Memory Products For Sale - PDF - Integrated Circuits (ICs) -Page20

Изображение	Тип	Марка	Объяснение	Установленная цена	Количество	RoHS	Mount	Surface Mount	Number of Pins	Number of Terminals	Access Time-Max	Brand	Clock Frequency-Max (fCLK)	Dimensions	Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity	Ihs Manufacturer	Manufacturer	Manufacturer Part Number	Memory capacity	Model	Moisture Sensitivity Levels	Number of Words	Number of Words Code	Operating Temperature-Max	Package Body Material	Package Code	Package Description	Package Equivalence Code	Package Shape	Package Style	Part Life Cycle Code	Part Package Code	Product Style	Reflow Temperature-Max (s)	Risk Rank	RoHS	Rohs Code	Supply Voltage-Nom	Supply Voltage-Nom (Vsup)	Series	JESD-609 Code	Pbfree Code	ECCN Code	Type	Terminal Finish	Max Operating Temperature	Min Operating Temperature	Additional Feature	HTS Code	Subcategory	Technology	Terminal Position	Terminal Form	Peak Reflow Temperature (Cel)	Number of Functions	Terminal Pitch	Depth	Reach Compliance Code	Pin Count	JESD-30 Code	Qualification Status	Operating Supply Voltage	Supply Voltage-Max (Vsup)	Power Supplies	Temperature Grade	Supply Voltage-Min (Vsup)	Interface	Number of Ports	Operating Mode	Supply Current-Max	Data Bus Width	Organization	Output Characteristics	Seated Height-Max	Memory Width	Product Type	Standby Current-Max	Temperature Range	Memory Density	Max Frequency	I/O Type	Format	Memory IC Type	Capacity	Form Factor	Refresh Cycles	Sequential Burst Length	Interleaved Burst Length	Access Mode	Self Refresh	Product Category	Height	Length	Width	Radiation Hardening

