Memory Products For Sale - PDF - Integrated Circuits (ICs) -Page21

Изображение	Тип	Марка	Объяснение	Установленная цена	Количество	RoHS	Surface Mount	Number of Pins	Number of Terminals	Access Time-Max	Clock Frequency-Max (fCLK)	Ihs Manufacturer	Manufacturer	Manufacturer Part Number	Moisture Sensitivity Levels	Number of Words	Number of Words Code	Operating Temperature-Max	Operating Temperature-Min	Package Body Material	Package Code	Package Description	Package Equivalence Code	Package Shape	Package Style	Part Life Cycle Code	Part Package Code	Reflow Temperature-Max (s)	Risk Rank	RoHS	Rohs Code	Supply Voltage-Nom (Vsup)	JESD-609 Code	Pbfree Code	ECCN Code	Terminal Finish	Max Operating Temperature	Min Operating Temperature	Additional Feature	HTS Code	Subcategory	Technology	Terminal Position	Terminal Form	Peak Reflow Temperature (Cel)	Number of Functions	Terminal Pitch	Reach Compliance Code	Pin Count	JESD-30 Code	Qualification Status	Operating Supply Voltage	Supply Voltage-Max (Vsup)	Power Supplies	Temperature Grade	Supply Voltage-Min (Vsup)	Number of Ports	Operating Mode	Supply Current-Max	Data Bus Width	Organization	Output Characteristics	Seated Height-Max	Memory Width	Standby Current-Max	Memory Density	Max Frequency	Parallel/Serial	I/O Type	Memory IC Type	Programming Voltage	Standby Voltage-Min	Data Polling	Toggle Bit	Command User Interface	Output Enable	Number of Sectors/Size	Sector Size	Page Size	Ready/Busy	Refresh Cycles	Sequential Burst Length	Interleaved Burst Length	Access Mode	Self Refresh	Length	Width

