Memory Products For Sale - PDF - Integrated Circuits (ICs) -Page43

Изображение	Тип	Марка	Объяснение	Количество	Mounting Type	Package / Case	Supplier Device Package	Base Product Number	Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity	Interface Type	Maximum Clock Frequency	Maximum Operating Temperature	Memory Types	Mfr	Minimum Operating Temperature	Moisture Sensitive	Mounting Styles	Package	Product Status	RoHS	Supply Voltage-Max	Supply Voltage-Min	Supply Voltage-Nom (Vsup)	Tradename	Operating Temperature	Packaging	Series	Type	Technology	Voltage - Supply	Memory Size	Speed	Clock Frequency	Supply Current-Max	Access Time	Memory Format	Memory Interface	Data Bus Width	Organization	Write Cycle Time - Word, Page	Memory Density	Temperature	Memory Organization
	Mfr. Тип W979H2KBVX2I TR Anlielectronics Тип	Winbond Electronics Corporation	DRAM 512Mb LPDDR2, x32, 400MHz,-40 - 85CT&R Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	VFBGA-134	134-VFBGA (10x11.5)	W979H2	3500	-	400 MHz	+ 85 C	Volatile	Winbond Electronics	- 40 C	Yes	SMD/SMT	-	Not For New Designs	Details	1.95 V	1.14 V	1.8V / 1.2V	-	-40°C ~ 85°C (TC)	Reel	W979H2KB	SDRAM - LPDDR2	SDRAM - Mobile LPDDR2-S4B	1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V	512 Mbit	400 / 533 MHz	400 MHz	25 mA	-	DRAM	HSUL_12	32 bit	16 M x 32	15ns	512Gb	-25ºC~85ºC, -40ºC~85ºC/ Automotive	16M x 32
W979H2KBVX2I TR Winbond Electronics Corporation RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип W979H6KBQX1E TR Anlielectronics Тип	Winbond Electronics Corporation	DRAM 512Mb LPDDR2, x16, 533MHzT&R Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	WFBGA-168	-	-	3000	-	533 MHz	+ 85 C	-	-	- 25 C	Yes	SMD/SMT	-	-	Details	1.95 V	1.14 V	-	-	-	Reel	W979H6KB	SDRAM - LPDDR2	-	-	512 Mbit	-	-	25 mA	-	-	-	16 bit	32 M x 16	-	-	-	-
W979H6KBQX1E TR Winbond Electronics Corporation RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип W66CL2NQUAGI Anlielectronics Тип	Winbond Electronics Corporation	DRAM 4Gb LPDDR4, DDP, x32, 1866MHz, Industrial Temp Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	WFBGA-200	-	-	144	-	1.866 GHz	+ 95 C	-	-	- 40 C	Yes	SMD/SMT	-	-	-	1.95 V	1.06 V	1.8V / 1.1V/1.1V	-	-	-	W66CL2NQ	SDRAM - LPDDR4	-	-	4 Gbit	1600/1866MHz/2133MHz	-	45 mA	-	-	-	32 bit	128 M x 32	-	4Gb	-40ºC~95ºC/ Automotive	-
W66CL2NQUAGI Winbond Electronics Corporation RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип W66CL2NQUAHI Anlielectronics Тип	Winbond Electronics Corporation	DRAM 4Gb LPDDR4, DDP, x32, 2133MHz, Industrial Temp Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	WFBGA-200	-	-	144	-	2.133 GHz	+ 95 C	-	-	- 40 C	-	SMD/SMT	-	-	-	1.95 V	1.06 V	1.8V / 1.1V/1.1V	-	-	-	W66CL2NQ	SDRAM - LPDDR4	-	-	4 Gbit	1600/1866MHz/2133MHz	-	63 mA	-	-	-	32 bit	128 M x 32	-	4Gb	-40ºC~95ºC/ Automotive	-
W66CL2NQUAHI Winbond Electronics Corporation RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип W66BL6NBUAFI Anlielectronics Тип	Winbond Electronics Corporation	DRAM 2Gb LPDDR4, x16, 1600MHz, Industrial Temp Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	WFBGA-200	-	-	144	-	1.6 GHz	+ 95 C	-	-	- 40 C	-	SMD/SMT	-	-	-	1.95 V	1.06 V	1.8V / 1.1V/1.1V	-	-	-	W66BL6NB	SDRAM - LPDDR4	-	-	2 Gbit	1600/1866MHz/2133MHz	-	40 mA	-	-	-	16 bit	128 M x 16	-	2Gb	-40ºC~95ºC/ Automotive	-
