| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Factory Lead Time | Lifecycle Status | Mount | Mounting Type | Package / Case | Surface Mount | Number of Pins | Supplier Device Package | Number of Terminals | Access Time-Max | Active Read Current - Max | Base Product Number | Brand | Clock Frequency-Max (fCLK) | DRAM Type | Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity | Ihs Manufacturer | Interface Type | Manufacturer | Manufacturer Part Number | Maximum Clock Frequency | Maximum Operating Temperature | Memory Types | Mfr | Minimum Operating Temperature | Moisture Sensitive | Mounting Styles | MSL | Number of Words | Number of Words Code | Operating Temperature-Max | Operating Temperature-Min | Package | Package Body Material | Package Code | Package Description | Package Equivalence Code | Package Shape | Package Style | Part Life Cycle Code | Part Package Code | Product Status | Reflow Temperature-Max (s) | Risk Rank | RoHS | Rohs Code | Supplier Package | Supply Voltage-Max | Supply Voltage-Min | Supply Voltage-Nom (Vsup) | Operating Temperature | Packaging | Published | Series | JESD-609 Code | Pbfree Code | Part Status | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Number of Terminations | ECCN Code | Type | Terminal Finish | Max Operating Temperature | Min Operating Temperature | Additional Feature | HTS Code | Subcategory | Technology | Voltage - Supply | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Number of Functions | Supply Voltage | Terminal Pitch | Reach Compliance Code | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | Base Part Number | Pin Count | JESD-30 Code | Qualification Status | Operating Supply Voltage | Supply Voltage-Max (Vsup) | Power Supplies | Temperature Grade | Supply Voltage-Min (Vsup) | Voltage | Interface | Max Supply Voltage | Min Supply Voltage | Memory Size | Number of Ports | Nominal Supply Current | Operating Mode | Clock Frequency | Supply Current-Max | Access Time | Memory Format | Memory Interface | Data Bus Width | Organization | Output Characteristics | Seated Height-Max | Memory Width | Write Cycle Time - Word, Page | Address Bus Width | Product Type | Density | Standby Current-Max | Memory Density | Max Frequency | Access Time (Max) | Parallel/Serial | I/O Type | Sync/Async | Word Size | Memory IC Type | Programming Voltage | Serial Bus Type | Endurance | Data Retention Time-Min | Write Protection | Alternate Memory Width | Data Polling | Toggle Bit | Command User Interface | Number of Sectors/Size | Sector Size | Page Size | Ready/Busy | Boot Block | Refresh Cycles | Common Flash Interface | Sequential Burst Length | Interleaved Burst Length | Access Mode | Self Refresh | Product Category | Memory Organization | Height Seated (Max) | Length | Width | Radiation Hardening | RoHS Status | Lead Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. ТипMT28EW256ABA1HPC-0SIT TRAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
NOR Flash Parallel 2.7V to 3.6V 256Mbit 32M x 8bit/16M x 16bit 75ns 64-Ball LBGA T/R
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| Min.:1 Mult.:1 | 5 Weeks | - | - | Surface Mount | 64-LBGA | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | - | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.7V~3.6V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 256Mb 32M x 8 16M x 16 | - | - | - | - | - | 75ns | FLASH | Parallel | - | - | - | - | - | 60ns | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MT28EW256ABA1HPC-0SIT TR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипN25Q128A11ESE40FAnlielectronics Тип | Micron |
Flash, 128MX1, PDSO8, 0.208 INCH, ROHS COMPLIANT, SOP2-8
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | YES | - | - | 8 | - | - | - | - | 108 MHz | - | - | MICRON TECHNOLOGY INC | - | Micron Technology Inc | N25Q128A11ESE40F | - | - | - | - | - | - | - | - | 134217728 words | 128000000 | 85 °C | -40 °C | - | PLASTIC/EPOXY | SOP | SOP, SOP8,.3 | SOP8,.3 | SQUARE | SMALL OUTLINE | Obsolete | - | - | 30 | 7.91 | - | Yes | - | - | - | 1.8 V | - | - | - | - | e3 | Yes | - | - | - | - | NOR TYPE | Matte Tin (Sn) | - | - | - | - | Flash Memories | CMOS | - | DUAL | GULL WING | 260 | 1 | - | 1.27 mm | compliant | - | - | - | S-PDSO-G8 | Not Qualified | - | 2 V | 1.8 V | INDUSTRIAL | 1.7 V | - | - | - | - | - | - | - | SYNCHRONOUS | - | 0.02 mA | - | - | - | - | 128MX1 | - | 2.16 mm | 1 | - | - | - | - | 0.00001 A | 134217728 bit | - | - | SERIAL | - | - | - | FLASH | 3 V | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 5.285 mm | 5.285 mm | - | - | - | ||
