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| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Factory Lead Time | Contact Plating | Mount | Package / Case | Surface Mount | Number of Pins | Memory Types | Number of Elements | Operating Temperature (Max.) | Packaging | Published | Series | JESD-609 Code | Pbfree Code | Part Status | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Number of Terminations | ECCN Code | Terminal Finish | Max Operating Temperature | Min Operating Temperature | Additional Feature | HTS Code | Voltage - Rated DC | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Number of Functions | Supply Voltage | Terminal Pitch | Reach Compliance Code | Frequency | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | Pin Count | JESD-30 Code | Qualification Status | Operating Supply Voltage | Supply Voltage-Max (Vsup) | Power Supplies | Temperature Grade | Supply Voltage-Min (Vsup) | Voltage | Interface | Max Supply Voltage | Min Supply Voltage | Memory Size | Number of Ports | Speed | Operating Mode | uPs/uCs/Peripheral ICs Type | Clock Frequency | Access Time | Data Bus Width | Organization | Output Characteristics | Memory Width | Density | Standby Current-Max | Memory Density | Max Frequency | Access Time (Max) | I/O Type | Refresh Cycles | Access Mode | Host Data Transfer Rate-Max | Height | Height Seated (Max) | Length | Width | Radiation Hardening | RoHS Status | Lead Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. ТипMT16VDDF12864HY-335F2Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE DDR SDRAM 1GB 200SODIMM
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Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Socket | 200-SODIMM | - | 200 | DDR SDRAM | 16 | - | Bulk | 2002 | - | e4 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 200 | EAR99 | GOLD | 70°C | 0°C | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.36 | - | ZIG-ZAG | NO LEAD | 260 | 1 | 2.5V | 0.6mm | - | 167MHz | 30 | 200 | - | Not Qualified | 2.5V | - | - | COMMERCIAL | - | - | - | 2.7V | 2.3V | 1GB | 1 | - | SYNCHRONOUS | - | - | - | - | 128MX64 | 3-STATE | 64 | - | 0.08A | 8589934592 bit | - | 0.7 ns | COMMON | 8192 | DUAL BANK PAGE BURST | - | 38.1mm | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| MT16VDDF12864HY-335F2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMT4LSDT464HY-133G4Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE SDRAM 32MB 144SODIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Socket | 144-SODIMM | - | 144 | SDRAM | 4 | - | Bulk | 2002 | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | 65°C | 0°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 133MHz | - | - | - | - | 3.3V | - | - | - | - | - | - | 3.6V | 3V | 32MB | - | 133MHz | - | - | - | - | 64b | - | - | - | - | - | - | 133MHz | - | - | - | - | - | 25.4mm | - | - | - | No | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| MT4LSDT464HY-133G4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMT18VDDT6472G-265G3Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE DDR SDRAM 512MB 184RDIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Socket | 184-RDIMM | - | 184 | DDR SDRAM | 18 | - | Bulk | 2002 | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | 70°C | 0°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.5V | - | - | - | - | - | - | 2.7V | 2.3V | 512MB | - | 266MT/s | - | - | - | 750 ps | - | - | - | - | - | - | - | 266MHz | - | - | - | - | - | 43.2mm | - | - | - | - | Non-RoHS Compliant | Contains Lead | ||
| MT18VDDT6472G-265G3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMT8KTF51264HZ-1G6E1Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
DRAM Module DDR3L SDRAM 4Gbyte 204SODIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 111 Weeks | Tin | Socket | 204-SODIMM | - | 204 | DDR3L SDRAM | 8 | - | - | 2014 | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 204 | - | - | 70°C | 0°C | - | - | - | DUAL | - | - | - | 1.35V | 0.6mm | - | - | - | - | - | - | 1.35V | - | - | COMMERCIAL | - | - | - | 1.45V | 1.283V | 4GB | - | 1600MT/s | - | - | - | - | 64b | 512MX64 | 3-STATE | 64 | - | 0.144A | - | 1.6GHz | - | COMMON | - | - | - | - | - | - | - | No | ROHS3 Compliant | - | ||
| MT8KTF51264HZ-1G6E1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMT8HTF12864HDZ-800H1Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE DDR2 SDRAM 1GB 200SODIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Socket | 200-SODIMM | - | 200 | DDR2 SDRAM | 8 | - | - | 2010 | - | e4 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 200 | EAR99 | GOLD | 70°C | 0°C | SELF REFRESH; WD-MAX | - | - | ZIG-ZAG | - | 260 | 1 | 1.8V | 0.45mm | - | - | 30 | 200 | - | - | 1.8V | - | - | COMMERCIAL | - | - | - | 1.9V | 1.7V | 1GB | 1 | 800MT/s | - | - | 400MHz | - | 64b | - | 3-STATE | 64 | - | 0.056A | - | 800MHz | 0.4 ns | COMMON | - | DUAL BANK PAGE BURST | - | - | 30.15mm | 67.6mm | - | No | ROHS3 Compliant | - | ||
| MT8HTF12864HDZ-800H1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMT4HTF3264AY-667D3Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE DDR2 SDRAM 256MB 240UDIMM
