| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Factory Lead Time | Lifecycle Status | Contact Plating | Mount | Mounting Type | Package / Case | Surface Mount | Number of Pins | Number of Terminals | Access Time-Max | Clock Frequency-Max (fCLK) | Ihs Manufacturer | Manufacturer | Manufacturer Part Number | Memory Types | Number of Words | Number of Words Code | Operating Temperature-Max | Operating Temperature-Min | Package Body Material | Package Code | Package Description | Package Equivalence Code | Package Shape | Package Style | Part Life Cycle Code | Part Package Code | Reflow Temperature-Max (s) | Risk Rank | RoHS | Rohs Code | Supply Voltage-Nom (Vsup) | Usage Level | Operating Temperature | Packaging | Published | Series | JESD-609 Code | Pbfree Code | Part Status | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Number of Terminations | ECCN Code | Type | Terminal Finish | Max Operating Temperature | Min Operating Temperature | Additional Feature | HTS Code | Subcategory | Technology | Voltage - Supply | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Number of Functions | Supply Voltage | Terminal Pitch | Reach Compliance Code | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | Base Part Number | Pin Count | JESD-30 Code | Qualification Status | Operating Supply Voltage | Supply Voltage-Max (Vsup) | Power Supplies | Temperature Grade | Supply Voltage-Min (Vsup) | Voltage | Interface | Max Supply Voltage | Min Supply Voltage | Memory Size | Number of Ports | Nominal Supply Current | Operating Mode | Clock Frequency | Supply Current-Max | Access Time | Memory Format | Memory Interface | Data Bus Width | Organization | Output Characteristics | Seated Height-Max | Memory Width | Write Cycle Time - Word, Page | Address Bus Width | Density | Standby Current-Max | Memory Density | Max Frequency | Screening Level | Access Time (Max) | Parallel/Serial | I/O Type | Sync/Async | Word Size | Memory IC Type | Programming Voltage | Serial Bus Type | Endurance | Write Cycle Time-Max (tWC) | Data Retention Time-Min | Write Protection | Alternate Memory Width | Data Polling | Toggle Bit | Command User Interface | Number of Sectors/Size | Sector Size | Page Size | Ready/Busy | Boot Block | Refresh Cycles | Common Flash Interface | Sequential Burst Length | Interleaved Burst Length | Access Mode | Self Refresh | Height Seated (Max) | Length | Width | Radiation Hardening | RoHS Status | Lead Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. ТипM25PE20-VMN6PAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC FLASH 2M SPI 75MHZ 8SO
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | Surface Mount | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | 8 | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tube | 2008 | - | - | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 8 | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.7V~3.6V | DUAL | - | 260 | 1 | 3V | 1.27mm | - | 30 | M25PE20 | 8 | - | - | 3.3V | - | - | - | - | 2.7V | SPI, Serial | - | - | 2Mb 256K x 8 | - | 12mA | - | 75MHz | - | 8 ns | FLASH | SPI | - | - | - | - | 8 | 15ms, 3ms | 1b | 2 Mb | 0.00001A | - | - | - | - | - | - | Synchronous | 8b | - | - | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | - | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | - | - | - | - | - | - | 256B | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.75mm | 4.9mm | - | No | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| M25PE20-VMN6P | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипM29F800FT5AN6F2Anlielectronics Тип | Micron |
Flash, 512KX16, 55ns, PDSO48, 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP1-48
