Memory Products For Sale - PDF - Integrated Circuits (ICs) -Page43

Изображение	Тип	Марка	Объяснение	Количество	Mounting Type	Package / Case	Supplier Device Package	Base Product Number	DRAM Type	Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity	Ihs Manufacturer	Interface Type	Manufacturer Part Number	Maximum Clock Frequency	Maximum Operating Temperature	Memory Types	Mfr	Minimum Operating Temperature	Moisture Sensitive	Mounting	Mounting Styles	MSL	Package	Part Life Cycle Code	Product Status	RoHS	Rohs Code	Supplier Package	Supply Voltage-Max	Supply Voltage-Min	Operating Temperature	Packaging	Series	Type	Technology	Voltage - Supply	Pin Count	Operating Supply Voltage	Memory Size	Clock Frequency	Supply Current-Max	Access Time	Memory Format	Memory Interface	Data Bus Width	Organization	Write Cycle Time - Word, Page	Density	Product	Memory Organization
	Mfr. Тип MT53E1G64D4HJ-046 WT:A TR Anlielectronics Тип	Micron	DRAM LPDDR4 64G 1GX64 FBGA QDP Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	VFBGA-200	-	-	-	2000	-	-	-	2.133 GHz	-	-	Micron Technology Inc.	-	-	-	SMD/SMT	-	Tape & Reel (TR)	-	Active	-	-	-	1.1 V	-	-	-	-	SDRAM Mobile - LPDDR4	-	-	-	-	64 Gbit	-	-	-	-	-	64 bit	1 G x 64	-	-	-	-
MT53E1G64D4HJ-046 WT:A TR Micron RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MT53E2G32D4DE-046 WT:A Anlielectronics Тип	Micron	DRAM LPDDR4 64G 1GX64 FBGA QDP Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	VFBGA-200	200-TFBGA (10x14.5)	-	LPDDR4	1360	-	-	-	2.133 GHz	-	Volatile	Micron Technology Inc.	-	-	-	SMD/SMT	-	Box	-	Active	-	-	-	1.1 V	-	-25°C ~ 85°C (TC)	-	-	SDRAM Mobile - LPDDR4	SDRAM - Mobile LPDDR4X	1.06V ~ 1.17V	-	-	64 Gbit	2.133 GHz	-	3.5 ns	DRAM	Parallel	32 bit	2 G x 32	18ns	-	-	2G x 32
MT53E2G32D4DE-046 WT:A Micron RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MT53E512M64D4HJ-046 AIT:D TR Anlielectronics Тип	Micron	DRAM LPDDR4 32G 512MX64 FBGA QDP Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	VFBGA-200	-	-	-	2000	-	-	-	2.133 GHz	+ 85 C	-	-	- 40 C	-	-	SMD/SMT	-	-	-	-	-	-	-	1.1 V	-	-	-	-	SDRAM Mobile - LPDDR4	-	-	-	-	32 Gbit	-	-	-	-	-	64 bit	512 M x 64	-	-	-	-
MT53E512M64D4HJ-046 AIT:D TR Micron RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MT53E1G32D2FW-046 IT:A TR Anlielectronics Тип	Micron	DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA DDP Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	VFBGA-200	200-TFBGA (10x14.5)	-	-	2000	-	-	-	2.133 GHz	+ 85 C	Volatile	Micron Technology Inc.	- 40 C	-	-	SMD/SMT	-	Tape & Reel (TR)	-	Active	-	-	-	1.1 V	-	-40°C ~ 95°C (TC)	-	-	SDRAM Mobile - LPDDR4	SDRAM - Mobile LPDDR4X	1.06V ~ 1.17V	-	-	32 Gbit	2.133 GHz	-	-	DRAM	Parallel	32 bit	1 G x 32	18ns	-	-	1G x 32
MT53E1G32D2FW-046 IT:A TR Micron RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MTFC128GASAONS-AIT TR Anlielectronics Тип	Micron	Universal Flash Storage - UFS 2.1 uSSD 1T Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	TFBGA-153	-	-	-	2000	-	UFS 2.1	-	-	+ 95 C	-	Micron Technology Inc.	- 40 C	-	-	-	-	Tape & Reel (TR)	-	Active	-	-	-	3.3 V	3.3 V	-	-	-	-	-	-	-	3.3 V	128 GB	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MTFC128GASAONS-AIT TR Micron RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MTFC32GASAONS-AIT TR Anlielectronics Тип	Micron	Universal Flash Storage - UFS 2.1 uSSD 256G Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	TFBGA-153	153-TFBGA (11.5x13)	-	-	2000	-	UFS 2.1	-	-	+ 95 C	Non-Volatile	Micron Technology Inc.	- 40 C	-	-	SMD/SMT	-	Tape & Reel (TR)	-	Active	-	-	-	3.3 V	3.3 V	-40°C ~ 95°C (TC)	-	Automotive, AEC-Q104	-	FLASH - NAND (SLC)	2.7V ~ 3.6V	-	3.3 V	32 GB	52 MHz	-	-	FLASH	UFS2.1	-	-	-	-	-	32G x 8
