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| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Factory Lead Time | Mount | Package / Case | Surface Mount | Number of Pins | Memory Types | Number of Elements | Operating Temperature (Max.) | Operating Temperature (Min.) | Usage Level | Packaging | Published | JESD-609 Code | Pbfree Code | Part Status | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Number of Terminations | ECCN Code | Terminal Finish | Max Operating Temperature | Min Operating Temperature | Additional Feature | HTS Code | Voltage - Rated DC | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Number of Functions | Supply Voltage | Terminal Pitch | Reach Compliance Code | Frequency | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | Pin Count | JESD-30 Code | Qualification Status | Approval Agency | Operating Supply Voltage | Supply Voltage-Max (Vsup) | Power Supplies | Temperature Grade | Supply Voltage-Min (Vsup) | Voltage | Interface | Max Supply Voltage | Min Supply Voltage | Memory Size | Number of Ports | Speed | Operating Mode | uPs/uCs/Peripheral ICs Type | Clock Frequency | Access Time | Data Bus Width | Organization | Output Characteristics | Memory Width | Density | Standby Current-Max | Memory Density | Max Frequency | I/O Type | ESD Protection | Refresh Cycles | Access Mode | Host Data Transfer Rate-Max | Height | Height Seated (Max) | Length | Width | Radiation Hardening | RoHS Status | Lead Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. ТипMT8LSDT3264HY-133D2Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
DRAM Module SDRAM 256Mbyte 144SODIMM Tray
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Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 10 Weeks | Socket | 144-SODIMM | - | 144 | SDRAM | 8 | - | - | - | - | 2002 | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | 70°C | 0°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 133MHz | - | - | - | - | - | 3.3V | - | - | - | - | - | - | 3.6V | 3V | 256MB | - | 133MHz | - | - | - | - | 64b | - | - | - | - | - | - | 133MHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | No | ROHS3 Compliant | - | ||
| MT8LSDT3264HY-133D2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMT18KSF1G72AKIZ-1G4E1Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
DRAM Module DDR3L SDRAM 8Gbyte 244UDIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | 244-MiniUDIMM | - | 244 | DDR3L SDRAM | - | - | - | - | Bulk | 2013 | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | - | - | - | 85°C | -40°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.35V | - | - | - | - | - | - | - | - | 8GB | - | 1333MT/s | - | - | - | - | 72b | - | - | - | - | - | - | 1.333GHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | No | ROHS3 Compliant | - | ||
| MT18KSF1G72AKIZ-1G4E1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMTEDCAE004SAJ-1N2Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
Solid State Drive eUSB USB 2.0 4Gbyte 240Mbps 176Mbps 5V 1000000h
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Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Module | YES | - | FLASH - NAND (SLC) | - | - | - | - | - | 2013 | e3 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 10 | - | Matte Tin (Sn) | 70°C | 0°C | - | 8542.31.00.01 | 5V | UNSPECIFIED | - | 260 | - | 5V | - | - | - | 30 | - | R-XXMA-N10 | - | - | - | - | - | COMMERCIAL | - | 5V | USB | 5.25V | 2.85V | 4GB | - | - | - | SECONDARY STORAGE CONTROLLER, FLASH MEMORY DRIVE | - | - | - | - | - | - | 32 Gb | - | - | - | - | No | - | - | 30 MBps | - | 9.7mm | 36.9mm | 26.6mm | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MTEDCAE004SAJ-1N2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMTEDCAE008SAJ-1N2ITAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
EMBEDDED USB MASS STORAGE DRIVE