| N25Q128A11ESE40F | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMTFC16GAKAEDQ-AITAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC FLASH 128G MMC
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| Min.:1 Mult.:1 | 11 Weeks | - | - | Surface Mount | 100-LBGA | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tray | - | e•MMC™ | - | - | Active | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.7V~1.9V | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 128Gb 16G x 8 | - | - | - | - | - | - | FLASH | MMC | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.7V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MTFC16GAKAEDQ-AIT | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипM29W640FB70ZA6FAnlielectronics Тип | Micron |
Flash, 4MX16, 70ns, PBGA48, TFBGA-48
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| Min.:1 Mult.:1 | - | EOL (Last Updated: 2 years ago) | - | - | - | YES | 48 | - | 48 | 70 ns | - | - | - | - | - | - | MICRON TECHNOLOGY INC | - | Micron Technology Inc | M29W640FB70ZA6F | - | - | NOR | - | - | - | - | - | 4194304 words | 4000000 | 85 °C | -40 °C | - | PLASTIC/EPOXY | TFBGA | TFBGA, BGA48,6X8,32 | BGA48,6X8,32 | RECTANGULAR | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | Obsolete | BGA | - | 30 | 7.59 | Compliant | Yes | - | - | - | 3 V | - | Tape & Reel | - | - | e1 | Yes | - | - | - | 3A991.B.1.A | NOR TYPE | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 85 °C | -40 °C | BOTTOM BOOT BLOCK | 8542.32.00.51 | Flash Memories | CMOS | - | BOTTOM | BALL | 260 | 1 | - | 0.8 mm | compliant | - | - | 48 | R-PBGA-B48 | Not Qualified | - | 3.6 V | 3/3.3 V | INDUSTRIAL | 2.7 V | 2.7 V | Parallel | 3.6 V | 2.7 V | - | - | 10 mA | ASYNCHRONOUS | - | 0.02 mA | 70 ns | - | - | - | 4MX16 | - | 1.2 mm | 16 | - | - | - | 64 Mb | 0.0001 A | 67108864 bit | - | - | PARALLEL | - | Asynchronous | - | FLASH | 3 V | - | - | - | - | 8 | YES | YES | YES | 8,127 | 8K,64K | 4/8 words | YES | BOTTOM | - | YES | - | - | - | - | - | - | - | 8 mm | 6 mm | No | - | - | ||
| M29W640FB70ZA6F | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипM29W320DB7AZA6FAnlielectronics Тип | Micron |
Flash, 2MX16, 70ns, PBGA63, TFBGA-63
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | YES | - | - | 63 | 70 ns | - | - | - | - | - | - | MICRON TECHNOLOGY INC | - | Micron Technology Inc | M29W320DB7AZA6F | - | - | - | - | - | - | - | - | 2097152 words | 2000000 | 85 °C | -40 °C | - | PLASTIC/EPOXY | TFBGA | TFBGA, BGA48,6X8,32 | BGA48,6X8,32 | RECTANGULAR | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | Obsolete | BGA | - | NOT SPECIFIED | 5.62 | - | Yes | - | - | - | 3.3 V | - | - | - | - | e1 | Yes | - | - | - | 3A991.B.1.A | NOR TYPE | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | - | - | BOTTOM BOOT BLOCK | 8542.32.00.51 | Flash Memories | CMOS | - | BOTTOM | BALL | NOT SPECIFIED | 1 | - | 0.8 mm | compliant | - | - | 63 | R-PBGA-B63 | Not Qualified | - | 3.6 V | 3/3.3 V | INDUSTRIAL | 2.7 V | - | - | - | - | - | - | - | ASYNCHRONOUS | - | 0.02 mA | - | - | - | - | 2MX16 | - | 1.2 mm | 16 | - | - | - | - | 0.0001 A | 33554432 bit | - | - | PARALLEL | - | - | - | FLASH | 3 V | - | - | - | - | 8 | YES | YES | YES | 1,2,1,63 | 16K,8K,32K,64K | - | YES | BOTTOM | - | YES | - | - | - | - | - | - | - | 11 mm | 7 mm | - | - | - | ||
| M29W320DB7AZA6F | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMT47H32M8BP-3:BAnlielectronics Тип | Micron |
DDR DRAM, 32MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | - | - | YES | 60 | - | 60 | 0.45 ns | - | - | - | 333 MHz | - | - | MICRON TECHNOLOGY INC | - | Micron Technology Inc | MT47H32M8BP-3:B | - | - | - | - | - | - | - | - | 33554432 words | 32000000 | 85 °C | - | - | PLASTIC/EPOXY | TFBGA | TFBGA, BGA60,9X11,32 | BGA60,9X11,32 | RECTANGULAR | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | Obsolete | BGA | - | 30 | 8.5 | Compliant | Yes | - | - | - | 1.8 V | - | - | - | - | e1 | Yes | - | - | - | EAR99 | - | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 85 °C | 0 °C | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.24 | DRAMs | CMOS | - | BOTTOM | BALL | 260 | 1 | - | 0.8 mm | unknown | - | - | 60 | R-PBGA-B60 | Not Qualified | 1.8 V | 1.9 V | 1.8 V | OTHER | 1.7 V | - | - | 1.9 V | 1.7 V | - | 1 | 190 mA | SYNCHRONOUS | - | 0.26 mA | 450 ps | - | - | 8 b | 32MX8 | 3-STATE | 1.2 mm | 8 | - | 15 b | - | 256 Mb | 0.005 A | 268435456 bit | 667 MHz | - | - | COMMON | - | - | DDR DRAM | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 8192 | - | 4,8 | 4,8 | FOUR BANK PAGE BURST | YES | - | - | - | 12 mm | 8 mm | No | - | Lead Free | ||