Изображение	Тип	Марка	Объяснение	Количество	Surface Mount	Number of Pins	Number of Terminals	Access Time-Max	Clock Frequency-Max (fCLK)	Ihs Manufacturer	Manufacturer	Manufacturer Part Number	Moisture Sensitivity Levels	Number of Words	Number of Words Code	Operating Temperature-Max	Operating Temperature-Min	Package Body Material	Package Code	Package Description	Package Equivalence Code	Package Shape	Package Style	Part Life Cycle Code	Part Package Code	Reflow Temperature-Max (s)	Risk Rank	RoHS	Rohs Code	Supply Voltage-Nom (Vsup)	JESD-609 Code	Pbfree Code	ECCN Code	Terminal Finish	Max Operating Temperature	Min Operating Temperature	Additional Feature	HTS Code	Subcategory	Technology	Terminal Position	Terminal Form	Peak Reflow Temperature (Cel)	Number of Functions	Terminal Pitch	Reach Compliance Code	Pin Count	JESD-30 Code	Qualification Status	Operating Supply Voltage	Supply Voltage-Max (Vsup)	Power Supplies	Temperature Grade	Supply Voltage-Min (Vsup)	Number of Ports	Operating Mode	Supply Current-Max	Data Bus Width	Organization	Output Characteristics	Seated Height-Max	Memory Width	Standby Current-Max	Memory Density	Max Frequency	Parallel/Serial	I/O Type	Memory IC Type	Programming Voltage	Standby Voltage-Min	Data Polling	Toggle Bit	Command User Interface	Output Enable	Number of Sectors/Size	Sector Size	Page Size	Ready/Busy	Refresh Cycles	Sequential Burst Length	Interleaved Burst Length	Access Mode	Self Refresh	Length	Width
	Mfr. Тип K4B1G0446G-BCH9000 Anlielectronics Тип	Samsung	DRAM Chip DDR3 SDRAM 1G-Bit 256M x 4 1.5V 78-Pin F-BGA Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
K4B1G0446G-BCH9000 Samsung RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип K9F5608U0M-YCB0 Anlielectronics Тип	Samsung	32M X 8 FLASH 2.7V PROM, 35 ns, PDSO48 Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
K9F5608U0M-YCB0 Samsung RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип KMK5U000VM-B309000 Anlielectronics Тип	Samsung	Combo Mem 4Gx8 eMMC Flash 256Mx32 LPDDR2 DRAM 162-Pin BGA Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
KMK5U000VM-B309000 Samsung RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип M378T3354CZ3CD5 Anlielectronics Тип	Samsung	DDR DRAM Module, 32MX64, 0.5ns, CMOS Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	NO	-	240	0.5 ns	267 MHz	SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC	Samsung Semiconductor	M378T3354CZ3-CD5	3	33554432 words	32000000	95 °C	-	UNSPECIFIED	DIMM	DIMM, DIMM240,40	DIMM240,40	RECTANGULAR	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	Obsolete	DIMM	NOT SPECIFIED	5.55	Compliant	Yes	1.8 V	-	-	EAR99	-	-	-	AUTO/SELF REFRESH	8542.32.00.36	DRAMs	CMOS	DUAL	NO LEAD	NOT SPECIFIED	1	1 mm	compliant	240	R-XDMA-N240	Not Qualified	-	1.9 V	1.8 V	OTHER	1.7 V	1	SYNCHRONOUS	-	-	32MX64	3-STATE	-	64	-	2147483648 bit	-	-	COMMON	DDR DRAM MODULE	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	8192	-	-	SINGLE BANK PAGE BURST	YES	-	-
M378T3354CZ3CD5 Samsung RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип M386A4G40DM0-CPB000 Anlielectronics Тип	Samsung	DRAM Module DDR4 SDRAM 32Gbyte 288RDIMM Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	288	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Compliant	-	-	-	-	-	-	85 °C	0 °C	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	1.2 V	-	-	-	-	-	-	-	72 b	-	-	-	-	-	-	1.066 GHz	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
M386A4G40DM0-CPB000 Samsung RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип M471A1G43EB1-CRC00 Anlielectronics Тип	Samsung	DRAM Module DDR4 SDRAM 8Gbyte 260SODIMM Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
M471A1G43EB1-CRC00 Samsung RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип M378T3253FG0-CCC Anlielectronics Тип	Samsung	32M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.6 ns, DMA240 Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
M378T3253FG0-CCC Samsung RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип M471B5173EB0-YK000 Anlielectronics Тип	Samsung	DRAM Module DDR3 SDRAM 4Gbyte 204SODIMM Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
M471B5173EB0-YK000 Samsung RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип M464S3254CTS-L7A Anlielectronics Тип	Samsung	SDRAM Memory Module, 32M x 64, 144 Pin, Plastic, DIMM Package Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
M464S3254CTS-L7A Samsung RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип K4H561638B-TCA2000 Anlielectronics Тип	Samsung	DRAM Chip DDR SDRAM 256M-Bit 16Mx16 2.5V 66-Pin TSOP-II Tray Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
K4H561638B-TCA2000 Samsung RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип K4B4G0846E-BCMAT00 Anlielectronics Тип	Samsung	DRAM Chip DDR3 SDRAM 4Gbit 512M X 8 1.5V 78-Pin FBGA Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
K4B4G0846E-BCMAT00 Samsung RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип K4B4G1646D-BCK000 Anlielectronics Тип	Samsung	DRAM Chip DDR3 SDRAM 4G-Bit 256Mx16 1.5V FBGA (Alt: K4B4G1646D-BCK000) Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