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Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | YES | - | 48 | 55 ns | - | NUMONYX | Numonyx Memory Solutions | M29F800FT5AN6F2 | - | 524288 words | 512000 | 85 °C | -40 °C | PLASTIC/EPOXY | TSOP1 | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP1-48 | TSSOP48,.8,20 | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | Transferred | TSOP1 | NOT SPECIFIED | 5.15 | - | Yes | 5 V | Automotive grade | - | - | - | - | - | - | - | - | - | EAR99 | NOR TYPE | - | - | - | TOP BOOT BLOCK | 8542.32.00.51 | Flash Memories | CMOS | - | DUAL | GULL WING | NOT SPECIFIED | 1 | - | 0.5 mm | unknown | - | - | 48 | R-PDSO-G48 | Not Qualified | - | 5.5 V | 5 V | INDUSTRIAL | 4.5 V | - | - | - | - | - | - | - | ASYNCHRONOUS | - | 0.03 mA | - | - | - | - | 512KX16 | - | 1.2 mm | 16 | - | - | - | 0.00012 A | 8388608 bit | - | AEC-Q100 | - | PARALLEL | - | - | - | FLASH | 5 V | - | - | - | - | - | 8 | YES | YES | YES | 1,2,1,15 | 16K,8K,32K,64K | - | YES | TOP | - | YES | - | - | - | - | - | 18.4 mm | 12 mm | - | - | - | ||
| M29F800FT5AN6F2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMT47H128M8HQ-25E:EAnlielectronics Тип | Micron |
DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 8 X 11.50 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
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Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | YES | - | 60 | 0.4 ns | 400 MHz | MICRON TECHNOLOGY INC | Micron Technology Inc | MT47H128M8HQ-25E:E | - | 134217728 words | 128000000 | 85 °C | -40 °C | PLASTIC/EPOXY | TFBGA | TFBGA, BGA60,9X11,32 | BGA60,9X11,32 | RECTANGULAR | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | Obsolete | BGA | 30 | 8.18 | - | Yes | 1.8 V | - | - | - | - | - | e1 | - | - | - | - | EAR99 | - | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | - | - | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.32 | DRAMs | CMOS | - | BOTTOM | BALL | 260 | 1 | - | 0.8 mm | unknown | - | - | 60 | R-PBGA-B60 | Not Qualified | - | 1.9 V | 1.8 V | INDUSTRIAL | 1.7 V | - | - | - | - | - | 1 | - | SYNCHRONOUS | - | 0.335 mA | - | - | - | - | 128MX8 | 3-STATE | 1.2 mm | 8 | - | - | - | - | 1073741824 bit | - | - | - | - | COMMON | - | - | DDR DRAM | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 8192 | - | 4,8 | 4,8 | MULTI BANK PAGE BURST | YES | - | 11.5 mm | 8 mm | - | - | - | ||
| MT47H128M8HQ-25E:E | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипM29W160ET7AZA6FAnlielectronics Тип | Micron |
Flash, 1MX16, 70ns, PBGA48, TFBGA-48
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Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | YES | - | 48 | 70 ns | - | MICRON TECHNOLOGY INC | Micron Technology Inc | M29W160ET7AZA6F | - | 1048576 words | 1000000 | 85 °C | -40 °C | PLASTIC/EPOXY | TFBGA | TFBGA-48 | BGA48,6X8,32 | RECTANGULAR | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | Obsolete | BGA | 30 | 5.51 | - | Yes | 3 V | - | - | - | - | - | e1 | Yes | - | - | - | EAR99 | NOR TYPE | TIN SILVER COPPER | - | - | TOP BOOT BLOCK | 8542.32.00.51 | Flash Memories | CMOS | - | BOTTOM | BALL | 260 | 1 | - | 0.8 mm | compliant | - | - | 48 | R-PBGA-B48 | Not Qualified | - | 3.6 V | 3/3.3 V | INDUSTRIAL | 2.7 V | - | - | - | - | - | - | - | ASYNCHRONOUS | - | 0.01 mA | - | - | - | - | 1MX16 | - | 1.2 mm | 16 | - | - | - | 0.0001 A | 16777216 bit | - | - | - | PARALLEL | - | - | - | FLASH | 3 V | - | - | - | - | - | 8 | YES | YES | YES | 1,2,1,31 | 16K,8K,32K,64K | - | YES | TOP | - | YES | - | - | - | - | - | 8 mm | 6 mm | - | - | - | ||
| M29W160ET7AZA6F | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипM29F800FB55N3F2Anlielectronics Тип | Micron |
Flash, 512KX16, 55ns, PDSO48, 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP1-48