MTFC32GASAONS-AIT TR Micron RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MT53E512M64D4HJ-046 WT:D Anlielectronics Тип	Micron	DRAM DRAM LPDDR4 Z11M 8Gb Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	VFBGA-200	-	-	-	1360	-	-	-	2.133 GHz	-	-	Micron Technology Inc.	-	-	-	SMD/SMT	-	Box	-	Active	-	-	-	1.1 V	-	-	-	-	SDRAM Mobile - LPDDR4	-	-	-	-	32 Gbit	-	-	-	-	-	64 bit	512 M x 64	-	-	-	-
MT53E512M64D4HJ-046 WT:D Micron RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MTFC32GASAONS-AAT Anlielectronics Тип	Micron	Universal Flash Storage - UFS uSSD 256G Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	TFBGA-153	153-TFBGA (11.5x13)	-	-	1520	-	UFS 2.1	-	-	+ 105 C	Non-Volatile	Micron Technology Inc.	- 40 C	-	-	SMD/SMT	-	Box	-	Active	-	-	TFBGA	3.3 V	3.3 V	-40 to 105 °C	-	Automotive, AEC-Q100	-	FLASH - NAND (SLC)	2.7V ~ 3.6V	-	3.3 V	32 GB	52 MHz	-	-	FLASH	UFS2.1	-	-	-	-	-	32G x 8
MTFC32GASAONS-AAT Micron RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MTFC64GASAONS-AAT Anlielectronics Тип	Micron	Universal Flash Storage - UFS uSSD 512G Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	TFBGA-153	153-TFBGA (11.5x13)	-	-	1520	MICRON TECHNOLOGY INC	UFS 2.1	MTFC64GASAONS-AAT	-	+ 105 C	Non-Volatile	Micron Technology Inc.	- 40 C	-	Surface Mount	SMD/SMT	-	Box	Active	Active	-	Yes	TFBGA	3.3 V	3.3 V	-40 to 105 °C	-	MTFC	Universal Flash Storage	FLASH - NAND (SLC)	2.7V ~ 3.6V	153	3.3 V	64 GB	52 MHz	-	-	FLASH	UFS2.1	-	-	-	64 GB	-	64G x 8
MTFC64GASAONS-AAT Micron RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MT40A4G4JC-062E:E TR Anlielectronics Тип	Micron	DRAM DRAMDDR4Z32D16Gb Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	FBGA-78	78-FBGA (9x11)	-	-	2000	-	-	-	-	+ 95 C	Volatile	Micron Technology Inc.	0 C	-	-	SMD/SMT	-	Tape & Reel (TR)	-	Obsolete	-	-	-	-	-	0°C ~ 95°C (TC)	Reel	-	SDRAM - DDR4	SDRAM - DDR4	1.14V ~ 1.26V	-	-	16 Gbit	1.6 GHz	-	19 ns	DRAM	POD	-	4 G x 4	15ns	-	-	4G x 4
MT40A4G4JC-062E:E TR Micron RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MT40A512M8SA-075:F Anlielectronics Тип	Micron	DRAM DDR4 4G 512MX8 FBGA Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	FBGA-78	78-FBGA (7.5x11)	-	-	1260	-	-	-	-	+ 95 C	Volatile	Micron Technology Inc.	0 C	-	-	SMD/SMT	-	Box	-	Active	-	-	-	1.26 V	1.14 V	0°C ~ 95°C (TC)	Tray	MT40A	SDRAM - DDR4	SDRAM - DDR4	1.14V ~ 1.26V	-	-	4 Gbit	1.333 GHz	76 mA	19 ns	DRAM	POD	8 bit	512 M x 8	15ns	-	-	512M x 8
MT40A512M8SA-075:F Micron RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MT53E1G64D4HJ-046 AUT:C Anlielectronics Тип	Micron	DRAM LPDDR4 64G 1GX64 FBGA Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	556-TFBGA	556-WFBGA (12.4x12.4)	-	-	1360	-	-	-	-	-	Volatile	Micron Technology Inc.	-	-	-	SMD/SMT	-	Box	-	Active	Details	-	-	-	-	-40°C ~ 125°C (TC)	-	Automotive, AEC-Q100	-	SDRAM - Mobile LPDDR4X	1.06V ~ 1.17V	-	-	64 Gbit	2.133 GHz	-	3.5 ns	DRAM	Parallel	-	1 G x 64	18ns	-	-	1G x 64
MT53E1G64D4HJ-046 AUT:C Micron RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MT53E2G32D4DE-046 WT ES:C Anlielectronics Тип	Micron	DRAM LPDDR4 64G 2GX32 FBGA Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	2000	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	SMD/SMT	-	-	-	-	Details	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	64 Gbit	-	-	-	-	-	-	2 G x 32	-	-	-	-
MT53E2G32D4DE-046 WT ES:C Micron RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MT62F1536M64D8EK-023 AUT:B Anlielectronics Тип	Micron	DRAM LPDDR5 96G 1.5GX64 FBGA Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	441-TFBGA	441-TFBGA (14x14)	-	-	1190	-	-	-	-	-	Volatile	Micron Technology Inc.	-	-	-	SMD/SMT	-	Box	-	Active	Details	-	-	-	-	-40°C ~ 125°C	-	Automotive, AEC-Q100	-	SDRAM - Mobile LPDDR5	-	-	-	96 Gbit	4.266 GHz	-	-	DRAM	Parallel	-	1.5 G x 64	-	-	-	1.5G x 64