Изображение	Тип	Марка	Объяснение	Количество	Mount	Surface Mount	Number of Pins	Number of Terminals	Access Time-Max	Brand	Clock Frequency-Max (fCLK)	Dimensions	Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity	Ihs Manufacturer	Manufacturer	Manufacturer Part Number	Memory capacity	Model	Moisture Sensitivity Levels	Number of Words	Number of Words Code	Operating Temperature-Max	Package Body Material	Package Code	Package Description	Package Equivalence Code	Package Shape	Package Style	Part Life Cycle Code	Part Package Code	Product Style	Reflow Temperature-Max (s)	Risk Rank	RoHS	Rohs Code	Supply Voltage-Nom	Supply Voltage-Nom (Vsup)	Series	JESD-609 Code	Pbfree Code	ECCN Code	Type	Terminal Finish	Max Operating Temperature	Min Operating Temperature	Additional Feature	HTS Code	Subcategory	Technology	Terminal Position	Terminal Form	Peak Reflow Temperature (Cel)	Number of Functions	Terminal Pitch	Depth	Reach Compliance Code	Pin Count	JESD-30 Code	Qualification Status	Operating Supply Voltage	Supply Voltage-Max (Vsup)	Power Supplies	Temperature Grade	Supply Voltage-Min (Vsup)	Interface	Number of Ports	Operating Mode	Supply Current-Max	Data Bus Width	Organization	Output Characteristics	Seated Height-Max	Memory Width	Product Type	Standby Current-Max	Temperature Range	Memory Density	Max Frequency	I/O Type	Format	Memory IC Type	Capacity	Form Factor	Refresh Cycles	Sequential Burst Length	Interleaved Burst Length	Access Mode	Self Refresh	Product Category	Height	Length	Width	Radiation Hardening
	Mfr. Тип MZ-76P256B/EU Anlielectronics Тип	Samsung	Samsung 860 PRO 2.5 in 256 GB Internal SSD Drive Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	Swissbit	-	100 x 69.85 x 6.8mm	1	-	Swissbit	-	-	860 PRO	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Memory & Data Storage	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	SATA III	-	-	-	-	-	-	-	-	Solid State Drives - SSD	-	0 → +70°C	-	-	-	-	-	256 GB	2.5 in	-	-	-	-	-	Solid State Drives - SSD	6.8mm	100mm	69.85mm	-
MZ-76P256B/EU Samsung RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип K4G80325FC-HC25000 Anlielectronics Тип	Samsung	DRAM Chip GDDR5 DRAM 8Gbit 256M X 32 170-Pin FBGA Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
K4G80325FC-HC25000 Samsung RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип K7N401801B-QC13000 Anlielectronics Тип	Samsung	SRAM Chip Sync Dual 3.3V 4M-bit 256K x 18 4.2ns 100-Pin TQFP Tray Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
K7N401801B-QC13000 Samsung RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип K4H560838H-ZCCC Anlielectronics Тип	Samsung	DRAM Chip DDR SDRAM 256M-Bit 32Mx8 2.6V 60-Pin FBGA Tray Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	YES	-	60	-	-	200 MHz	-	-	SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC	Samsung Semiconductor	K4H560838H-ZCCC	-	-	3	33554432 words	32000000	70 °C	PLASTIC/EPOXY	BGA	BGA, BGA60,9X12,40/32	BGA60,9X12,40/32	RECTANGULAR	GRID ARRAY	Obsolete	-	-	NOT SPECIFIED	5.84	-	Yes	-	2.6 V	-	e1	Yes	-	-	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)	-	-	-	-	DRAMs	CMOS	BOTTOM	BALL	260	-	0.8 mm	-	unknown	-	R-PBGA-B60	Not Qualified	-	-	2.6 V	COMMERCIAL	-	-	-	-	0.3 mA	-	32MX8	3-STATE	-	8	-	0.004 A	-	268435456 bit	-	COMMON	-	DDR DRAM	-	-	8192	2,4,8	2,4,8	-	-	-	-	-	-	-
K4H560838H-ZCCC Samsung RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип M386B8G70DE0-YH930 Anlielectronics Тип	Samsung	DDR3 Lr-dimm 64GBYTE B-die 1333 Lead & Halogen Free Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	240	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Compliant	-	-	-	-	-	-	-	-	-	85 °C	0 °C	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	1.35 V	-	-	-	-	-	-	-	-	72 b	-	-	-	-	-	-	-	-	667 MHz	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	No
M386B8G70DE0-YH930 Samsung RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип K4E640412C-TL60 Anlielectronics Тип	Samsung	DRAM Chip EDO 64M-Bit 16Mx4 3.3V 32-Pin TSOP-II Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	YES	32	32	60 ns	-	-	-	-	SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC	Samsung Semiconductor	K4E640412C-TL60	-	-	-	16777216 words	16000000	70 °C	PLASTIC/EPOXY	TSOP2	TSOP2, TSOP32,.46	TSOP32,.46	RECTANGULAR	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	Obsolete	TSOP2	-	NOT SPECIFIED	5.92	Non-Compliant	No	-	3.3 V	-	e0	-	EAR99	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	-	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH	8542.32.00.02	DRAMs	CMOS	DUAL	GULL WING	NOT SPECIFIED	1	1.27 mm	-	unknown	32	R-PDSO-G32	Not Qualified	-	3.6 V	3.3 V	COMMERCIAL	3 V	-	1	ASYNCHRONOUS	0.1 mA	-	16MX4	3-STATE	1.2 mm	4	-	0.0002 A	-	67108864 bit	-	COMMON	-	EDO DRAM	-	-	4096	-	-	FAST PAGE WITH EDO	YES	-	-	20.95 mm	10.16 mm	-
K4E640412C-TL60 Samsung RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип M386A8K40DM2-CWE Anlielectronics Тип	Samsung	DRAM Module DDR SDRAM 64 GB 288-Pin LRDIMM Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	64	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