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | YES | - | 48 | 55 ns | - | MICRON TECHNOLOGY INC | Micron Technology Inc | M29F800FB55N3F2 | - | 524288 words | 512000 | 125 °C | -40 °C | PLASTIC/EPOXY | TSOP1 | TSOP1, TSSOP48,.8,20 | TSSOP48,.8,20 | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | Obsolete | TSOP1 | NOT SPECIFIED | 5.23 | - | Yes | 5 V | Automotive grade | - | - | - | - | e3 | Yes | - | - | - | EAR99 | NOR TYPE | Matte Tin (Sn) | - | - | BOTTOM BOOT BLOCK | 8542.32.00.51 | Flash Memories | CMOS | - | DUAL | GULL WING | NOT SPECIFIED | 1 | - | 0.5 mm | compliant | - | - | 48 | R-PDSO-G48 | Not Qualified | - | 5.5 V | 5 V | AUTOMOTIVE | 4.5 V | - | - | - | - | - | - | - | ASYNCHRONOUS | - | 0.03 mA | - | - | - | - | 512KX16 | - | 1.2 mm | 16 | - | - | - | 0.00012 A | 8388608 bit | - | AEC-Q100 | - | PARALLEL | - | - | - | FLASH | 5 V | - | - | - | - | - | 8 | YES | YES | YES | 1,2,1,15 | 16K,8K,32K,64K | - | YES | BOTTOM | - | YES | - | - | - | - | - | 18.4 mm | 12 mm | - | - | - | ||
| M29F800FB55N3F2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипM29W640GT70ZA6EAnlielectronics Тип | Micron |
Flash, 4MX16, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-48
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| Min.:1 Mult.:1 | - | EOL (Last Updated: 2 years ago) | - | - | - | - | YES | 48 | 48 | 70 ns | - | NUMONYX | Numonyx Memory Solutions | M29W640GT70ZA6E | NOR | 4194304 words | 4000000 | 85 °C | -40 °C | PLASTIC/EPOXY | TFBGA | TFBGA, BGA48,6X8,32 | BGA48,6X8,32 | RECTANGULAR | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | Transferred | BGA | NOT SPECIFIED | 5.13 | Compliant | Yes | 3 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 3A991.B.1.A | NOR TYPE | - | 85 °C | -40 °C | TOP BOOT BLOCK | 8542.32.00.51 | Flash Memories | CMOS | - | BOTTOM | BALL | NOT SPECIFIED | 1 | - | 0.8 mm | unknown | - | - | 48 | R-PBGA-B48 | Not Qualified | - | 3.6 V | 3/3.3 V | INDUSTRIAL | 2.7 V | 2.7 V | Parallel | 3.6 V | 2.7 V | - | - | 10 mA | ASYNCHRONOUS | - | 0.01 mA | 70 ns | - | - | - | 4MX16 | - | 1.2 mm | 16 | - | - | 64 Mb | 0.0001 A | 67108864 bit | - | - | - | PARALLEL | - | Asynchronous | - | FLASH | 3 V | - | - | - | - | - | 8 | YES | YES | YES | 8,127 | 8K,64K | 4/8 words | YES | TOP | - | YES | - | - | - | - | - | 8 mm | 6 mm | No | - | - | ||
| M29W640GT70ZA6E | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипN25Q064A13EF840EAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC FLASH 64M SPI 108MHZ 8VDFPN
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Tin | Surface Mount | Surface Mount | 8-VDFN Exposed Pad | - | 8 | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tray | 2012 | - | - | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 8 | 3A991.B.1.A | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.7V~3.6V | DUAL | - | 260 | 1 | 3V | 1.27mm | - | 30 | N25Q064 | 8 | - | - | - | - | 3/3.3V | - | - | 2.7V | SPI, Serial | - | - | 64Mb 16M x 4 | - | 20mA | - | 108MHz | - | 7 ns | FLASH | SPI | - | 1MX64 | - | - | 64 | 8ms, 5ms | 1b | 64 Mb | 0.0001A | - | - | - | - | - | - | Synchronous | - | - | - | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | - | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | - | - | - | - | - | - | 256B | - | - | - | - | - | - | - | - | 1mm | - | - | No | ROHS3 Compliant | - | ||
| N25Q064A13EF840E | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMT48H4M16LFB4-8:HAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
DRAM Chip Mobile SDRAM 64M-Bit 4Mx16 1.8V 54-Pin VFBGA Tray
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Surface Mount | Surface Mount | 54-VFBGA | - | 54 | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0°C~70°C TA | Tray | 2007 | - | e1 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 54 | EAR99 | - | TIN SILVER COPPER | - | - | AUTO/SELF REFRESH | - | - | - | 1.7V~1.9V | BOTTOM | - | 260 | 1 | 1.8V | 0.8mm | - | 30 | MT48H4M16 | 54 | - | - | 1.8V | 1.95V | - | - | 1.7V | - | - | - | - | 64Mb 4M x 16 | 1 | 50mA | - | 125MHz | - | 6ns | DRAM | Parallel | 16b | 4MX16 | 3-STATE | - | 16 | 15ns | 14b | 64 Mb | 0.00001A | - | - | - | - | - | COMMON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 4096 | - | 1248FP | 1248 | - | - | 1mm | 8mm | - | No | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| MT48H4M16LFB4-8:H | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипM25P40-VMN6TPBAAnlielectronics Тип | Micron |