| MT47H32M8BP-3:B | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMT48LC4M32LFF5-10:GAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC SDRAM 128MBIT 100MHZ 90VFBGA
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | Surface Mount | 90-VFBGA | - | 90 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0°C~70°C TA | Box | 2007 | - | e0 | - | Discontinued | 2 (1 Year) | 90 | EAR99 | - | TIN LEAD SILVER | - | - | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.24 | - | - | 3V~3.6V | BOTTOM | - | 235 | 1 | 3.3V | 0.8mm | - | 30 | MT48LC4M32 | 90 | - | - | 3.3V | 3.6V | - | - | 3V | - | - | - | - | 128Mb 4M x 32 | 1 | 110mA | - | 100MHz | - | 7ns | DRAM | Parallel | 32b | 8MX32 | 3-STATE | - | 32 | 15ns | 14b | - | 128 Mb | 0.00045A | - | - | - | - | COMMON | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 4096 | - | 1248FP | 1248 | - | - | - | - | 1mm | 13mm | - | No | Non-RoHS Compliant | Contains Lead | ||
| MT48LC4M32LFF5-10:G | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMT40A256M16GE-075E:BAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
DRAM Chip DDR4 SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.2V 96-Pin FBGA
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Surface Mount | 96-TFBGA | YES | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0°C~95°C TC | Tray | 2016 | - | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | 96 | EAR99 | - | - | - | - | AUTO/SELF REFRESH | - | - | - | 1.14V~1.26V | BOTTOM | - | - | 1 | 1.2V | 0.8mm | - | - | - | - | R-PBGA-B96 | - | - | 1.26V | - | - | 1.14V | - | - | - | - | 4Gb 256M x 16 | 1 | - | SYNCHRONOUS | 1.33GHz | - | - | DRAM | Parallel | - | 256MX16 | - | - | 16 | - | - | - | - | - | 4294967296 bit | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | MULTI BANK PAGE BURST | - | - | - | 1.2mm | 14mm | 9mm | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MT40A256M16GE-075E:B | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMTFC32GAPALBH-AIT TRAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC FLASH 256G MMC
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| Min.:1 Mult.:1 | 5 Weeks | - | - | Surface Mount | 153-TFBGA | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | - | e•MMC™ | - | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 256Gb 32G x 8 | - | - | - | - | - | - | FLASH | MMC | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| MTFC32GAPALBH-AIT TR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMT48LC16M16A2P-7E:G TRAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
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| Min.:1 Mult.:1 | 4 Weeks | - | - | Surface Mount | 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | YES | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0°C~70°C TA | Tape & Reel (TR) | 2015 | - | e3 | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | 54 | EAR99 | - | Matte Tin (Sn) | - | - | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.24 | - | - | 3V~3.6V | DUAL | - | 260 | 1 | 3.3V | 0.8mm | - | 30 | MT48LC16M16A2 | - | R-PDSO-G54 | - | - | 3.6V | - | - | 3V | - | - | - | - | 256Mb 16M x 16 | 1 | - | SYNCHRONOUS | 133MHz | - | 5.4ns | DRAM | Parallel | - | 16MX16 | - | - | 16 | 14ns | - | - | - | - | 268435456 bit | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.2mm | 22.22mm | 10.16mm | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MT48LC16M16A2P-7E:G TR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипRC28F256P33BFAAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC FLASH 256M PARALLEL 64EASYBGA
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Surface Mount | 64-TBGA | YES | 64 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Non-Volatile | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C~85°C TC | Tray | 2008 | Axcell™ | e0 | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | 64 | 3A991.B.1.A | - | TIN LEAD SILVER | - | - | - | 8542.32.00.51 | - | - | 2.3V~3.6V | BOTTOM | - | 235 | 1 | 3V | 1mm | not_compliant | 30 | 28F256P33 | 64 | - | Not Qualified | - | - | 2.5/3.3V | - | - | 2.3V | Parallel, Serial | - | - | 256Mb 16M x 16 | - | 31mA | - | 52MHz | - | - | FLASH | Parallel | - | 16MX16 | - | - | 16 | 95ns | 24b | - | 256 Mb | 0.00021A | - | - | 95 ns | - | - | Asynchronous | 16b | - | - | - | - | - | - | - | NO | NO | - | 4255 | - | - | - | BOTTOM | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.2mm | 13mm | - | - | Non-RoHS Compliant | - | ||