W66BL6NBUAFI Winbond Electronics Corporation RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип W25N512GWBIR TR Anlielectronics Тип	Winbond Electronics Corporation	NAND Flash 512Mb Serial NAND flash, 1.8V Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	TFBGA-24	24-TFBGA (6x8)	W25N512	2000	SPI	-	+ 85 C	Non-Volatile	Winbond Electronics	- 40 C	-	SMD/SMT	Tape & Reel (TR)	Active	Details	1.95 V	1.7 V	1.70V - 1.95V	SpiStack	-40°C ~ 85°C (TA)	Reel	W25N512GW	QspiNAND Flash	FLASH - NAND (SLC)	1.7V ~ 1.95V	512 Mbit	104MHz	104 MHz	-	7 ns	FLASH	SPI - Quad I/O	-	High Quality Single Level Cell (SLC) Technology Standard Serial Interface with x1/x2/x4 Bus Width	700µs	512Mb	40ºC ~ 85ºC / -40ºC ~ 105ºC	64M x 8
W25N512GWBIR TR Winbond Electronics Corporation RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип W632GG8NB15I TR Anlielectronics Тип	Winbond Electronics Corporation	DRAM 2Gb DDR3 SDRAM, x8, 667MHz, Industrial Temp T&R Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	VFBGA-78	78-VFBGA (8x10.5)	W632GG8	2000	-	-	+ 95 C	Volatile	Winbond Electronics	- 40 C	-	SMD/SMT	-	Active	Details	1.5 V	-	1.5V±0.075V	-	-40°C ~ 95°C (TC)	Reel	W632GG8NB	SDRAM - DDR3	SDRAM - DDR3	1.425V ~ 1.575V	2 Gbit	2133/1866/1600/1333Mbps	667 MHz	-	20 ns	DRAM	SSTL_15	8 bit	256 M x 8	15ns	2Gb	C-temp, I-temp/ Automotive	256M x 8
W632GG8NB15I TR Winbond Electronics Corporation RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип W632GG6NB15I TR Anlielectronics Тип	Winbond Electronics Corporation	DRAM 2Gb DDR3 SDRAM, x16, Industrial Temp.667MHz T&R Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	VFBGA-96	96-VFBGA (7.5x13)	W632GG6	3000	-	-	+ 95 C	Volatile	Winbond Electronics	- 40 C	-	SMD/SMT	Tape & Reel (TR)	Active	Details	1.5 V	-	1.5V±0.075V	-	-40°C ~ 95°C (TC)	Reel	W632GG6NB	SDRAM - DDR3	SDRAM - DDR3	1.425V ~ 1.575V	2 Gbit	2133/1866/1600/1333Mbps	667 MHz	-	20 ns	DRAM	SSTL_15	16 bit	128 M x 16	15ns	2Gb	C-temp, I-temp/ Automotive	128M x 16
W632GG6NB15I TR Winbond Electronics Corporation RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип W632GG8NB-11 TR Anlielectronics Тип	Winbond Electronics Corporation	DRAM 2Gb DDR3 SDRAM, x8, 933MHz,T&R Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	VFBGA-78	78-VFBGA (8x10.5)	W632GG8	2000	-	-	+ 95 C	Volatile	Winbond Electronics	0 C	-	SMD/SMT	Tape & Reel (TR)	Active	Details	1.5 V	-	1.5V±0.075V	-	0°C ~ 95°C (TC)	Reel	W632GG8NB	SDRAM - DDR3	SDRAM - DDR3	1.425V ~ 1.575V	2 Gbit	2133/1866/1600/1333Mbps	933 MHz	-	20 ns	DRAM	SSTL_15	8 bit	256 M x 8	15ns	2Gb	C-temp, I-temp/ Automotive	256M x 8
W632GG8NB-11 TR Winbond Electronics Corporation RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип W632GU8NB-12 TR Anlielectronics Тип	Winbond Electronics Corporation	DRAM 2Gb DDR3L 1.35V SDRAM, x8, 800MHz, T&R Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	VFBGA-78	78-VFBGA (8x10.5)	W632GU8	2000	-	-	+ 95 C	Volatile	Winbond Electronics	0 C	-	SMD/SMT	-	Active	Details	1.35 V	-	-	-	0°C ~ 95°C (TC)	Reel	W632GU8NB	SDRAM - DDR3L	SDRAM - DDR3L	1.283V ~ 1.45V	2 Gbit	-	800 MHz	-	20 ns	DRAM	Parallel	8 bit	256 M x 8	15ns	-	-	256M x 8