Flash, 512KX8, PDSO8,
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | YES | - | 8 | - | 50 MHz | MICRON TECHNOLOGY INC | Micron Technology Inc | M25P40-VMN6TPBA | - | 524288 words | 512000 | 85 °C | -40 °C | PLASTIC/EPOXY | SOP | - | SOP8,.25 | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE | Obsolete | - | 30 | 5.7 | - | Yes | - | - | - | - | - | - | - | Yes | - | - | - | - | NOR TYPE | - | - | - | - | - | Flash Memories | CMOS | - | DUAL | GULL WING | 260 | - | - | 1.27 mm | compliant | - | - | - | R-PDSO-G8 | Not Qualified | - | - | 2.5/3.3 V | INDUSTRIAL | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0.015 mA | - | - | - | - | 512KX8 | - | - | 8 | - | - | - | 0.00001 A | 4194304 bit | - | - | - | SERIAL | - | - | - | FLASH | 3 V | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | - | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| M25P40-VMN6TPBA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMT49H32M9FM-25Anlielectronics Тип | Micron |
DDR DRAM, 32MX9, 0.25ns, CMOS, PBGA144, MICRO, BGA-144
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Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| MT49H32M9FM-25 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипM25PX16-VMP6GAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
NOR Flash Serial-SPI 2.5V/3.3V 16Mbit 2M x 8bit 8ns 8-Pin VFQFPN EP Tray
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Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 14 Weeks | - | - | Surface Mount | Surface Mount | 8-VDFN Exposed Pad | - | 8 | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tray | 2008 | - | - | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 8 | 3A991.B.1.B.1 | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.3V~3.6V | DUAL | - | 260 | 1 | 2.7V | 1.27mm | - | 30 | M25PX16 | 8 | - | - | - | - | 2.5/3.3V | - | - | 2.3V | SPI, Serial | - | - | 16Mb 2M x 8 | - | 12mA | - | 75MHz | - | 8 ns | FLASH | SPI | - | - | - | - | 8 | 15ms, 5ms | 1b | 16 Mb | 0.00001A | - | - | - | - | - | - | Synchronous | 8b | - | - | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 15ms | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | - | - | - | - | - | - | 256B | - | - | - | - | - | - | - | - | 1mm | 6mm | - | No | ROHS3 Compliant | - | ||
| M25PX16-VMP6G | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипPZ28F064M29EWTAAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 64Mbit 8M/4M x 8bit/16bit 60ns 48-Pin BGA Tray
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | Surface Mount | 48-VFBGA | YES | 48 | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tray | 2012 | - | e1 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 48 | 3A991.B.1.A | - | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | - | - | - | 8542.32.00.51 | - | - | 2.7V~3.6V | BOTTOM | - | 260 | 1 | 3V | 0.8mm | - | 30 | PZ28F064 | - | - | - | - | - | 3/3.3V | - | - | 2.7V | - | - | - | 64Mb 8M x 8 4M x 16 | - | 25mA | - | - | - | - | FLASH | Parallel | - | 4MX16 | - | - | 16 | 60ns | - | 64 Mb | 0.00012A | - | - | - | 65 ns | - | - | Asynchronous | - | - | - | - | - | - | - | - | 8 | YES | YES | YES | 8127 | 8K64K | 8/16words | YES | TOP | - | YES | - | - | - | - | 1mm | 8mm | 6mm | No | ROHS3 Compliant | - | ||
| PZ28F064M29EWTA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипN25Q256A11ESF40GAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
NOR Flash Serial-SPI 1.8V 256Mbit 256M/128M/64M x 1bit/2bit/4bit 8ns 16-Pin SOP-II Tube
