| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Surface Mount | Number of Terminals | Access Time-Max | Clock Frequency-Max (fCLK) | Ihs Manufacturer | Manufacturer | Manufacturer Part Number | Moisture Sensitivity Levels | Number of Words | Number of Words Code | Operating Temperature-Max | Operating Temperature-Min | Package Body Material | Package Code | Package Description | Package Equivalence Code | Package Shape | Package Style | Part Life Cycle Code | Part Package Code | Reflow Temperature-Max (s) | Risk Rank | Rohs Code | Supply Voltage-Nom (Vsup) | JESD-609 Code | Pbfree Code | ECCN Code | Terminal Finish | Additional Feature | HTS Code | Subcategory | Technology | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Number of Functions | Terminal Pitch | Reach Compliance Code | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | Pin Count | JESD-30 Code | Qualification Status | Supply Voltage-Max (Vsup) | Power Supplies | Temperature Grade | Supply Voltage-Min (Vsup) | Number of Ports | Operating Mode | Supply Current-Max | Organization | Output Characteristics | Seated Height-Max | Memory Width | Standby Current-Max | Memory Density | Parallel/Serial | I/O Type | Memory IC Type | Programming Voltage | Serial Bus Type | Endurance | Write Cycle Time-Max (tWC) | Data Retention Time-Min | Write Protection | Standby Voltage-Min | Data Polling | Toggle Bit | Command User Interface | Page Size | Refresh Cycles | I2C Control Byte | Sequential Burst Length | Interleaved Burst Length | Access Mode | Reverse Pinout | Self Refresh | Length | Width |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. ТипK9F1G08U0E-BIB000Anlielectronics Тип | Samsung |
SLC NAND Flash Parallel 3.3V 1Gbit 128M x 8bit 20ns 63-Pin FBGA
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| K9F1G08U0E-BIB000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипK4A4G165WE-BIWEAnlielectronics Тип | Samsung |
SDRAM DDR4 E-die 4Gb 256Mx16 1.2V 1067MHz
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| K4A4G165WE-BIWE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипKM28C64AJ20Anlielectronics Тип | Samsung |
8K X 8 EEPROM 5V, 200 ns, PQCC32
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| Min.:1 Mult.:1 | YES | 32 | 200 ns | - | SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC | Samsung Semiconductor | KM28C64AJ-20 | - | 8192 words | 8000 | 70 °C | - | PLASTIC/EPOXY | QCCJ | QCCJ, LDCC32,.5X.6 | LDCC32,.5X.6 | RECTANGULAR | CHIP CARRIER | Obsolete | QFJ | NOT SPECIFIED | 5.26 | No | 5 V | e0 | No | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | 8542.32.00.51 | EEPROMs | CMOS | QUAD | J BEND | NOT SPECIFIED | 1 | 1.27 mm | unknown | - | 32 | R-PQCC-J32 | Not Qualified | 5.5 V | 5 V | COMMERCIAL | 4.5 V | - | ASYNCHRONOUS | 0.04 mA | 8KX8 | 3-STATE | 3.55 mm | 8 | 0.0001 A | 65536 bit | PARALLEL | - | EEPROM | 5 V | - | 100000 Write/Erase Cycles | 5 ms | - | - | - | YES | YES | NO | 64 words | - | - | - | - | - | - | - | 13.97 mm | 11.43 mm | ||
| KM28C64AJ20 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипKM93C46Anlielectronics Тип | Samsung |
1K BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| KM93C46 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипK4B2G1646E-HCH9000Anlielectronics Тип | Samsung |
DRAM CHIP DDR3 SDRAM 2G-BIT 1.5V 96-PIN FBGA TRAY - Trays (Alt: K4B2G1646E-HCH9000)
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| K4B2G1646E-HCH9000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипK3QF2F20EM-AGCE000Anlielectronics Тип | Samsung |
DRAM Chip Mobile LPDDR3 SDRAM 16G-Bit 512Mx32 1.2V/1.8V 253-Pin FBGA
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| K3QF2F20EM-AGCE000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипM372F3200DT1-C50Anlielectronics Тип | Samsung |
DRAM Memory Module, EDO, 32M x 72, 168 Pin, Plastic, DIMM (Also Known As: D6114-69001)
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| M372F3200DT1-C50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипK4F6E304HB-MGCJ000Anlielectronics Тип | Samsung |