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Module | YES | - | FLASH - NAND (SLC) | - | 85°C | -40°C | - | - | 2013 | e3 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 10 | - | Matte Tin (Sn) | - | - | - | 8542.31.00.01 | 5V | UNSPECIFIED | NO LEAD | 260 | - | 5V | - | - | - | 30 | - | R-XXMA-N10 | - | - | - | - | - | INDUSTRIAL | - | 5V | USB | - | - | 8GB | - | - | - | SECONDARY STORAGE CONTROLLER, FLASH MEMORY DRIVE | - | - | - | - | - | - | 64 Gb | - | - | - | - | - | - | - | 30 MBps | - | 9.7mm | 36.9mm | 26.6mm | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MTEDCAE008SAJ-1N2IT | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMTA4ATF51264HZ-2G6E1Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE DDR4 SDRAM 4GB 260UDIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 6 Weeks | - | 260-UDIMM | NO | - | DDR4 SDRAM | - | 95°C | - | - | - | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | 260 | - | - | - | - | WD-MAX | - | - | ZIG-ZAG | NO LEAD | - | 1 | 1.2V | - | - | - | - | - | R-XZMA-N260 | - | - | - | 1.26V | - | OTHER | 1.14V | - | - | - | - | 4GB | 1 | 2666MT/s | SYNCHRONOUS | - | - | - | - | 512MX64 | - | 64 | - | - | 34359738368 bit | - | - | - | - | SINGLE BANK PAGE BURST | - | - | 30.13mm | 69.6mm | 2.5mm | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MTA4ATF51264HZ-2G6E1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMTA9ASF1G72PZ-2G9E1Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE DDR4 SDRAM 8GB 288RDIMM
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| Min.:1 Mult.:1 | 11 Weeks | - | 288-RDIMM | - | - | DDR4 SDRAM | - | - | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 8GB | - | 2933MT/s | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| MTA9ASF1G72PZ-2G9E1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMT18KDF51272PDZ-1G6K1Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
DRAM Module DDR3L SDRAM 4Gbyte 240RDIMM
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | 3 Weeks | Socket | 240-RDIMM | - | 240 | DDR3L SDRAM | 18 | - | - | - | - | 2015 | - | - | Active | 3 (168 Hours) | - | - | - | 70°C | 0°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.35V | - | - | - | - | - | - | 1.45V | 1.283V | 4GB | - | 1600MT/s | - | - | - | - | 72b | - | - | - | - | - | - | 1.6GHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MT18KDF51272PDZ-1G6K1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMT8KTF51264HZ-1G9P1Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE DDR3L SDRAM 4GB 204SODIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 5 Weeks | - | 204-SODIMM | NO | 204 | DDR3L SDRAM | - | 70°C | - | Commercial grade | - | 2009 | - | - | Active | 1 (Unlimited) | 204 | - | - | - | - | SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.5V NOM; WD-MAX | - | - | ZIG-ZAG | NO LEAD | - | 1 | 1.35V | 0.45mm | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.45V | - | COMMERCIAL | 1.283V | - | - | - | - | 4GB | 1 | 1866MT/s | SYNCHRONOUS | - | - | - | - | 512MX64 | - | 64 | - | - | 34359738368 bit | - | - | - | - | SINGLE BANK PAGE BURST | - | - | 30.15mm | 67.6mm | 3.8mm | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MT8KTF51264HZ-1G9P1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMT4HTF6464AY-667E1Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE DDR2 SDRAM 512MB 240UDIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | Socket | 240-UDIMM | - | 240 | DDR2 SDRAM | 4 | - | - | - | - | 2010 | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 240 | - | - | 85°C | 0°C | - | - | - | DUAL | NO LEAD | - | - | 1.8V | 1mm | unknown | - | - | - | - | Not Qualified | - | 1.8V | - | - | COMMERCIAL | - | - | - | 1.9V | 1.7V | 512MB | - | 667MT/s | - | - | 333MHz | 45 ps | - | - | 3-STATE | 64 | - | 0.028A | - | 667MHz | COMMON | - | 8192 | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MT4HTF6464AY-667E1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMTEDCBR004SAJ-1N2Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE FLASH NAND SLC 4GB
