| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Factory Lead Time | Mount | Mounting Type | Package / Case | Surface Mount | Number of Pins | Supplier Device Package | Number of Terminals | Access Time-Max | Clock Frequency-Max (fCLK) | Ihs Manufacturer | Manufacturer | Manufacturer Part Number | Memory Types | Number of Words | Number of Words Code | Operating Temperature-Max | Operating Temperature-Min | Package Body Material | Package Code | Package Description | Package Equivalence Code | Package Shape | Package Style | Part Life Cycle Code | Part Package Code | Programmable | Reflow Temperature-Max (s) | Risk Rank | RoHS | Rohs Code | Supply Voltage-Nom (Vsup) | Usage Level | Operating Temperature | Packaging | Published | Series | JESD-609 Code | Pbfree Code | Part Status | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Number of Terminations | ECCN Code | Type | Terminal Finish | Max Operating Temperature | Min Operating Temperature | Additional Feature | HTS Code | Subcategory | Technology | Voltage - Supply | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Number of Functions | Supply Voltage | Terminal Pitch | Reach Compliance Code | Frequency | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | Base Part Number | Pin Count | JESD-30 Code | Qualification Status | Operating Supply Voltage | Supply Voltage-Max (Vsup) | Power Supplies | Temperature Grade | Supply Voltage-Min (Vsup) | Voltage | Interface | Max Supply Voltage | Min Supply Voltage | Memory Size | Number of Ports | Nominal Supply Current | Operating Mode | Clock Frequency | Supply Current-Max | Access Time | Memory Format | Memory Interface | Data Bus Width | Organization | Output Characteristics | Seated Height-Max | Memory Width | Write Cycle Time - Word, Page | Address Bus Width | Density | Standby Current-Max | Memory Density | Max Frequency | Access Time (Max) | Parallel/Serial | I/O Type | Sync/Async | Word Size | Memory IC Type | Programming Voltage | Serial Bus Type | Endurance | Write Cycle Time-Max (tWC) | Data Retention Time-Min | Write Protection | Data Polling | Toggle Bit | Number of Sectors/Size | Page Size | Boot Block | Refresh Cycles | Sequential Burst Length | Interleaved Burst Length | Access Mode | Self Refresh | Height Seated (Max) | Length | Width | Radiation Hardening | RoHS Status | Lead Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. ТипM25P16-VMN6PBAAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8SO
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 13 Weeks | - | Surface Mount | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | 8 | - | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tube | 2007 | - | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | 8 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.7V~3.6V | DUAL | - | - | 1 | 3V | 1.27mm | - | - | - | M25P16 | - | - | - | 3.3V | - | - | - | - | 2.7V | SPI, Serial | - | - | 16Mb 2M x 8 | - | 8mA | - | 75MHz | - | 15 ns | FLASH | SPI | - | - | - | - | 8 | 15ms, 5ms | 1b | 16 Mb | 0.00001A | - | - | - | - | - | Synchronous | 8b | - | - | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | - | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | - | - | - | 256B | - | - | - | - | - | - | 1.75mm | 4.9mm | - | No | ROHS3 Compliant | - | ||
| M25P16-VMN6PBA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMT48LC16M8A2BB-75:GTRAnlielectronics Тип | Micron |
-
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | 60 | - | - | - | - | - | - | - | RAM, SDRAM | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Compliant | - | - | - | - | Tape & Reel (TR) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 70 °C | 0 °C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 133 MHz | - | - | - | - | - | 3.3 V | - | - | - | - | - | Parallel | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 8 b | - | - | - | - | - | 14 b | 128 Mb | - | - | 133 MHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | No | - | Lead Free | ||
| MT48LC16M8A2BB-75:GTR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMT28EW512ABA1HPC-0SIT TRAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC FLASH 512M PARALLEL 64LBGA