MT62F1536M64D8EK-023 AUT:B Micron RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MTFC32GAZAQHD-WT TR Anlielectronics Тип	Micron	eMMC eMMC 256G Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	153-VFBGA	153-VFBGA (11.5x13)	-	-	2000	-	-	-	-	+ 85 C	Non-Volatile	Micron Technology Inc.	- 25 C	Yes	-	SMD/SMT	-	Tape & Reel (TR)	-	Active	Details	-	-	3.6 V	2.7 V	-25°C ~ 85°C (TA)	Cut Tape	e•MMC™	-	FLASH - NAND (SLC)	2.7V ~ 3.6V	-	-	256 GB	200 MHz	-	-	FLASH	eMMC_5.1	-	-	-	-	eMMC Flash Drive	32G x 8
MTFC32GAZAQHD-WT TR Micron RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MTFC64GAZAQHD-AIT Anlielectronics Тип	Micron	eMMC eMMC 512G Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	1520	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	SMD/SMT	MSL 3 - 168 hours	-	-	-	Details	-	-	-	-	-	Tray	-	-	-	-	-	-	512 GB	200MHz	-	-	-	-	-	-	-	-	eMMC Flash Drive	-
MTFC64GAZAQHD-AIT Micron RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MTFC32GAZAQHD-AAT TR Anlielectronics Тип	Micron	eMMC eMMC 256G Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	153-VFBGA	153-VFBGA (11.5x13)	MTFC32G	-	2000	-	-	-	-	-	Non-Volatile	Micron Technology Inc.	-	-	-	SMD/SMT	-	Tape & Reel (TR)	-	Active	Details	-	-	-	-	-40°C ~ 105°C (TA)	Reel	Automotive, AEC-Q100	-	FLASH - NAND	2.7V ~ 3.6V	-	-	256 GB	200 MHz	-	-	FLASH	MMC	-	-	-	-	eMMC Flash Drive	32G x 8
MTFC32GAZAQHD-AAT TR Micron RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MTFC128GAZAQJP-AAT TR Anlielectronics Тип	Micron	eMMC 1Tb (4xNAND B16A TLC 256Gb Rfl) Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	2000	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	SMD/SMT	-	-	-	-	Details	-	-	-	-	-	Reel	-	-	-	-	-	-	1 TB	-	-	-	-	-	-	-	-	-	eMMC Flash Drive	-
MTFC128GAZAQJP-AAT TR Micron RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MTFC64GAZAQHD-AAT Anlielectronics Тип	Micron	eMMC eMMC 512G Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	1520	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	SMD/SMT	-	-	-	-	Details	-	-	-	-	-	Tray	-	-	-	-	-	-	512 GB	200MHz	-	-	-	-	-	-	-	64 GB	eMMC Flash Drive	-
MTFC64GAZAQHD-AAT Micron RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MT29F1T08EELEEJ4-T:E Anlielectronics Тип	Micron	NAND Flash TLC 1T 128GX8 VBGA DDP Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	132-VBGA	132-VBGA (12x18)	-	-	1120	-	-	-	-	-	Non-Volatile	Micron Technology Inc.	-	-	-	SMD/SMT	-	Box	-	Active	Details	-	-	-	-	0°C ~ 70°C	Tray	-	-	FLASH - NAND (TLC)	2.6V ~ 3.6V	-	-	1 Tbit	-	-	-	FLASH	Parallel	8 bit	128 G x 8	-	-	-	128G x 8
MT29F1T08EELEEJ4-T:E Micron RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -

Integrated Circuits (ICs)

Memory definition: Memory is a component used to store programs and various data information. A memory cell is actually a type of sequential logic circuit. A m... Memory Product Listing: MT53E1G64D4HJ-046 WT:A TR,MT53E2G32D4DE-046 WT:A,MT53E512M64D4HJ-046 AIT:D TR,MT53E1G32D2FW-046 IT:A TR,MTFC128GASAONS-AIT TR.Integrated Circuits (ICs) type:Embedded - Microcontrollers(129432),Memory(111901),PMIC - Supervisors(101743),PMIC - Voltage Regulators - Linear(101187),PMIC - Voltage Regulators - DC DC Switching Regulators(62822) .Memory has 10000 pieces of spot stock price information, you can click the "RFQ" button to confirm the inventory and price with the Anli.

Индекс :

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

Локаль

Язык

Валюта

Здравствуйте, добро пожаловать в ANLI

Anlielectronics

Локаль

Язык

Валюта

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Integrated Circuits (ICs)