Memory Products For Sale - PDF - Integrated Circuits (ICs) -Page39

Изображение	Тип	Марка	Объяснение	Количество	Mounting Type	Package / Case	Supplier Device Package	Active Read Current - Max	Base Product Number	Brand	DRAM Type	Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity	Interface Type	Manufacturer	Maximum Clock Frequency	Maximum Operating Temperature	Memory Types	Mfr	Minimum Operating Temperature	Moisture Sensitive	Mounting Styles	MSL	Package	Product Status	RoHS	Supplier Package	Supply Voltage-Max	Supply Voltage-Min	Operating Temperature	Packaging	Series	Type	Subcategory	Technology	Voltage - Supply	Pin Count	Operating Supply Voltage	Memory Size	Clock Frequency	Supply Current-Max	Access Time	Memory Format	Memory Interface	Data Bus Width	Organization	Write Cycle Time - Word, Page	Product Type	Density	Product	Product Category	Memory Organization
	Mfr. Тип MTFC128GAZAQJP-IT TR Anlielectronics Тип	Micron Technology Inc.	IC FLASH 128GB EMMC 153VFPGA Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	153-VFBGA	153-VFBGA (11.5x13)	-	MTFC128	-	-	-	-	-	-	-	Non-Volatile	Micron Technology Inc.	-	-	SMD/SMT	-	Tape & Reel (TR)	Active	-	VFBGA	-	-	-40°C ~ 85°C (TA)	-	-	Embedded MMC	Memory & Data Storage	-	2.7V ~ 3.6V	153	3.3 V	1Tbit	200 MHz	-	-	FLASH	eMMC	-	-	-	eMMC	128 GB	-	-	128G x 8
MTFC128GAZAQJP-IT TR Micron Technology Inc. RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MTFC32GAZAQDW-AAT TR Anlielectronics Тип	Micron Technology Inc.	IC FLASH NAND 256GB 153VFBGA Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	Micron	-	1500	-	Micron Technology	-	-	-	Micron Technology Inc.	-	-	SMD/SMT	-	Tape & Reel (TR)	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	Memory & Data Storage	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	eMMC	-	eMMC Flash Drive	eMMC	-
MTFC32GAZAQDW-AAT TR Micron Technology Inc. RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MT29F16G08ABCCBH1-AAT:C TR Anlielectronics Тип	Micron Technology Inc.	IC FLASH 16GB PARALLEL 100VBGA Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	100-VBGA	100-VBGA (12x18)	-	MT29F16G08	Micron	-	2000	-	Micron Technology	-	+ 105 C	Non-Volatile	Micron Technology Inc.	- 40 C	-	SMD/SMT	-	-	Active	-	-	-	-	-40°C ~ 105°C (TA)	Reel	-	-	Memory & Data Storage	-	2.7V ~ 3.6V	-	-	16Gbit	-	-	20 ns	FLASH	ONFI	8 bit	2 G x 8	20ns	NAND Flash	-	-	NAND Flash	2G x 8
MT29F16G08ABCCBH1-AAT:C TR Micron Technology Inc. RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MT53E512M64D2HJ-046 WT:B Anlielectronics Тип	Micron Technology Inc.	IC DRAM LPDDR4 32G 512MX64 FBGA Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	556-TFBGA	556-TFBGA (12.4x12.4)	-	MT53E512	Micron	Mobile LPDDR4	1360	-	Micron Technology	-	-	Volatile	Micron Technology Inc.	-	-	SMD/SMT	MSL 3 - 168 hours	Tray	Active	Details	-	-	-	-25°C ~ 85°C (TC)	Tray	-	SDRAM - LPDDR4	Memory & Data Storage	-	1.06V ~ 1.17V	-	-	32Gbit	2.133 GHz	-	3.5 ns	DRAM	Parallel	-	-	18ns	DRAM	-	-	DRAM	512M x 64