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 5 Weeks | - | Surface Mount | 64-LBGA | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Industrial grade | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | - | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.7V~3.6V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 512Mb 64M x 8 32M x 16 | - | - | - | - | - | 95ns | FLASH | Parallel | - | - | - | - | - | 60ns | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MT28EW512ABA1HPC-0SIT TR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMT49H16M18BM-25Anlielectronics Тип | Micron |
DDR DRAM, 16MX18, 0.25ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, MICRO, BGA-144
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | YES | - | - | 144 | 0.25 ns | 400 MHz | MICRON TECHNOLOGY INC | Micron Technology Inc | MT49H16M18BM-25 | - | 16777216 words | 16000000 | - | - | PLASTIC/EPOXY | BGA | BGA, BGA144,12X18,40/32 | BGA144,12X18,40/32 | RECTANGULAR | GRID ARRAY | Obsolete | BGA | - | 30 | 5.71 | - | Yes | 1.8 V | - | - | - | - | - | e1 | - | - | - | - | EAR99 | - | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | - | - | AUTO REFRESH | 8542.32.00.28 | DRAMs | CMOS | - | BOTTOM | BALL | 260 | 1 | - | 1 mm | unknown | - | - | - | 144 | R-PBGA-B144 | Not Qualified | - | 1.9 V | 1.5/1.8,1.8,2.5 V | - | 1.7 V | - | - | - | - | - | 1 | - | SYNCHRONOUS | - | - | - | - | - | - | 16MX18 | 3-STATE | 0.93 mm | 18 | - | - | - | - | 301989888 bit | - | - | - | COMMON | - | - | DDR DRAM | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2,4,8 | - | MULTI BANK PAGE BURST | - | - | 18.5 mm | 11 mm | - | - | - | ||
| MT49H16M18BM-25 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипJS28F640P33T85AAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | 56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | - | 56 | 56-TSOP | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TC | Tray | 2007 | StrataFlash™ | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | 85°C | -40°C | - | - | - | - | 2.3V~3.6V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 28F640P33 | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.3V | Parallel, Serial | 3.6V | 2.3V | 64Mb 4M x 16 | - | 28mA | - | 40MHz | - | 85ns | FLASH | Parallel | - | - | - | - | - | 85ns | 22b | 64 Mb | - | - | - | - | - | - | Asynchronous | 16b | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| JS28F640P33T85A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипPC28F128P30T85AAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC FLASH 128M PARALLEL 64EASYBGA
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | 64-TBGA | YES | 64 | - | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tray | 2009 | StrataFlash™ | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | 64 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.7V~2V | BOTTOM | - | - | - | - | 1mm | - | - | - | 28F128P30 | - | - | - | 1.8V | - | 1.81.8/3.3V | - | - | 1.7V | Parallel, Serial | - | - | 128Mb 8M x 16 | - | 28mA | - | 52MHz | - | - | FLASH | Parallel | - | 8MX16 | - | - | 16 | 85ns | 23b | 128 Mb | 0.000075A | - | - | 85 ns | - | - | Asynchronous | 16b | - | - | - | - | - | - | - | NO | NO | 4127 | 4words | TOP | - | - | - | - | - | - | - | - | No | ROHS3 Compliant | - | ||
| PC28F128P30T85A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипM25PX16-VMW6GAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
NOR Flash Serial-SPI 2.5V/3.3V 16M-bit 2M x 8 8ns 8-Pin SO W Tube
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | YES | 8 | - | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tube | 2010 | - | - | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 8 | 3A991.B.1.B.1 | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.3V~3.6V | DUAL | - | 260 | 1 | 2.7V | 1.27mm | - | - | 30 | M25PX16 | 8 | - | - | - | - | 2.5/3.3V | - | - | 2.3V | SPI, Serial | - | - | 16Mb 2M x 8 | - | 12mA | - | 75MHz | - | 8 ns | FLASH | SPI | - | - | - | - | 8 | 15ms, 5ms | 1b | 16 Mb | 0.00001A | - | - | - | - | - | Synchronous | 8b | - | - | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 15ms | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | - | - | - | 256B | - | - | - | - | - | - | 2.5mm | - | - | No | ROHS3 Compliant | - | ||