K4B4G1646D-BCK000 Samsung RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип K9K8G08U0A-PCB00 Anlielectronics Тип	Samsung	1G X 8 FLASH 2.7V PROM, 20 NS, PDSO48 (Also Known As: K9K8G08U0A-PCB) Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	YES	-	48	20 ns	-	SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC	Samsung Semiconductor	K9K8G08U0A-PCB00	3	1073741824 words	1000000000	70 °C	-	PLASTIC/EPOXY	TSSOP	TSSOP, TSSOP48,.8,20	TSSOP48,.8,20	RECTANGULAR	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	Obsolete	TSOP1	NOT SPECIFIED	5.75	-	Yes	3.3 V	e6	-	3A991.B.1.A	Tin/Bismuth (Sn97Bi3)	-	-	CONTAINS ADDITIONAL 256M BIT SPARE MEMORY	8542.32.00.51	Flash Memories	CMOS	DUAL	GULL WING	260	1	0.5 mm	unknown	48	R-PDSO-G48	Not Qualified	-	3.6 V	3/3.3 V	COMMERCIAL	2.7 V	-	ASYNCHRONOUS	0.035 mA	-	1GX8	-	1.2 mm	8	0.0001 A	8589934592 bit	-	PARALLEL	-	FLASH	2.7 V	-	NO	NO	YES	-	8K	128K	2K words	YES	-	-	-	-	-	18.4 mm	12 mm
K9K8G08U0A-PCB00 Samsung RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип K4T51083QN-BCE7000 Anlielectronics Тип	Samsung	DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 64M x 8 1.8V 60-Pin FBGA (Alt: K4T51083QN-BCE7000) Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
K4T51083QN-BCE7000 Samsung RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип K4F8E3S4HD-GFCL03V Anlielectronics Тип	Samsung Electronics Co. Ltd	- Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
K4F8E3S4HD-GFCL03V Samsung Electronics Co. Ltd RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип K4S64323LH-FE75 Anlielectronics Тип	Samsung Semiconductor	Synchronous DRAM, 2MX32, 6ns, CMOS, PBGA90 Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	YES	-	90	6 ns	133 MHz	SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC	-	-	-	2097152 words	2000000	85 °C	-25 °C	PLASTIC/EPOXY	FBGA	-	BGA90,9X15,32	RECTANGULAR	GRID ARRAY, FINE PITCH	Active	-	-	-	-	No	-	e0	-	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	-	-	8542.32.00.02	-	-	BOTTOM	BALL	-	-	0.8 mm	compliant	-	R-PBGA-B90	Not Qualified	-	-	-	OTHER	-	-	-	0.115 mA	-	2MX32	3-STATE	-	32	0.0005 A	67108864 bit	-	-	COMMON	SYNCHRONOUS DRAM	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	4096	1,2,4,8,FP	1,2,4,8	-	-	-	-
K4S64323LH-FE75 Samsung Semiconductor RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип KM44C4104AK-6 Anlielectronics Тип	Samsung Semiconductor	EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24 Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	YES	-	24	60 ns	-	SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC	-	-	-	4194304 words	4000000	70 °C	-	PLASTIC/EPOXY	SOJ	SOJ, SOJ24/26,.34	SOJ24/26,.34	RECTANGULAR	SMALL OUTLINE	Obsolete	SOJ	-	-	-	No	5 V	e0	-	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	-	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	8542.32.00.02	-	-	DUAL	J BEND	-	1	1.27 mm	unknown	24	R-PDSO-J24	Not Qualified	-	5.5 V	-	COMMERCIAL	4.5 V	1	ASYNCHRONOUS	0.1 mA	-	4MX4	3-STATE	3.76 mm	4	0.001 A	16777216 bit	-	-	COMMON	EDO DRAM	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	2048	-	-	FAST PAGE WITH EDO	NO	17.145 mm	7.62 mm
KM44C4104AK-6 Samsung Semiconductor RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип KM68257BJ-15 Anlielectronics Тип	Samsung Semiconductor	Standard SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	YES	-	28	15 ns	-	SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC	-	-	-	32768 words	32000	70 °C	-	PLASTIC/EPOXY	SOJ	SOJ, SOJ28,.34	SOJ28,.34	RECTANGULAR	SMALL OUTLINE	Obsolete	SOJ	-	-	-	No	5 V	e0	No	EAR99	TIN LEAD	-	-	-	8542.32.00.41	-	-	DUAL	J BEND	-	1	1.27 mm	unknown	28	R-PDSO-J28	Not Qualified	-	5.5 V	-	COMMERCIAL	4.5 V	1	ASYNCHRONOUS	0.15 mA	-	32KX8	3-STATE	3.76 mm	8	0.002 A	262144 bit	-	PARALLEL	COMMON	STANDARD SRAM	-	4.5 V	-	-	-	YES	-	-	-	-	-	-	-	-	-	18.42 mm	7.62 mm
KM68257BJ-15 Samsung Semiconductor RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип KM44V16104AS-6 Anlielectronics Тип	Samsung Semiconductor	EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, TSOP2-32 Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	YES	-	32	60 ns	-	SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC	-	-	-	16777216 words	16000000	70 °C	-	PLASTIC/EPOXY	TSOP2	TSOP2, TSOP32,.46	TSOP32,.46	RECTANGULAR	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	Obsolete	TSOP2	-	-	-	No	3.3 V	e0	-	EAR99	TIN LEAD	-	-	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	8542.32.00.02	-	-	DUAL	GULL WING	-	1	1.27 mm	unknown	32	R-PDSO-G32	Not Qualified	-	3.6 V	-	COMMERCIAL	3 V	1	ASYNCHRONOUS	0.14 mA	-	16MX4	3-STATE	1.2 mm	4	0.0005 A	67108864 bit	-	-	COMMON	EDO DRAM	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	4096	-	-	FAST PAGE WITH EDO	NO	20.95 mm	10.16 mm
KM44V16104AS-6 Samsung Semiconductor RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип K4B2G1646F-BCMATDT Anlielectronics Тип	Samsung Electronics Co. Ltd	- Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
K4B2G1646F-BCMATDT Samsung Electronics Co. Ltd RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -

Integrated Circuits (ICs)

Memory definition: Memory is a component used to store programs and various data information. A memory cell is actually a type of sequential logic circuit. A m... Memory Product Listing: K4B1G0446G-BCH9000,K9F5608U0M-YCB0,KMK5U000VM-B309000,M378T3354CZ3CD5,M386A4G40DM0-CPB000.Integrated Circuits (ICs) type:Embedded - Microcontrollers(129432),Memory(111901),PMIC - Supervisors(101743),PMIC - Voltage Regulators - Linear(101187),PMIC - Voltage Regulators - DC DC Switching Regulators(62822) .Memory has 1151 pieces of spot stock price information, you can click the "RFQ" button to confirm the inventory and price with the Anli.

Индекс :

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

Локаль

Язык

Валюта

Здравствуйте, добро пожаловать в ANLI

Anlielectronics

Локаль

Язык

Валюта

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Integrated Circuits (ICs)