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 12 Weeks | - | Module | YES | - | FLASH - NAND (SLC) | - | - | - | - | - | 2013 | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 10 | - | - | 70°C | 0°C | - | 8542.31.00.01 | 3.3V | UNSPECIFIED | NO LEAD | - | - | 3.3V | - | - | - | - | - | R-XXMA-N10 | - | - | 3.3V | - | - | COMMERCIAL | - | 3.3V | USB | - | - | 4GB | - | - | - | SECONDARY STORAGE CONTROLLER, FLASH MEMORY DRIVE | - | - | - | - | - | - | 32 Gb | - | - | - | - | - | - | - | 30 MBps | - | 5.9mm | 36.9mm | 26.6mm | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MTEDCBR004SAJ-1N2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMTA8ATF1G64HZ-2G6E1Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE DDR4 SDRAM 8GB 260SODIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 5 Weeks | - | 260-SODIMM | - | - | DDR4 SDRAM | - | - | - | - | - | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 8GB | - | 2666MT/s | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MTA8ATF1G64HZ-2G6E1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMT9KSF51272AZ-1G6E1Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE DDR3L SDRAM 4GB 240UDIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | 240-UDIMM | - | 240 | DDR3L SDRAM | - | - | - | - | - | 2015 | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | - | - | - | 70°C | 0°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 4GB | - | 1600MT/s | - | - | - | - | 72b | - | - | - | - | - | - | 1.6GHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | No | ROHS3 Compliant | - | ||
| MT9KSF51272AZ-1G6E1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMT18HTF25672FDZ-667H1D6Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE DDR2 SDRAM 2GB 240FBDIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | Socket | 240-FBDIMM | - | 240 | DDR2 SDRAM | 18 | - | - | - | - | 2010 | e4 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 240 | - | GOLD | 95°C | 0°C | - | - | - | DUAL | NO LEAD | 260 | - | - | 1mm | - | - | 30 | - | - | Not Qualified | - | 1.8V | - | - | COMMERCIAL | - | - | - | - | - | 2GB | - | 667MT/s | - | - | 333MHz | - | - | 256MX72 | 3-STATE | 72 | - | - | 19327352832 bit | 667MHz | COMMON | - | 8192 | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MT18HTF25672FDZ-667H1D6 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMTEDCBE002SAJ-1M2Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
Solid State Drive eUSB USB 2.0 2Gbyte 240Mbps 176Mbps 3.3V/5V 1000000h
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 5 Weeks | - | Module | YES | - | FLASH - NAND (SLC) | - | 70°C | - | - | - | 2013 | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 10 | - | - | - | - | - | 8542.31.00.01 | 5V | UNSPECIFIED | NO LEAD | NOT SPECIFIED | - | 5V | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | R-XXMA-N10 | - | - | - | - | - | COMMERCIAL | - | 5V | USB | - | - | 2GB | - | - | - | SECONDARY STORAGE CONTROLLER, FLASH MEMORY DRIVE | - | - | - | - | - | - | 16 Gb | - | - | - | - | - | - | - | 30 MBps | - | 5.9mm | 36.9mm | 26.6mm | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MTEDCBE002SAJ-1M2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMT4VDDT3264HY-40BF2Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE DDR SDRAM 256MB 200SODIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | Socket | 200-SODIMM | - | 200 | DDR SDRAM | 4 | - | - | - | Bulk | 2003 | e4 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 200 | EAR99 | GOLD | 70°C | 0°C | AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX | - | - | DUAL | NO LEAD | 260 | 1 | 2.6V | 0.6mm | unknown | - | 30 | 200 | - | Not Qualified | - | 2.6V | - | - | COMMERCIAL | - | - | - | 2.7V | 2.5V | 256MB | 1 | 400MT/s | SYNCHRONOUS | - | - | 900 ns | - | - | 3-STATE | 64 | - | - | - | 400MHz | COMMON | - | 8192 | - | - | 31.8mm | - | 67.6mm | - | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| MT4VDDT3264HY-40BF2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMT16JSF51264HZ-1G4D1Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE DDR3 SDRAM 4GB 204SODIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | Socket | 204-SODIMM | - | 204 | DDR3 SDRAM | 16 | - | - | - | - | 2011 | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 204 | EAR99 | - | 70°C | 0°C | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.36 | - | DUAL | - | - | 1 | 1.5V | 0.6mm | - | - | - | 204 | - | - | - | 1.5V | - | 1.53.3V | COMMERCIAL | - | - | - | 1.575V | 1.425V | 4GB | 1 | 1333MT/s | - | - | 667MHz | - | 64b | 512MX64 | 3-STATE | 64 | - | 0.192A | 34359738368 bit | 1.333GHz | COMMON | - | 8192 | DUAL BANK PAGE BURST | - | - | 3.8mm | 67.6mm | - | No | ROHS3 Compliant | - | ||
| MT16JSF51264HZ-1G4D1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMT4LSDT1664HY-13ED1Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE SDRAM 128MB 144SODIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | Socket | 144-SODIMM | - | 144 | SDRAM | 4 | - | - | - | Bulk | 2002 | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | 65°C | 0°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 133MHz | - | - | - | - | - | 3.3V | - | - | - | - | - | - | 3.6V | 3V | 128MB | - | 133MHz | - | - | - | 5.4 ns | 64b | - | - | - | - | - | - | 133MHz | - | - | - | - | - | 25.4mm | - | - | - | No | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| MT4LSDT1664HY-13ED1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMTEDCAE002SAJ-1M2Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
Solid State Drive eUSB USB 2.0 2Gbyte 240Mbps 176Mbps 3.3V/5V 1000000h
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 6 Weeks | - | Module | YES | - | FLASH - NAND (SLC) | - | - | - | - | - | 2013 | e3 | - | Active | 1 (Unlimited) | 10 | - | Matte Tin (Sn) | 70°C | 0°C | - | 8542.31.00.01 | 5V | UNSPECIFIED | - | 260 | - | 5V | - | - | - | 30 | - | R-XXMA-N10 | - | CE, UL | 3.3V | - | - | COMMERCIAL | - | 5V | USB | - | - | 2GB | - | - | - | SECONDARY STORAGE CONTROLLER, FLASH MEMORY DRIVE | - | - | - | - | - | - | 16 Gb | - | - | - | - | No | - | - | 30 MBps | - | 9.7mm | 36.9mm | 26.6mm | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MTEDCAE002SAJ-1M2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMT16HTF12864AY-53ED4Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE DDR2 SDRAM 1GB 240UDIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | Socket | 240-UDIMM | - | 240 | DDR2 SDRAM | 16 | - | - | - | Bulk | 2002 | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 240 | - | - | 70°C | 0°C | - | - | - | DUAL | NO LEAD | - | - | 1.8V | 1mm | unknown | - | - | - | - | Not Qualified | - | 1.8V | - | - | COMMERCIAL | - | - | - | 1.9V | 1.7V | 1GB | - | 533MT/s | - | - | 266MHz | 50 ps | - | 128MX64 | 3-STATE | 64 | - | 0.112A | 8589934592 bit | 533MHz | COMMON | - | 8192 | - | - | 30mm | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| MT16HTF12864AY-53ED4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMTA8ATF1G64HZ-3G2E1Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE DDR4 SDRAM 8GB 260SODIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 26 Weeks | - | 260-SODIMM | NO | - | DDR4 SDRAM | - | 85°C | - | - | - | - | - | - | Active | - | 260 | EAR99 | - | - | - | AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX | - | - | ZIG-ZAG | NO LEAD | NOT SPECIFIED | 1 | 1.2V | - | compliant | - | NOT SPECIFIED | - | R-XZMA-N260 | - | - | - | 1.26V | - | OTHER | 1.14V | - | - | - | - | 8GB | 1 | 3200MT/s | SYNCHRONOUS | - | - | - | - | 1GX64 | - | 64 | - | - | 68719476736 bit | - | - | - | - | SINGLE BANK PAGE BURST | - | - | 30.13mm | 69.6mm | 3.7mm | - | RoHS Compliant | - | ||
| MTA8ATF1G64HZ-3G2E1 |
Индекс :
0123456789ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