| M25PX16-VMW6G | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипPC28F640P33B85DAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC FLASH 64M PARALLEL 64EASYBGA
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | 64-TBGA | - | 64 | 64-EasyBGA (10x13) | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TC | Tray | 2007 | StrataFlash™ | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | 85°C | -40°C | - | - | - | - | 2.3V~3.6V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 28F640P33 | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.3V | Parallel, Serial | 3.6V | 2.3V | 64Mb 4M x 16 | - | 28mA | - | 52MHz | - | 85ns | FLASH | Parallel | - | - | - | - | - | 85ns | 22b | 64 Mb | - | - | - | - | - | - | Asynchronous | 16b | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | No | ROHS3 Compliant | - | ||
| PC28F640P33B85D | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMT47H64M8CF-3:FAnlielectronics Тип | Micron |
DDR DRAM, 64MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, 8 X 10 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | Surface Mount | - | - | YES | 60 | - | 60 | 0.45 ns | 333 MHz | MICRON TECHNOLOGY INC | Micron Technology Inc | MT47H64M8CF-3:F | - | 67108864 words | 64000000 | 85 °C | - | PLASTIC/EPOXY | TFBGA | TFBGA, BGA60,9X11,32 | BGA60,9X11,32 | RECTANGULAR | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | Obsolete | BGA | - | 30 | 5.58 | Compliant | Yes | 1.8 V | - | - | - | - | - | e1 | - | - | - | - | EAR99 | - | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 85 °C | 0 °C | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.28 | DRAMs | CMOS | - | BOTTOM | BALL | 260 | 1 | - | 0.8 mm | unknown | - | - | - | 60 | R-PBGA-B60 | Not Qualified | 1.8 V | 1.9 V | 1.8 V | OTHER | 1.7 V | - | - | 1.9 V | 1.7 V | - | 1 | 180 mA | SYNCHRONOUS | - | 0.24 mA | 450 ps | - | - | 8 b | 64MX8 | 3-STATE | 1.2 mm | 8 | - | 16 b | 512 Mb | 0.007 A | 536870912 bit | 667 MHz | - | - | COMMON | - | - | DDR DRAM | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 8192 | 4,8 | 4,8 | FOUR BANK PAGE BURST | YES | - | 10 mm | 8 mm | No | - | Lead Free | ||
| MT47H64M8CF-3:F | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипM45PE80-VMW6GAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC FLASH 8M SPI 75MHZ 8SO
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | YES | 8 | - | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tube | 2008 | - | - | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 8 | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.7V~3.6V | DUAL | - | 260 | 1 | 3V | 1.27mm | - | - | 30 | M45PE80 | 8 | - | - | 3.3V | - | - | - | - | 2.7V | SPI, Serial | - | - | 8Mb 1M x 8 | - | 4mA | - | 75MHz | - | 12 ns | FLASH | SPI | - | - | - | - | 8 | 15ms, 3ms | 1b | 8 Mb | 0.00001A | - | - | - | - | - | Synchronous | 8b | - | - | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | - | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.5mm | 5.62mm | - | No | ROHS3 Compliant | - | ||
| M45PE80-VMW6G | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMT53D768M64D8SQ-053 WT:EAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC DRAM 48G 1866MHZ FBGA
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | 556-VFBGA | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -30°C~85°C TC | Tray | - | - | - | - | Not For New Designs | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.1V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 48Gb 768M x 64 | - | - | - | 1866MHz | - | - | DRAM | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MT53D768M64D8SQ-053 WT:E | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипN25Q256A83ESF40GAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC FLASH 256M SPI 108MHZ 16SOP2