M386A8K40DM2-CWE Samsung RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип M393A4K40CB2-CTD6Y Anlielectronics Тип	Samsung	8GB (2G X4) * 36 Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Board to Board Connectors	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Through Hole Sockets Headers	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Through Hole Sockets Headers	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
M393A4K40CB2-CTD6Y Samsung RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MZ-77E250B/EU Anlielectronics Тип	Samsung	Samsung 870 EVO 250 GB 2.5 (6.35 cm) internal SSD SATA 6 Gbps Retail MZ-77E250B/EU Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	250GB	MZ-77E250B/EU	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	870 EVO	-	-	-	Retail	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	100mm	-	-	-	-	-	-	-	-	-	SATA 6 Gbps	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	2.5inch	-	250 GB	2.5 inch	-	-	-	-	-	-	6.8mm	-	69.9mm	-
MZ-77E250B/EU Samsung RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип K4E8E304EE-EGCF000 Anlielectronics Тип	Samsung	1866MBPS LPDDR3 Sdram Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Non-Compliant	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
K4E8E304EE-EGCF000 Samsung RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип K4E8E304EE-EGCE000 Anlielectronics Тип	Samsung	Dram 1.25NS@RL12, TRCD18NS, TRP18NS Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Non-Compliant	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
K4E8E304EE-EGCE000 Samsung RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип K4B1G1646I-BYK0 Anlielectronics Тип	Samsung	DRAMs Parts and Modules (Alt: K4B1G1646I-BYK00CV) Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
K4B1G1646I-BYK0 Samsung RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип K4B1G0446G-BCH9T00 Anlielectronics Тип	Samsung	DRAM Chip DDR3 SDRAM 1G-Bit 256M x 4 1.5V 78-Pin F-BGA Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
K4B1G0446G-BCH9T00 Samsung RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип K4H560838F-TCCC000 Anlielectronics Тип	Samsung	DRAM Chip DDR SDRAM 256M-Bit 32Mx8 2.6V 66-Pin TSOP-II Tray Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
K4H560838F-TCCC000 Samsung RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип K9W4G08U1M-YCB0000 Anlielectronics Тип	Samsung	SLC NAND Flash Parallel 3.3V 4G-bit 512M x 8 25us 48-Pin TSOP-I Tray Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
K9W4G08U1M-YCB0000 Samsung RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип K4A8G085WC-BCTD00P Anlielectronics Тип	Samsung	DRAM Chip DDR4 SDRAM 8Gbit 1G X 8 78-Ball FBGA Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
K4A8G085WC-BCTD00P Samsung RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип KS84C21-25CL Anlielectronics Тип	Samsung	MEMORY CONTROLLER, 68 Pin, PLCC Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	YES	-	68	-	-	-	-	-	SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC	Samsung Semiconductor	KS84C21-25CL	-	-	-	-	-	70 °C	PLASTIC/EPOXY	QCCJ	QCCJ, LDCC68,1.0SQ	LDCC68,1.0SQ	SQUARE	CHIP CARRIER	Obsolete	-	-	-	5.92	-	No	5 V	-	-	e0	-	-	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	-	-	-	Memory Controllers	CMOS	QUAD	J BEND	-	-	1.27 mm	-	compliant	-	S-PQCC-J68	Not Qualified	-	-	5 V	COMMERCIAL	-	-	-	-	62.5 mA	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
KS84C21-25CL Samsung RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип K4U6E3S4AA-MGCLT00 Anlielectronics Тип	Samsung	DRAM Chip DDR4 SDRAM 16Gbit 4266Mbps 200-Pin FBGA Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
K4U6E3S4AA-MGCLT00 Samsung RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип M393A4K40DB2-CVFBY Anlielectronics Тип	Samsung	Memory Module DDR4 SDRAM 32G-Byte 288-Pin Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
M393A4K40DB2-CVFBY Samsung RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип K9F4G08UOM-PCB0000 Anlielectronics Тип	Samsung	4GB Slc Normal X8 TSOP1 Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
K9F4G08UOM-PCB0000 Samsung RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -

Integrated Circuits (ICs)

Memory definition: Memory is a component used to store programs and various data information. A memory cell is actually a type of sequential logic circuit. A m... Memory Product Listing: MZ-76P256B/EU,K4G80325FC-HC25000,K7N401801B-QC13000,K4H560838H-ZCCC,M386B8G70DE0-YH930.Integrated Circuits (ICs) type:Embedded - Microcontrollers(129432),Memory(111901),PMIC - Supervisors(101743),PMIC - Voltage Regulators - Linear(101187),PMIC - Voltage Regulators - DC DC Switching Regulators(62822) .Memory has 1151 pieces of spot stock price information, you can click the "RFQ" button to confirm the inventory and price with the Anli.

Индекс :

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

Локаль

Язык

Валюта

Здравствуйте, добро пожаловать в ANLI

Anlielectronics

Локаль

Язык

Валюта

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Integrated Circuits (ICs)