| RC28F256P33BFA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMT29F16G08ABACAWP-AAT:C TRAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC FLASH 16GB PARALLEL 48TSOP I
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Surface Mount | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) | - | - | 48-TSOP I | - | - | - | MT29F16G08 | Micron | - | - | 1000 | - | - | Micron Technology | - | - | + 105 C | Non-Volatile | Micron Technology Inc. | - 40 C | - | SMD/SMT | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | -40°C ~ 105°C (TA) | Reel | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Memory & Data Storage | - | 2.7V ~ 3.6V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 16Gbit | - | - | - | - | - | 20 ns | FLASH | ONFI | 8 bit | 2 G x 8 | - | - | - | 20ns | - | NAND Flash | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | NAND Flash | 2G x 8 | - | - | - | - | - | - | ||
| MT29F16G08ABACAWP-AAT:C TR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMT25QL128ABB8E12-CAUTAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
128MB 3V BGA AUT AUTHENTA
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Surface Mount | 24-TBGA | - | - | 24-T-PBGA (6x8) | - | - | 31 mA | - | - | - | - | - | - | SPI | - | - | 133 MHz | + 125 C | Non-Volatile | Micron Technology Inc. | - 40 C | - | SMD/SMT | - | - | - | - | - | Tray | - | - | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | 3.6 V | 2.7 V | - | -40°C ~ 125°C (TA) | - | - | Automotive, AEC-Q100 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.7V ~ 3.6V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 128Mbit | - | - | - | 133 MHz | - | 5 ns | FLASH | SPI - Quad I/O | 8 bit | 16 M x 8 | - | - | - | 1.8ms | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 16M x 8 | - | - | - | - | - | - | ||
| MT25QL128ABB8E12-CAUT | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMT53E512M32D1ZW-046 IT:B TRAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Surface Mount | 200-TFBGA | - | - | 200-TFBGA (10x14.5) | - | - | - | MT53E512 | Micron | - | - | 2000 | - | - | Micron Technology | - | 2.133 GHz | + 95 C | Volatile | Micron Technology Inc. | - 40 C | Yes | SMD/SMT | - | - | - | - | - | Tape & Reel (TR) | - | - | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | 1.95 V | 1.06 V | - | -40°C ~ 95°C (TC) | MouseReel | - | - | - | - | - | - | - | - | SDRAM - LPDDR4 | - | - | - | - | - | Memory & Data Storage | - | 1.06V ~ 1.17V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 16Gbit | - | - | - | 2.133 GHz | 59 mA | 3.5 ns | DRAM | Parallel | 32 bit | 512 M x 32 | - | - | - | 18ns | - | DRAM | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | DRAM | 512M x 32 | - | - | - | - | - | - | ||
| MT53E512M32D1ZW-046 IT:B TR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMT53E512M32D1ZW-046 WT:BAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
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Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Surface Mount | 200-TFBGA | - | - | 200-TFBGA (10x14.5) | - | - | - | MT53E512 | Micron | - | LPDDR4 | 1360 | - | - | Micron Technology | - | - | - | Volatile | Micron Technology Inc. | - | Yes | SMD/SMT | MSL 3 - 168 hours | - | - | - | - | Tray | - | - | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | Details | - | - | - | - | - | -25°C ~ 85°C (TC) | Tray | - | - | - | - | - | - | - | - | SDRAM - LPDDR4 | - | - | - | - | - | Memory & Data Storage | - | 1.06V ~ 1.17V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 16Gbit | - | - | - | 2.133 GHz | - | 3.5 ns | DRAM | Parallel | - | - | - | - | - | 18ns | - | DRAM | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | DRAM | 512M x 32 | - | - | - | - | - | - | ||
| MT53E512M32D1ZW-046 WT:B | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMT62F1G64D8CH-031 WT:BAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC FLASH 64GBIT FBGA 8DP