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | 16-SOIC (0.295, 7.50mm Width) | YES | 16 | - | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tube | 2012 | - | - | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 16 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.7V~3.6V | DUAL | - | 260 | 1 | 3V | 1.27mm | - | - | 30 | N25Q256A83 | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.7V | SPI, Serial | - | - | 256Mb 64M x 4 | - | - | - | 108MHz | - | - | FLASH | SPI | - | 256MX1 | - | - | 1 | 8ms, 5ms | - | 256 Mb | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 256B | - | - | - | - | - | - | 2.65mm | 10.3mm | 7.5mm | No | ROHS3 Compliant | - | ||
| N25Q256A83ESF40G | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипPC48F4400P0TB00AAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC FLASH 512M PARALLEL 64EASYBGA
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | 64-LBGA | - | 64 | 64-EasyBGA (10x13) | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TC | Tray | 2007 | StrataFlash™ | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | 85°C | -40°C | - | - | - | - | 2.3V~3.6V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 48F4400P0 | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.3V | Parallel, Serial | 3.6V | 2.3V | 512Mb 32M x 16 | - | 28mA | - | 52MHz | - | 85ns | FLASH | Parallel | - | - | - | - | - | 85ns | 25b | 512 Mb | - | - | - | - | - | - | Asynchronous | 16b | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | No | Non-RoHS Compliant | - | ||
| PC48F4400P0TB00A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMT41K256M16TW-125:PAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC DRAM 4G PARALLEL 800MHZ
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | 96-TFBGA | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0°C~95°C TC | Tray | - | - | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.283V~1.45V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 4Gb 256M x 16 | - | - | - | 800MHz | - | 20ns | DRAM | Parallel | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MT41K256M16TW-125:P | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипM45PE20-VMN6TPAnlielectronics Тип | Micron |
Flash, 256KX8, PDSO8, 0.150 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOP-8
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | YES | - | - | 8 | - | 33 MHz | MICRON TECHNOLOGY INC | Micron Technology Inc | M45PE20-VMN6TP | - | 262144 words | 256000 | 85 °C | -40 °C | PLASTIC/EPOXY | SOP | SOP, SOP8,.25 | SOP8,.25 | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE | Obsolete | SOIC | Yes | NOT SPECIFIED | 7.55 | - | Yes | 3 V | - | - | - | - | - | - | Yes | - | - | - | EAR99 | NOR TYPE | - | - | - | - | 8542.32.00.51 | Flash Memories | CMOS | - | DUAL | GULL WING | NOT SPECIFIED | 1 | - | 1.27 mm | compliant | - | - | - | 8 | R-PDSO-G8 | Not Qualified | - | 3.6 V | 3/3.3 V | INDUSTRIAL | 2.7 V | - | - | - | - | - | - | - | SYNCHRONOUS | - | 0.015 mA | - | - | - | - | 256KX8 | - | 1.75 mm | 8 | - | - | - | 0.00001 A | 2097152 bit | - | - | SERIAL | - | - | - | FLASH | 2.7 V | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | - | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 4.9 mm | 3.9 mm | - | - | - | ||
| M45PE20-VMN6TP | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипM25PX32-VMF6EAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
NOR Flash Serial-SPI 3.3V 32M-bit 4M x 8 8ns 16-Pin SO W Tube
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | 16-SOIC (0.295, 7.50mm Width) | YES | 16 | - | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tube | 2009 | - | - | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 16 | EAR99 | - | - | - | - | - | 8542.32.00.51 | - | - | 2.7V~3.6V | DUAL | - | 260 | 1 | 3V | 1.27mm | - | - | 30 | M25PX32 | 16 | - | - | 3.3V | - | - | - | - | 2.7V | SPI, Serial | - | - | 32Mb 4M x 8 | - | 12mA | - | 75MHz | - | 8 ns | FLASH | SPI | - | 4KX8 | - | - | 8 | 15ms, 5ms | 1b | 32 Mb | 0.00001A | - | - | - | - | - | Synchronous | 8b | - | - | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 15ms | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | - | - | - | 256B | - | - | - | - | - | - | 2.65mm | 10.3mm | - | No | ROHS3 Compliant | - | ||