W632GU8NB-12 TR Winbond Electronics Corporation RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип W632GG8NB09I TR Anlielectronics Тип	Winbond Electronics Corporation	DRAM 2Gb DDR3 SDRAM, x8, 1066MHz, Industrial Temp T&R Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	VFBGA-78	78-VFBGA (8x10.5)	W632GG8	2000	-	-	+ 95 C	Volatile	Winbond Electronics	- 40 C	-	SMD/SMT	-	Active	Details	1.5 V	-	1.5V±0.075V	-	-40°C ~ 95°C (TC)	Reel	W632GG8NB	SDRAM - DDR3	SDRAM - DDR3	1.425V ~ 1.575V	2 Gbit	2133/1866/1600/1333Mbps	1.066 GHz	-	20 ns	DRAM	SSTL_15	8 bit	256 M x 8	15ns	2Gb	C-temp, I-temp/ Automotive	256M x 8
W632GG8NB09I TR Winbond Electronics Corporation RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип W632GG8NB-15 TR Anlielectronics Тип	Winbond Electronics Corporation	DRAM 2Gb DDR3 SDRAM, x8, 667MHz T&R Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	VFBGA-78	78-VFBGA (8x10.5)	W632GG8	2000	-	-	+ 95 C	Volatile	Winbond Electronics	0 C	-	SMD/SMT	Tape & Reel (TR)	Active	Details	1.5 V	-	1.5V±0.075V	-	0°C ~ 95°C (TC)	Reel	W632GG8NB	SDRAM - DDR3	SDRAM - DDR3	1.425V ~ 1.575V	2 Gbit	2133/1866/1600/1333Mbps	667 MHz	-	20 ns	DRAM	SSTL_15	8 bit	256 M x 8	15ns	2Gb	C-temp, I-temp/ Automotive	256M x 8
W632GG8NB-15 TR Winbond Electronics Corporation RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип W25N512GVBIR TR Anlielectronics Тип	Winbond Electronics Corporation	NAND Flash 512Mb Serial NAND flash, 3V Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	TFBGA-24	24-TFBGA (6x8)	W25N512	2000	SPI	-	+ 85 C	Non-Volatile	Winbond Electronics	- 40 C	-	SMD/SMT	Tape & Reel (TR)	Active	Details	3.6 V	2.7 V	2.7V - 3.6V	SpiStack	-40°C ~ 85°C (TA)	Reel	W25N512GV	QspiNAND Flash	FLASH - NAND (SLC)	2.7V ~ 3.6V	512 Mbit	104MHz	166 MHz	-	6 ns	FLASH	SPI - Quad I/O	-	High Quality Single Level Cell (SLC) Technology Standard Serial Interface with x1/x2/x4 Bus Width	700µs	512Mb	40ºC ~ 85ºC / -40ºC ~ 105ºC	64M x 8
W25N512GVBIR TR Winbond Electronics Corporation RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип W632GU8NB12I TR Anlielectronics Тип	Winbond Electronics Corporation	DRAM 2Gb DDR3L 1.35V SDRAM, x8, 800MHz, Industrial Temp T&R Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	VFBGA-78	78-VFBGA (8x10.5)	W632GU8	2000	-	-	+ 95 C	Volatile	Winbond Electronics	- 40 C	-	SMD/SMT	-	Active	Details	1.35 V	-	1.283V to 1.45V	-	-40°C ~ 95°C (TC)	Reel	W632GU8NB	SDRAM - DDR3L	SDRAM - DDR3L	1.283V ~ 1.45V	2 Gbit	2133/1866/1600/1333Mbps	800 MHz	-	20 ns	DRAM	Parallel	8 bit	256 M x 8	15ns	2Gb	C-temp, I-temp/ Automotive	256M x 8
W632GU8NB12I TR Winbond Electronics Corporation RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип W632GU6NB-09 TR Anlielectronics Тип	Winbond Electronics Corporation	DRAM 2Gb DDR3L 1.35V SDRAM, x16, 1066MHz T&R Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	VFBGA-96	96-VFBGA (7.5x13)	W632GU6	3000	-	-	+ 95 C	Volatile	Winbond Electronics	0 C	-	SMD/SMT	-	Active	Details	1.35 V	-	1.283V to 1.45V	-	0°C ~ 95°C (TC)	Reel	W632GU6NB	SDRAM - DDR3L	SDRAM - DDR3L	1.283V ~ 1.45V	2 Gbit	2133/1866/1600/1333Mbps	1.066 GHz	-	20 ns	DRAM	Parallel	16 bit	128 M x 16	15ns	2Gb	C-temp, I-temp/ Automotive	128M x 16
W632GU6NB-09 TR Winbond Electronics Corporation RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип W66CM2NQUAGI Anlielectronics Тип	Winbond Electronics Corporation	DRAM 4Gb LPDDR4X, DDP, x32, 1866MHz, Industrial Temp Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	WFBGA-200	-	-	144	-	1.866 GHz	+ 95 C	-	-	- 40 C	-	SMD/SMT	-	-	-	1.95 V	1.06 V	1.8V / 1.1V/0.6V	-	-	-	W66CM2NQ	SDRAM - LPDDR4X	-	-	4 Gbit	1600/1866MHz/2133MHz	-	45 mA	-	-	-	32 bit	128 M x 32	-	4Gb	-40ºC~95ºC/ Automotive	-
