4 Gb | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.2mm | 10.5mm | - | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| MT41K1G4DA-107:P | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипEDB5432BEBH-1DAAT-F-DAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
DRAM Chip LPDDR2 SDRAM 512M-Bit 16Mx32 1.2V/1.8V 134-Pin VFBGA Dry Pack
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| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | - | Copper, Silver, Tin | Surface Mount | Surface Mount | 134-VFBGA | - | 134 | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~105°C TC | Bulk | - | - | - | - | Last Time Buy | 3 (168 Hours) | 134 | EAR99 | - | - | - | SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM | - | - | - | 1.14V~1.95V | BOTTOM | - | - | 1 | 1.2V | 0.65mm | - | - | - | - | - | - | - | 1.3V | - | - | 1.14V | - | - | - | - | 512Mb 16M x 32 | 1 | - | SYNCHRONOUS | - | - | - | DRAM | Parallel | 32b | 16MX32 | - | - | 32 | - | - | 512 Mb | - | - | 533MHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | SINGLE BANK PAGE BURST | - | 1mm | 11.5mm | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| EDB5432BEBH-1DAAT-F-D | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипEDB5432BEBH-1DIT-F-DAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
DRAM Chip LPDDR2 SDRAM 512M-Bit 16Mx32 1.2V/1.8V 134-Pin VFBGA Dry Pack
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| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | - | - | - | Surface Mount | 134-VFBGA | YES | 134 | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TC | Bulk | - | - | - | - | Last Time Buy | 3 (168 Hours) | 134 | EAR99 | - | - | - | SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM | - | - | - | 1.14V~1.95V | BOTTOM | - | NOT SPECIFIED | 1 | 1.2V | 0.65mm | - | NOT SPECIFIED | - | - | - | - | - | 1.3V | - | - | 1.14V | - | - | - | - | 512Mb 16M x 32 | 1 | - | SYNCHRONOUS | - | - | - | DRAM | Parallel | - | 16MX32 | - | - | 32 | - | - | 512 Mb | - | - | 533MHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | SINGLE BANK PAGE BURST | - | 1mm | 11.5mm | 10mm | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| EDB5432BEBH-1DIT-F-D | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMT48H16M32LFCM-75IT:BAnlielectronics Тип | Micron |
Synchronous DRAM, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 10 X 13 MM, GREEN, VFBGA-90
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Surface Mount | - | - | YES | 90 | 90 | 5.4 ns | 133 MHz | MICRON TECHNOLOGY INC | Micron Technology Inc | MT48H16M32LFCM-75IT:B | - | 16777216 words | 16000000 | 85 °C | -40 °C | PLASTIC/EPOXY | VFBGA | VFBGA, BGA90,9X15,32 | BGA90,9X15,32 | RECTANGULAR | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | Obsolete | BGA | 30 | 5.46 | Compliant | Yes | - | 1.8 V | - | - | - | - | - | e1 | - | - | - | - | EAR99 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 85 °C | -40 °C | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.28 | DRAMs | CMOS | - | BOTTOM | BALL | 260 | 1 | - | 0.8 mm | unknown | - | - | 90 | R-PBGA-B90 | Not Qualified | 1.8 V | 1.95 V | 1.8 V | INDUSTRIAL | 1.7 V | - | - | 1.95 V | 1.7 V | - | 1 | 95 mA | SYNCHRONOUS | - | 0.095 mA | - | - | - | 32 b | 16MX32 | 3-STATE | 1 mm | 32 | - | 15 b | 512 Mb | 0.00001 A | 536870912 bit | 133 MHz | - | - | - | COMMON | - | - | SYNCHRONOUS DRAM | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 8192 | - | 1,2,4,8,FP | 1,2,4,8 | FOUR BANK PAGE BURST | YES | - | 13 mm | 10 mm | No | - | Lead Free | ||
| MT48H16M32LFCM-75IT:B | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMT46V64M8TG-5BIT:FAnlielectronics Тип | Micron |
DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-66
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.5 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| MT46V64M8TG-5BIT:F | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMT47H16M16BG-3EAnlielectronics Тип | Micron |
DDR DRAM, 16MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84,
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | YES | - | 84 | 0.45 ns | 333 MHz | MICRON TECHNOLOGY INC | Micron Technology Inc | MT47H16M16BG-3E | - | 16777216 words | 16000000 | - | - | PLASTIC/EPOXY | FBGA | FBGA, BGA84,9X15,32 | BGA84,9X15,32 | RECTANGULAR | GRID ARRAY, FINE PITCH | Obsolete | - | - | 5.83 | - | Yes | - | 1.8 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | DRAMs | CMOS | - | BOTTOM | BALL | - | - | - | 0.8 mm | compliant | - | - | - | R-PBGA-B84 | Not Qualified | - | - | 1.8 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0.18 mA | - | - | - | - | 16MX16 | 3-STATE | - | 16 | - | - | - | 0.005 A | 268435456 bit | - | - | - | - | COMMON | - | - | DDR DRAM | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 8192 | - | 4,8 | 4,8 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| MT47H16M16BG-3E |
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