| M25PX32-VMF6E | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMT41J64M16JT-107G:GAnlielectronics Тип | Micron |
DDR DRAM, 64MX16, CMOS, PBGA96, FBGA-96
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | YES | - | - | 96 | - | - | MICRON TECHNOLOGY INC | Micron Technology Inc | MT41J64M16JT-107G:G | - | 67108864 words | 64000000 | 85 °C | - | PLASTIC/EPOXY | TFBGA | TFBGA, | - | RECTANGULAR | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | Obsolete | - | - | - | 5.61 | - | Yes | 1.5 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | EAR99 | - | - | - | - | AUTO/SELF REFRESH | - | - | CMOS | - | BOTTOM | BALL | - | 1 | - | 0.8 mm | compliant | - | - | - | - | R-PBGA-B96 | - | - | 1.575 V | - | OTHER | 1.425 V | - | - | - | - | - | 1 | - | SYNCHRONOUS | - | - | - | - | - | - | 64MX16 | - | 1.2 mm | 16 | - | - | - | - | 1073741824 bit | - | - | - | - | - | - | DDR DRAM | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | MULTI BANK PAGE BURST | YES | - | 14 mm | 8 mm | - | - | - | ||
| MT41J64M16JT-107G:G | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMT41J128M8JP-107:GAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78FBGA
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | 78-TFBGA | YES | 78 | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0°C~95°C TC | Tray | 2014 | - | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | 78 | - | - | - | - | - | AUTO/SELF REFRESH | - | - | - | 1.425V~1.575V | BOTTOM | - | - | 1 | 1.5V | 0.8mm | - | - | - | MT41J128M8 | - | - | - | 1.5V | 1.575V | - | - | 1.425V | - | - | - | - | 1Gb 128M x 8 | 1 | - | - | 933MHz | - | - | DRAM | Parallel | 8b | 128MX8 | - | - | 8 | - | 17b | 1 Gb | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | MULTI BANK PAGE BURST | - | 1.2mm | 11.5mm | - | No | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| MT41J128M8JP-107:G | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMT47H32M16BN-25E:DAnlielectronics Тип | Micron |
DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, 10 X 12.50 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-84
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | YES | - | - | 84 | 0.4 ns | 400 MHz | MICRON TECHNOLOGY INC | Micron Technology Inc | MT47H32M16BN-25E:D | - | 33554432 words | 32000000 | 85 °C | - | PLASTIC/EPOXY | TFBGA | TFBGA, BGA84,9X15,32 | BGA84,9X15,32 | RECTANGULAR | GRID ARRAY | Obsolete | BGA | - | 30 | 5.6 | - | Yes | 1.8 V | - | - | - | - | - | e1 | - | - | - | - | EAR99 | - | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | - | - | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.28 | DRAMs | CMOS | - | BOTTOM | BALL | 260 | 1 | - | 0.8 mm | unknown | - | - | - | 84 | R-PBGA-B84 | Not Qualified | - | 1.9 V | 1.8 V | OTHER | 1.7 V | - | - | - | - | - | 1 | - | SYNCHRONOUS | - | 0.37 mA | - | - | - | - | 32MX16 | 3-STATE | 1.2 mm | 16 | - | - | - | 0.007 A | 536870912 bit | - | - | - | COMMON | - | - | DDR DRAM | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 8192 | 4,8 | 4,8 | FOUR BANK PAGE BURST | YES | - | 12.5 mm | 10 mm | - | - | - | ||
| MT47H32M16BN-25E:D | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMT48V4M32LFF5-10:GAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
DRAM Chip Mobile SDRAM 128M-Bit 4Mx32 2.5V 90-Pin VFBGA Tray
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| Min.:1 Mult.:1 | - | Surface Mount | Surface Mount | 90-VFBGA | - | 90 | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0°C~70°C TA | Box | 2007 | - | e0 | - | Discontinued | 2 (1 Year) | 90 | EAR99 | - | TIN LEAD SILVER | - | - | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.24 | - | - | 2.3V~2.7V | BOTTOM | - | 235 | 1 | 2.5V | 0.8mm | - | - | 30 | MT48V4M32 | 90 | - | - | 2.5V | 2.7V | - | - | 2.3V | - | - | - | - | 128Mb 4M x 32 | 1 | 110mA | - | 100MHz | - | 7ns | DRAM | Parallel | 32b | 8MX32 | 3-STATE | - | 32 | 15ns | 14b | 128 Mb | 0.00045A | - | - | - | - | COMMON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 4096 | 1248FP | 1248 | - | - | 1mm | 13mm | - | No | Non-RoHS Compliant | Contains Lead | ||
| MT48V4M32LFF5-10:G |
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