MT53E512M64D2HJ-046 WT:B Micron Technology Inc. RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MT53E512M64D2NZ-46 WT:B TR Anlielectronics Тип	Micron Technology Inc.	IC DRAM LPDDR4 32G 512MX64 FBGA Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	376-WFBGA	376-WFBGA (14x14)	-	MT53E512	Micron	-	1190	-	Micron Technology	-	-	Volatile	Micron Technology Inc.	-	-	SMD/SMT	-	Tape & Reel (TR)	Active	-	-	-	-	-25°C ~ 85°C (TC)	-	-	-	Memory & Data Storage	-	1.06V ~ 1.17V	-	-	32Gbit	2.133 GHz	-	3.5 ns	DRAM	Parallel	-	-	18ns	DRAM	-	-	DRAM	512M x 64
MT53E512M64D2NZ-46 WT:B TR Micron Technology Inc. RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MT40A1G16TB-062E IT:F Anlielectronics Тип	Micron Technology Inc.	MOD DRAM 16GBIT PARALLEL 96FBGA Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	96-TFBGA	96-FBGA (7.5x13)	-	MT40A1G16	Micron	-	1020	-	Micron Technology	-	-	Volatile	Micron Technology Inc.	-	-	SMD/SMT	MSL 3 - 168 hours	Tray	Active	Details	-	-	-	-40°C ~ 95°C (TC)	-	-	-	Memory & Data Storage	-	1.14V ~ 1.26V	-	-	16Gbit	1.6 GHz	-	19 ns	DRAM	Parallel	-	1 G x 16	15ns	DRAM	-	-	DRAM	1G x 16
MT40A1G16TB-062E IT:F Micron Technology Inc. RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MT53E1G64D4NZ-46 WT:C Anlielectronics Тип	Micron Technology Inc.	IC DRAM LPDDR4 64G 1GX64 FBGA Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	376-WFBGA	376-WFBGA (14x14)	-	MT53E1G64	Micron	-	1190	-	Micron Technology	-	-	Volatile	Micron Technology Inc.	-	-	SMD/SMT	-	Bulk	Active	-	-	-	-	-25°C ~ 85°C (TC)	-	-	-	Memory & Data Storage	-	1.06V ~ 1.17V	-	-	64Gbit	2.133 GHz	-	3.5 ns	DRAM	Parallel	-	-	18ns	DRAM	-	-	DRAM	1G x 64
MT53E1G64D4NZ-46 WT:C Micron Technology Inc. RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MT25QL128ABB8ESF-CSIT Anlielectronics Тип	Micron Technology Inc.	128MB 3V SO16 IT AUTHENTA Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)	16-SOP2	31 mA	-	-	-	-	SPI	-	133 MHz	+ 85 C	Non-Volatile	Micron Technology Inc.	- 40 C	-	SMD/SMT	-	Tray	Active	-	-	3.6 V	2.7 V	-40°C ~ 85°C (TA)	-	-	-	-	-	2.7V ~ 3.6V	-	-	128Mbit	133 MHz	-	5 ns	FLASH	SPI - Quad I/O	8 bit	16 M x 8	1.8ms	-	-	-	-	16M x 8
MT25QL128ABB8ESF-CSIT Micron Technology Inc. RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MT53E512M64D2HJ-046 WT:B TR Anlielectronics Тип	Micron Technology Inc.	IC DRAM LPDDR4 32G 512MX64 FBGA Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	556-TFBGA	556-TFBGA (12.4x12.4)	-	MT53E512	-	-	-	-	-	-	-	Volatile	Micron Technology Inc.	-	-	SMD/SMT	-	Tape & Reel (TR)	Active	-	-	-	-	-25°C ~ 85°C (TC)	-	-	SDRAM - LPDDR4	-	-	1.06V ~ 1.17V	-	-	32Gbit	2.133 GHz	-	3.5 ns	DRAM	Parallel	-	-	18ns	-	-	-	-	512M x 64
MT53E512M64D2HJ-046 WT:B TR Micron Technology Inc. RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MT53E512M64D2NZ-46 WT:B Anlielectronics Тип	Micron Technology Inc.	IC DRAM LPDDR4 32G 512MX64 FBGA Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	376-WFBGA	376-WFBGA (14x14)	-	MT53E512	Micron	-	1190	-	Micron Technology	-	-	Volatile	Micron Technology Inc.	-	-	SMD/SMT	-	Bulk	Active	-	-	-	-	-25°C ~ 85°C (TC)	-	-	-	Memory & Data Storage	-	1.06V ~ 1.17V	-	-	32Gbit	2.133 GHz	-	3.5 ns	DRAM	Parallel	-	-	18ns	DRAM	-	-	DRAM	512M x 64