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | Surface Mount | 16-SOIC (0.295, 7.50mm Width) | YES | 16 | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tube | 2013 | - | - | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 16 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.7V~2V | DUAL | - | 260 | 1 | 1.8V | 1.27mm | - | 30 | N25Q256A11 | - | - | - | 1.8V | - | - | - | - | 1.7V | SPI, Serial | - | - | 256Mb 64M x 4 | - | 20mA | - | 108MHz | - | 8 ns | FLASH | SPI | - | 256MX1 | - | - | 1 | 8ms, 5ms | 1b | 256 Mb | 0.00002A | - | - | - | - | - | - | Synchronous | - | - | - | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | - | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | - | - | - | - | - | - | 256B | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.5mm | 10.3mm | - | No | ROHS3 Compliant | - | ||
| N25Q256A11ESF40G | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMT46H32M16LFBF-6:BAnlielectronics Тип | Micron |
DDR DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, 8 X 9 MM, GREEN, PLASTIC, VFBGA-60
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Surface Mount | - | - | YES | 60 | 60 | 6 ns | 166 MHz | MICRON TECHNOLOGY INC | Micron Technology Inc | MT46H32M16LFBF-6:B | - | 33554432 words | 32000000 | 70 °C | - | PLASTIC/EPOXY | VFBGA | VFBGA, BGA60,9X10,32 | BGA60,9X10,32 | RECTANGULAR | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | Obsolete | BGA | 30 | 5.15 | Compliant | Yes | 1.8 V | - | - | - | - | - | e1 | Yes | - | - | - | EAR99 | - | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 70 °C | 0 °C | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.28 | DRAMs | CMOS | - | BOTTOM | BALL | 260 | 1 | - | 0.8 mm | unknown | - | - | 60 | R-PBGA-B60 | Not Qualified | 1.8 V | 1.95 V | 1.8 V | COMMERCIAL | 1.7 V | - | - | 1.95 V | 1.7 V | - | 1 | 105 mA | SYNCHRONOUS | - | 0.12 mA | - | - | - | 16 b | 32MX16 | 3-STATE | 1 mm | 16 | - | 15 b | 512 Mb | 0.00001 A | 536870912 bit | 166 MHz | - | - | - | COMMON | - | - | DDR DRAM | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 8192 | - | 2,4,8 | 2,4,8 | FOUR BANK PAGE BURST | YES | - | 9 mm | 8 mm | No | - | Lead Free | ||
| MT46H32M16LFBF-6:B | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMT28EW128ABA1LPN-0SITAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC FLASH 128M PARALLEL 56VFBGA
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| Min.:1 Mult.:1 | 8 Weeks | - | - | - | Surface Mount | 56-VFBGA | YES | - | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tray | - | - | e1 | - | Active | 3 (168 Hours) | 56 | 3A991.B.1.A | - | TIN SILVER COPPER | - | - | - | 8542.32.00.51 | - | - | 2.7V~3.6V | BOTTOM | - | 260 | 1 | 3V | 0.8mm | - | 30 | - | - | R-PBGA-B56 | - | - | 3.6V | - | - | 2.7V | - | - | - | - | 128Mb 16M x 8 8M x 16 | - | - | ASYNCHRONOUS | - | - | 95ns | FLASH | Parallel | - | 8MX16 | - | - | 16 | 60ns | - | - | - | 134217728 bit | - | - | - | - | - | - | - | - | 3V | - | - | - | - | - | 8 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1mm | 9mm | 7mm | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MT28EW128ABA1LPN-0SIT | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMT47H32M16HR-3:FAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MT47H32M16HR-3:F, DDR2 SDRAM Memory 512Mbit, 32M x 16 bit, 667MHz, 0.45ns, 1.7 V - 1.9 V, 0 85 C, 84-Pin
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | Surface Mount | 84-TFBGA | YES | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0°C~85°C TC | Tray | 2010 | - | e1 | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | 84 | EAR99 | - | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | - | - | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.28 | - | - | 1.7V~1.9V | BOTTOM | - | 260 | 1 | 1.8V | 0.8mm | not_compliant | 30 | MT47H32M16 | 84 | R-PBGA-B84 | Not Qualified | 1.8V | 1.9V | - | - | 1.7V | - | - | - | - | 512Mb 32M x 16 | 1 | - | SYNCHRONOUS | 333MHz | - | 450ps | DRAM | Parallel | - | 32MX16 | 3-STATE | - | 16 | 15ns | - | - | 0.007A | 536870912 bit | - | - | - | - | COMMON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 8192 | - | 48 | 48 | - | - | 1.2mm | 12.5mm | 8mm | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| MT47H32M16HR-3:F | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMT47H64M16NF-187E:MAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC SDRAM 1GBIT 533MHZ 84FBGA