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | MT62F1G64 | Micron | - | - | 1190 | - | - | Micron Technology | - | 3.2 GHz | + 85 C | Volatile | Micron Technology Inc. | - 25 C | Yes | SMD/SMT | - | - | - | - | - | Bulk | - | - | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | 1.05 V | - | - | -25°C ~ 85°C (TC) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | SDRAM Mobile - LPDDR5 | - | - | - | - | - | Memory & Data Storage | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 64Gbit | - | - | - | 3.2 GHz | - | - | DRAM | - | 64 bit | 1 G x 64 | - | - | - | - | - | DRAM | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | DRAM | 1G x 64 | - | - | - | - | - | - | ||
| MT62F1G64D8CH-031 WT:B | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMT40A2G16TBB-062E:FAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
IC DDR4 32G 2GX16 FBGA
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Surface Mount | 96-TFBGA | - | - | 96-FBGA (7.5x13) | - | - | - | MT40A2G16 | Micron | - | - | 1020 | - | - | Micron Technology | - | - | - | Volatile | Micron Technology Inc. | - | - | - | - | - | - | - | - | Tray | - | - | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | 0°C ~ 95°C (TC) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.14V ~ 1.26V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 32Gbit | - | - | - | 1.6 GHz | - | 13.75 ns | DRAM | Parallel | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Micron | 2G x 16 | - | - | - | - | - | - | ||
| MT40A2G16TBB-062E:F | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMTFC64GASAONS-ITAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
USSD 512G
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Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Surface Mount | 153-TFBGA | - | - | 153-TFBGA (11.5x13) | - | - | - | MTFC64 | Micron | - | - | 1520 | - | UFS 2.1 | Micron Technology | - | - | + 95 C | Non-Volatile | Micron Technology Inc. | - 40 C | - | SMD/SMT | - | - | - | - | - | Tray | - | - | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | TFBGA | 3.3 V | 3.3 V | - | -40°C ~ 95°C (TC) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.7V ~ 3.6V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 3.3 V | - | - | - | - | - | - | - | - | 512Gbit | - | - | - | 52 MHz | - | - | FLASH | UFS2.1 | - | - | - | - | - | - | - | Universal Flash Storage (UFS) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Universal Flash Storage - UFS | 64G x 8 | - | - | - | - | - | - | ||
| MTFC64GASAONS-IT | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMTFC128GASAONS-ITAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
USSD 1T
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Surface Mount | 153-TFBGA | - | - | 153-TFBGA (11.5x13) | - | - | - | MTFC128 | Micron | - | - | 1520 | - | UFS 2.1 | Micron Technology | - | - | + 95 C | Non-Volatile | Micron Technology Inc. | - 40 C | - | - | - | - | - | - | - | Tray | - | - | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | TFBGA | 3.3 V | 3.3 V | - | -40°C ~ 95°C (TC) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.7V ~ 3.6V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 3.3 V | - | - | - | - | - | - | - | - | 1Tbit | - | - | - | 52 MHz | - | - | FLASH | UFS2.1 | - | - | - | - | - | - | - | Universal Flash Storage (UFS) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Universal Flash Storage - UFS | 128G x 8 | - | - | - | - | - | - | ||
| MTFC128GASAONS-IT | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMT40A1G8SA-062E:RAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MOD DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Surface Mount | 78-TFBGA | - | - | 78-FBGA (7.5x11) | - | - | - | MT40A1G8 | Micron | - | DDR4 | 1260 | - | - | Micron Technology | - | - | + 95 C | Volatile | Micron Technology Inc. | 0 C | - | SMD/SMT | - | - | - | - | - | Bulk | - | - | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | Details | - | - | 1.26 V | 1.14 V | - | 0°C ~ 95°C (TC) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | SDRAM - DDR4 | - | - | - | - | - | Memory & Data Storage | - | 1.14V ~ 1.26V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 8Gbit | - | - | - | 1.6 GHz | - | 19 ns | DRAM | Parallel | 8 bit | 1 G x 8 | - | - | - | 15ns | - | DRAM | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | DRAM | 1G x 8 | - | - | - | - | - | - | ||
| MT40A1G8SA-062E:R |
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