MT53E512M64D2NZ-46 WT:B Micron Technology Inc. RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MT40A4G8NEA-062E:F Anlielectronics Тип	Micron Technology Inc.	IC DDR4 32G 4GX8 FBGA Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	78-TFBGA	78-FBGA (7.5x11)	-	MT40A4G8	Micron	DDR4	1260	-	Micron Technology	-	-	Volatile	Micron Technology Inc.	-	-	SMD/SMT	MSL 3 - 168 hours	Tray	Active	Details	-	-	-	0°C ~ 95°C (TC)	Tray	-	SDRAM - DDR4	Memory & Data Storage	-	1.14V ~ 1.26V	-	-	32Gbit	1.6 GHz	-	13.75 ns	DRAM	Parallel	-	-	-	DRAM	-	-	DRAM	4G x 8
MT40A4G8NEA-062E:F Micron Technology Inc. RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MT25QL256BBB8E12-CAUT Anlielectronics Тип	Micron Technology Inc.	256MB 3V BGA AUT AUTHENTA Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	24-TBGA	24-T-PBGA (6x8)	31 mA	-	-	-	-	SPI	-	133 MHz	+ 125 C	Non-Volatile	Micron Technology Inc.	- 40 C	-	SMD/SMT	-	Tray	Active	-	-	3.6 V	2.7 V	-40°C ~ 125°C (TA)	-	Automotive, AEC-Q100	-	-	-	2.7V ~ 3.6V	-	-	128Mbit	133 MHz	-	5 ns	FLASH	SPI - Quad I/O	8 bit	32 M x 8	1.8ms	-	-	-	-	16M x 8
MT25QL256BBB8E12-CAUT Micron Technology Inc. RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MT53E256M16D1FW-046 AIT:B TR Anlielectronics Тип	Micron Technology Inc.	IC DRAM LPDDR4 4G FBGA Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	MT53E256	-	-	-	-	-	-	-	Volatile	Micron Technology Inc.	-	-	-	-	Tape & Reel (TR)	Active	-	-	-	-	-40°C ~ 95°C (TC)	-	Automotive, AEC-Q100	-	-	-	1.1V	-	-	4Gbit	2.133 GHz	-	-	DRAM	-	-	-	-	-	-	-	-	256M x 16
MT53E256M16D1FW-046 AIT:B TR Micron Technology Inc. RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MT40A2G8NEA-062E:R Anlielectronics Тип	Micron Technology Inc.	MOD DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	78-TFBGA	78-FBGA (7.5x11)	-	MT40A2G8	-	-	-	-	-	-	-	Volatile	Micron Technology Inc.	-	-	-	-	Bulk	Active	-	-	-	-	0°C ~ 95°C (TC)	-	-	-	-	-	1.14V ~ 1.26V	-	-	16Gbit	1.6 GHz	-	13.75 ns	DRAM	Parallel	-	-	15ns	-	-	-	-	2G x 8
MT40A2G8NEA-062E:R Micron Technology Inc. RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MT40A1G16TB-062E:F Anlielectronics Тип	Micron Technology Inc.	MOD DRAM 16GBIT PARALLEL 96FBGA Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	96-TFBGA	96-FBGA (7.5x13)	-	MT40A1G16	Micron	DDR4	1020	-	Micron Technology	-	+ 95 C	Volatile	Micron Technology Inc.	0 C	Yes	SMD/SMT	MSL 3 - 168 hours	Bulk	Active	Details	-	1.26 V	1.14 V	0°C ~ 95°C (TC)	Tray	-	SDRAM - DDR4	Memory & Data Storage	-	1.14V ~ 1.26V	-	-	16Gbit	1.5 GHz	-	19 ns	DRAM	Parallel	16 bit	1 G x 16	15ns	DRAM	-	-	DRAM	1G x 16
MT40A1G16TB-062E:F Micron Technology Inc. RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MT40A1G8SA-062E:R TR Anlielectronics Тип	Micron Technology Inc.	MOD DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	78-TFBGA	78-FBGA (7.5x11)	-	MT40A1G8	Micron	-	2000	-	Micron Technology	1.6 GHz	+ 95 C	Volatile	Micron Technology Inc.	0 C	Yes	SMD/SMT	-	Tape & Reel (TR)	Active	Details	-	1.26 V	1.14 V	0°C ~ 95°C (TC)	-	-	SDRAM - DDR4	Memory & Data Storage	-	1.14V ~ 1.26V	-	-	8Gbit	1.6 GHz	69 mA	19 ns	DRAM	Parallel	8 bit	1 G x 8	15ns	DRAM	-	-	DRAM	1G x 8