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| Min.:1 Mult.:1 | 12 Weeks | - | - | - | Surface Mount | 84-TFBGA | YES | 84 | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0°C~85°C TC | Bulk | 2014 | - | e1 | yes | Not For New Designs | 3 (168 Hours) | 84 | EAR99 | - | TIN SILVER COPPER | - | - | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.32 | - | - | 1.7V~1.9V | BOTTOM | - | 260 | 1 | 1.8V | 0.8mm | - | 30 | MT47H64M16 | 84 | - | - | 1.8V | 1.9V | - | - | 1.7V | - | - | - | - | 1Gb 64M x 16 | 1 | - | - | - | - | 350ps | DRAM | Parallel | 16b | 64MX16 | 3-STATE | - | 16 | 15ns | 13b | 1 Gb | - | - | 533MHz | - | - | - | COMMON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 8192 | - | 48 | 48 | - | - | 1.2mm | 12.5mm | - | No | ROHS3 Compliant | - | ||
| MT47H64M16NF-187E:M | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипRC28F128P30BF65AAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC FLASH 128M PARALLEL 64EASYBGA
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| Min.:1 Mult.:1 | 6 Weeks | - | - | - | Surface Mount | 64-TBGA | YES | 64 | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tray | 2007 | StrataFlash™ | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | 64 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.7V~2V | BOTTOM | - | - | 1 | 1.8V | 1mm | - | - | 28F128P30 | - | - | - | 1.8V | - | 1.81.8/3.3V | - | - | 1.7V | Parallel, Serial | - | - | 128Mb 8M x 16 | - | 28mA | - | 52MHz | - | - | FLASH | Parallel | - | 8MX16 | - | - | 16 | 65ns | 23b | 128 Mb | 0.000055A | - | - | - | 65 ns | - | - | Asynchronous | 8b | - | - | - | - | - | - | - | - | NO | NO | - | 4127 | - | 8words | - | BOTTOM | - | - | - | - | - | - | 1.2mm | 13mm | - | No | Non-RoHS Compliant | - | ||
| RC28F128P30BF65A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипN25Q128A11EF740EAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
NOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 1.8V 128M-bit 16M x 8 7ns Tray
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Surface Mount | Surface Mount | 8-VDFN Exposed Pad | - | 8 | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tray | 2013 | - | - | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 8 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.7V~2V | DUAL | - | 260 | 1 | 1.8V | 1.27mm | - | 30 | N25Q128A11 | - | - | - | 1.8V | - | - | - | - | 1.7V | SPI, Serial | - | - | 128Mb 32M x 4 | - | 20mA | - | 108MHz | - | 7 ns | FLASH | SPI | - | - | - | - | 1 | 8ms, 5ms | 1b | 128 Mb | - | - | - | - | - | - | - | Synchronous | 8b | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 256B | - | - | - | - | - | - | - | - | 0.9mm | 6mm | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| N25Q128A11EF740E | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMT28EW256ABA1LJS-0SIT TRAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP
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| Min.:1 Mult.:1 | 3 Weeks | - | - | - | Surface Mount | 56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | - | - | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | - | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.7V~3.6V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 256Mb 32M x 8 16M x 16 | - | - | - | - | - | 75ns | FLASH | Parallel | - | - | - | - | - | 60ns | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MT28EW256ABA1LJS-0SIT TR |
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