Mobile DRAM LPDDR4 16Gb 2CH x16 3733Mbps 200-Pin FBGA
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| K4F6E304HB-MGCJ000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMZVLB512HAJQ-00000Anlielectronics Тип | Samsung |
Solid State Drive AES 256 bit/SED/TCG 512 GB FLASH - NAND (MLC) PCIe Gen 3.0 X4 M.2 2280 Bulk
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| MZVLB512HAJQ-00000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипK4T51083QQ-BCE7000Anlielectronics Тип | Samsung |
DDR2 SDRAM 512MB 64M*8 Q-die 800 333MHz
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| K4T51083QQ-BCE7000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипK4B2G1646Q-BYK0000Anlielectronics Тип | Samsung |
DRAM Chip DDR3 SDRAM 2G-Bit 128Mx16 1.35V F-BGA
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| K4B2G1646Q-BYK0000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипK4A8G085WC-BCTD000Anlielectronics Тип | Samsung |
DRAM Chip DDR4 SDRAM 8Gbit 1G X 8 78-Ball FBGA
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| K4A8G085WC-BCTD000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипK6T4016U3C-RB85Anlielectronics Тип | Samsung Semiconductor |
Standard SRAM, 256KX16, 85ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-44
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| Min.:1 Mult.:1 | YES | 44 | 85 ns | - | SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC | - | - | - | 262144 words | 256000 | 70 °C | - | PLASTIC/EPOXY | TSOP2-R | TSOP2-R, TSOP44,.46,32 | TSOP44,.46,32 | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | Obsolete | TSOP2 | - | - | No | 3 V | - | No | 3A991.B.2.A | - | - | 8542.32.00.41 | - | - | DUAL | GULL WING | 240 | 1 | 0.8 mm | compliant | 30 | 44 | R-PDSO-G44 | Not Qualified | 3.3 V | - | COMMERCIAL | 2.7 V | - | ASYNCHRONOUS | 0.045 mA | 256KX16 | 3-STATE | 1.2 mm | 16 | - | 4194304 bit | PARALLEL | COMMON | STANDARD SRAM | - | - | - | - | - | - | 2 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | YES | - | 18.41 mm | 10.16 mm | ||
| K6T4016U3C-RB85 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипK4X51323PC-7GCAAnlielectronics Тип | Samsung Semiconductor |
DDR DRAM, 16MX32, 6ns, CMOS, PBGA90
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| Min.:1 Mult.:1 | YES | 90 | 6 ns | 111 MHz | SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC | - | - | 1 | 16777216 words | 16000000 | 85 °C | -25 °C | PLASTIC/EPOXY | FBGA | FBGA, BGA90,9X15,32 | BGA90,9X15,32 | RECTANGULAR | GRID ARRAY, FINE PITCH | Obsolete | - | - | - | Yes | 1.8 V | e3 | Yes | EAR99 | MATTE TIN | - | 8542.32.00.28 | - | - | BOTTOM | BALL | - | - | 0.8 mm | compliant | - | - | R-PBGA-B90 | Not Qualified | - | - | OTHER | - | - | - | 0.135 mA | 16MX32 | 3-STATE | - | 32 | 0.0003 A | 536870912 bit | - | COMMON | DDR1 DRAM | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 8192 | - | 2,4,8,16 | 2,4,8,16 | - | - | - | - | - | ||
| K4X51323PC-7GCA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипK4S641632E-TP1HAnlielectronics Тип | Samsung Semiconductor |
Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54
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| Min.:1 Mult.:1 | YES | 54 | 6 ns | 100 MHz | SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC | - | - | 3 | 4194304 words | 4000000 | 85 °C | -40 °C | PLASTIC/EPOXY | TSOP | TSOP, TSOP54,.46,32 | TSOP54,.46,32 | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | Obsolete | - | - | - | No | 3.3 V | e0 | No | EAR99 | TIN LEAD | - | 8542.32.00.02 | - | - | DUAL | GULL WING | - | - | 0.8 mm | unknown | - | - | R-PDSO-G54 | Not Qualified | - | - | INDUSTRIAL | - | - | - | 0.125 mA | 4MX16 | 3-STATE | - | 16 | 0.001 A | 67108864 bit | - | COMMON | SYNCHRONOUS DRAM | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 4096 | - | 1,2,4,8,FP | 1,2,4,8 | - | - | - | - | - | ||
| K4S641632E-TP1H | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипK4S561632N-LL75Anlielectronics Тип | Samsung Semiconductor |
Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TSOP2-54
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| Min.:1 Mult.:1 | YES | 54 | 5.4 ns | 133 MHz | SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC | - | - | 3 | 16777216 words | 16000000 | 70 °C | - | PLASTIC/EPOXY | TSOP2 | TSOP2, TSOP54,.46,32 | TSOP54,.46,32 | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | Obsolete | - | - | - | Yes | 3.3 V | e6 | Yes | EAR99 | TIN BISMUTH | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.24 | - | - | DUAL | GULL WING | 260 | 1 | 0.8 mm | unknown | - | - | R-PDSO-G54 | Not Qualified | 3.6 V | - | COMMERCIAL | 3 V | 1 | SYNCHRONOUS | 0.05 mA | 16MX16 | 3-STATE | 1.2 mm | 16 | 0.002 A | 268435456 bit | - | COMMON | SYNCHRONOUS DRAM | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 8192 | - | 1,2,4,8,FP | 1,2,4,8 | FOUR BANK PAGE BURST | - | YES | 22.22 mm | 10.16 mm | ||
| K4S561632N-LL75 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипS524AD0XF1-RCT0Anlielectronics Тип | Samsung Semiconductor |
EEPROM, 32KX8, Serial, CMOS, PDSO8,
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | YES | 8 | - | - | SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC | - | - | - | 32768 words | 32000 | 70 °C | -25 °C | PLASTIC/EPOXY | TSSOP | - | TSSOP8,.25 | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | Obsolete | - | - | - | No | - | e0 | No | EAR99 | TIN LEAD | - | 8542.32.00.51 | - | - | DUAL | GULL WING | 240 | - | 0.635 mm | unknown | - | - | R-PDSO-G8 | Not Qualified | - | - | OTHER | - | - | - | 0.003 mA | 32KX8 | - | - | 8 | 0.000001 A | 262144 bit | SERIAL | - | EEPROM | - | I2C | 500000 Write/Erase Cycles | - | 50 | HARDWARE | - | - | - | - | - | - | 1010DDDR | - | - | - | - | - | - | - | ||
| S524AD0XF1-RCT0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипM378A1K43EB2-CWED0Anlielectronics Тип | Samsung Electronics Co. Ltd |
-
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| M378A1K43EB2-CWED0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипKM44C4104BS-6Anlielectronics Тип | Samsung Semiconductor |
Description: EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, TSOP2-24
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| Min.:1 Mult.:1 | YES | 24 | 60 ns | - | SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC | - | - | - | 4194304 words | 4000000 | 70 °C | - | PLASTIC/EPOXY | TSOP2 | TSOP2, TSOP24/26,.36 | TSOP24/26,.36 | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | Obsolete | TSOP2 | - | - | No | 5 V | e0 | - | EAR99 | TIN LEAD | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | 8542.32.00.02 | - | - | DUAL | GULL WING | - | 1 | 1.27 mm | unknown | - | 24 | R-PDSO-G24 | Not Qualified | 5.5 V | - | COMMERCIAL | 4.5 V | 1 | ASYNCHRONOUS | 0.1 mA | 4MX4 | 3-STATE | 1.2 mm | 4 | 0.001 A | 16777216 bit | - | COMMON | EDO DRAM | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2048 | - | - | - | FAST PAGE WITH EDO | - | NO | 17.14 mm | 7.62 mm | ||
| KM44C4104BS-6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипKM616FS2000TI-12Anlielectronics Тип | Samsung Semiconductor |
Standard SRAM, 128KX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
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| Min.:1 Mult.:1 | YES | 44 | 120 ns | - | SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC | - | - | - | 131072 words | 128000 | 85 °C | -40 °C | PLASTIC/EPOXY | TSOP2 | TSOP2, TSOP44,.46,32 | TSOP44,.46,32 | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | Obsolete | TSOP2 | - | - | No | 2.5 V | e0 | - | 3A991.B.2.A | TIN LEAD | - | 8542.32.00.41 | - | - | DUAL | GULL WING | - | 1 | 0.8 mm | unknown | - | 44 | R-PDSO-G44 | Not Qualified | 3.3 V | - | INDUSTRIAL | 2.3 V | - | ASYNCHRONOUS | 0.05 mA | 128KX16 | 3-STATE | 1.2 mm | 16 | 0.00001 A | 2097152 bit | PARALLEL | COMMON | STANDARD SRAM | - | - | - | - | - | - | 1.5 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 18.41 mm | 10.16 mm | ||
| KM616FS2000TI-12 |
Индекс :
0123456789ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