MT40A1G8SA-062E:R TR Micron Technology Inc. RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MTFC32GASAONS-IT Anlielectronics Тип	Micron Technology Inc.	USSD 256G Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	153-TFBGA	153-TFBGA (11.5x13)	-	MTFC32G	Micron	-	1520	UFS 2.1	Micron Technology	-	+ 95 C	Non-Volatile	Micron Technology Inc.	- 40 C	-	SMD/SMT	-	Tray	Active	-	TFBGA	3.3 V	3.3 V	-40°C ~ 95°C (TC)	-	-	-	-	-	2.7V ~ 3.6V	-	3.3 V	256Gbit	52 MHz	-	-	FLASH	MMC	-	-	-	Universal Flash Storage (UFS)	-	-	Universal Flash Storage - UFS	32G x 8
MTFC32GASAONS-IT Micron Technology Inc. RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MT29F16G08CBACAL72A3WC1L Anlielectronics Тип	Micron Technology Inc.	MOD NAND FLASH 16G MLC DIE 2GX8 Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	Die	Wafer	-	MT29F16G08	-	-	-	-	-	-	-	Non-Volatile	Micron Technology Inc.	-	-	-	-	-	Active	-	-	-	-	0°C ~ 70°C (TA)	-	-	-	-	-	2.7V ~ 3.6V	-	-	16Gbit	-	-	-	FLASH	ONFI	-	-	20ns	-	-	-	-	2G x 8
MT29F16G08CBACAL72A3WC1L Micron Technology Inc. RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MT40A1G16TB-062E:F TR Anlielectronics Тип	Micron Technology Inc.	MOD DRAM 16GBIT PARALLEL 96FBGA Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	96-TFBGA	96-FBGA (7.5x13)	-	MT40A1G16	Micron	-	2000	-	Micron Technology	-	+ 95 C	Volatile	Micron Technology Inc.	0 C	-	SMD/SMT	-	-	Active	Details	-	1.26 V	1.14 V	0°C ~ 95°C (TC)	Reel	-	SDRAM - DDR4	Memory & Data Storage	-	1.14V ~ 1.26V	-	-	16Gbit	1.5 GHz	-	19 ns	DRAM	Parallel	16 bit	1 G x 16	15ns	DRAM	-	-	DRAM	1G x 16
MT40A1G16TB-062E:F TR Micron Technology Inc. RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MT53E256M32D2FW-046 IT:B Anlielectronics Тип	Micron	DRAM LPDDR4 8G 256MX32 FBGA DDP Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	VFBGA-200	200-TFBGA (10x14.5)	-	-	-	LPDDR4	1360	-	-	2.133 GHz	+ 85 C	Volatile	Micron Technology Inc.	- 40 C	Yes	SMD/SMT	-	Box	Active	-	-	1.1 V	-	-40°C ~ 95°C (TC)	Tray	-	SDRAM Mobile - LPDDR4	-	SDRAM - Mobile LPDDR4X	1.06V ~ 1.17V	-	-	8 Gbit	2.133 GHz	-	3.5 ns	DRAM	Parallel	32 bit	256 M x 32	18ns	-	-	-	-	256M x 32
MT53E256M32D2FW-046 IT:B Micron RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -

Integrated Circuits (ICs)

Memory definition: Memory is a component used to store programs and various data information. A memory cell is actually a type of sequential logic circuit. A m... Memory Product Listing: MTFC128GAZAQJP-IT TR,MTFC32GAZAQDW-AAT TR,MT29F16G08ABCCBH1-AAT:C TR,MT53E512M64D2HJ-046 WT:B,MT53E512M64D2NZ-46 WT:B TR.Integrated Circuits (ICs) type:Embedded - Microcontrollers(129432),Memory(111901),PMIC - Supervisors(101743),PMIC - Voltage Regulators - Linear(101187),PMIC - Voltage Regulators - DC DC Switching Regulators(62822) .Memory has 10000 pieces of spot stock price information, you can click the "RFQ" button to confirm the inventory and price with the Anli.

Индекс :

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

Локаль

Язык

Валюта

Здравствуйте, добро пожаловать в ANLI

Anlielectronics

Локаль

Язык

Валюта

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Integrated Circuits (ICs)