W66CM2NQUAGI Winbond Electronics Corporation RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип W66BM6NBUAFI Anlielectronics Тип	Winbond Electronics Corporation	DRAM 2Gb LPDDR4X, x16, 1600MHz, Industrial Temp Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	WFBGA-200	-	-	144	-	1.6 GHz	+ 95 C	-	-	- 40 C	-	SMD/SMT	-	-	-	1.95 V	1.06 V	1.8V / 1.1V/0.6V	-	-	-	W66BM6NB	SDRAM - LPDDR4X	-	-	2 Gbit	1600/1866MHz/2133MHz	-	40 mA	-	-	-	16 bit	128 M x 16	-	2Gb	-40ºC~95ºC/ Automotive	-
W66BM6NBUAFI Winbond Electronics Corporation RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип W634GG6NB-11 Anlielectronics Тип	Winbond Electronics Corporation	DRAM 4Gb DDR3 SDRAM, x16, 933MHz Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	VFBGA-96	-	-	190	-	933 MHz	+ 95 C	-	-	0 C	-	SMD/SMT	-	-	-	1.575 V	1.425 V	1.5V±0.075V	-	-	-	W634GG6NB	SDRAM - DDR3	-	-	4 Gbit	667 / 800 / 933 / 1066 MHz	-	205 mA	-	-	-	16 bit	256 M x 16	-	4Gb	C-temp, I-temp/ Automotive	-
W634GG6NB-11 Winbond Electronics Corporation RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип W25N02KVZEIG Anlielectronics Тип	Winbond Electronics Corporation	NAND Flash 2G-bit Serial NAND flash, 3V Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	480	Serial	104 MHz	+ 85 C	-	-	- 40 C	-	SMD/SMT	-	-	-	3.6 V	2.7 V	2.7V - 3.6V	-	-	-	-	QspiNAND Flash	-	-	2 Gbit	104MHz	-	-	-	-	-	-	High Quality Single Level Cell (SLC) Technology Standard Serial Interface with x1/x2/x4 Bus Width	-	2Gb	40ºC ~ 85ºC	-
W25N02KVZEIG Winbond Electronics Corporation RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип W634GU6NB12I Anlielectronics Тип	Winbond Electronics Corporation	DRAM 4Gb DDR3L 1.35V SDRAM, x16, 800MHz, Industrial Temp Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Surface Mount	VFBGA-96	96-VFBGA (9x13)	W634GU6	190	-	800 MHz	+ 95 C	Volatile	Winbond Electronics	- 40 C	-	SMD/SMT	Tray	Active	-	1.45 V	1.283 V	1.283V to 1.45V	-	-40°C ~ 95°C (TC)	-	W634GU6NB	SDRAM - DDR3L	SDRAM - DDR3L	1.283V ~ 1.45V	4 Gbit	667 / 800 / 933 / 1066 MHz	800 MHz	195 mA	20 ns	DRAM	Parallel	16 bit	256 M x 16	15ns	4Gb	C-temp, I-temp/ Automotive	256M x 16
W634GU6NB12I Winbond Electronics Corporation RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -

Integrated Circuits (ICs)

Memory definition: Memory is a component used to store programs and various data information. A memory cell is actually a type of sequential logic circuit. A m... Memory Product Listing: W979H2KBVX2I TR,W979H6KBQX1E TR,W66CL2NQUAGI,W66CL2NQUAHI,W66BL6NBUAFI.Integrated Circuits (ICs) type:Embedded - Microcontrollers(129432),Memory(111901),PMIC - Supervisors(101743),PMIC - Voltage Regulators - Linear(101187),PMIC - Voltage Regulators - DC DC Switching Regulators(62822) .Memory has 3184 pieces of spot stock price information, you can click the "RFQ" button to confirm the inventory and price with the Anli.

Индекс :

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

Локаль

Язык

Валюта

Здравствуйте, добро пожаловать в ANLI

Anlielectronics

Локаль

Язык

Валюта

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Integrated Circuits (ICs)