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | 240-UDIMM | NO | 240 | DDR2 SDRAM | - | 70°C | Bulk | 2002 | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 240 | - | - | - | - | - | - | - | DUAL | NO LEAD | - | - | 1.8V | 1mm | unknown | - | - | - | - | Not Qualified | - | - | 1.8V | COMMERCIAL | - | - | - | - | - | 256MB | - | 667MT/s | - | - | 333MHz | - | - | 32MX64 | 3-STATE | 64 | - | - | 2147483648 bit | - | 0.45 ns | COMMON | 8192 | - | - | 29.5mm | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| MT4HTF3264AY-667D3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMT4HTF3264HY-53ED3Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODUL DDR2 SDRAM 256MB 200SODIMM
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | 200-SODIMM | NO | 200 | DDR2 SDRAM | - | - | Bulk | 2004 | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 200 | - | - | 70°C | 0°C | - | - | - | DUAL | - | - | - | 1.8V | 0.6mm | - | - | - | - | - | - | 1.8V | - | - | COMMERCIAL | - | - | - | - | - | 256MB | - | 533MT/s | - | - | 267MHz | - | 64b | 32MX64 | 3-STATE | 64 | - | 0.028A | 2147483648 bit | 533MHz | 0.5 ns | COMMON | 8192 | - | - | 30mm | - | - | - | No | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| MT4HTF3264HY-53ED3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMT18KDF2G72AZ-1G6A1Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE DDR3L SDRAM 16GB 240UDIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 5 Weeks | - | - | 240-UDIMM | NO | 240 | DDR3L SDRAM | - | 70°C | - | 2016 | - | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | 240 | EAR99 | - | - | - | AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX; ALSO OPERATES AT 1.5V NOMINAL SUPPLY | - | - | DUAL | NO LEAD | - | 1 | 1.35V | 1mm | - | - | - | - | - | - | - | 1.45V | - | COMMERCIAL | 1.235V | - | - | - | - | 16GB | 1 | 1600MT/s | SYNCHRONOUS | - | - | - | - | 2GX72 | - | 72 | - | - | 154618822656 bit | - | - | - | - | DUAL BANK PAGE BURST | - | - | 18.9mm | 133.35mm | 4mm | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MT18KDF2G72AZ-1G6A1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMT18KSF1G72PDZ-1G6N1Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE DDR3L SDRAM 8GB 240RDIMM
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | 5 Weeks | Gold | Socket | 240-RDIMM | - | 240 | DDR3L SDRAM | - | - | - | 2015 | - | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | - | - | - | 70°C | 0°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 8GB | - | 1600MT/s | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 800MHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MT18KSF1G72PDZ-1G6N1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMT8HTF25664HZ-800C1Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
DRAM Module DDR2 SDRAM 2Gbyte 200SODIMM
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | 5 Weeks | - | Socket | 200-SODIMM | - | 200 | DDR2 SDRAM | 8 | - | - | 2014 | - | - | - | Not For New Designs | 3 (168 Hours) | - | - | - | 70°C | 0°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.8V | - | - | - | - | - | - | 1.9V | 1.7V | 2GB | - | 800MT/s | - | - | - | - | 64b | - | - | - | - | - | - | 800MHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MT8HTF25664HZ-800C1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMT18KDF1G72PZ-1G6P1Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE DDR3L SDRAM 8GB 240RDIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 3 Weeks | - | - | 240-RDIMM | - | 240 | DDR3L SDRAM | - | - | - | - | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 8GB | - | 1600MT/s | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MT18KDF1G72PZ-1G6P1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMT8JSF25664HZ-1G1D1Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
DRAM Module DDR3 SDRAM 2Gbyte 204SODIMM Tray
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Socket | 204-SODIMM | - | 204 | DDR3 SDRAM | 8 | - | - | 2011 | - | e3 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 204 | - | MATTE TIN | 70°C | 0°C | AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX | - | - | ZIG-ZAG | - | 260 | 1 | 1.5V | 0.6mm | - | - | 30 | - | - | - | 1.5V | - | 1.53.3V | COMMERCIAL | - | - | - | 1.575V | 1.425V | 2GB | 1 | 1066MT/s | - | - | 533MHz | - | 64b | 256MX64 | 3-STATE | 64 | - | 0.096A | - | 1.066GHz | - | COMMON | - | SINGLE BANK PAGE BURST | - | - | 30.15mm | 67.6mm | - | No | ROHS3 Compliant | - | ||
| MT8JSF25664HZ-1G1D1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMT9JBF25672AKZ-1G4K1Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
DRAM Module DDR3 SDRAM 2Gbyte 244UDIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 12 Weeks | - | Socket | 244-MiniUDIMM | - | 244 | DDR3 SDRAM | 9 | - | - | 2013 | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | 244 | - | - | 70°C | 0°C | AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX | - | - | DUAL | - | - | 1 | 1.5V | - | - | - | - | - | - | - | 1.5V | - | - | COMMERCIAL | - | - | - | 1.575V | 1.425V | 2GB | 1 | 1333MT/s | - | - | - | - | 72b | 256MX72 | - | 72 | - | - | - | 1.333GHz | - | - | - | SINGLE BANK PAGE BURST | - | - | - | 82mm | - | No | ROHS3 Compliant | - | ||
| MT9JBF25672AKZ-1G4K1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMT8JTF12864HZ-1G6G1Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
DRAM Module DDR3 SDRAM 1Gbyte 204SODIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Socket | 204-SODIMM | - | 204 | DDR3 SDRAM | 8 | - | - | 2013 | - | e3 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 204 | - | MATTE TIN | 70°C | 0°C | - | - | - | DUAL | - | 260 | - | 1.5V | 0.6mm | - | - | 30 | - | - | - | 1.5V | - | - | COMMERCIAL | - | - | - | 1.575V | 1.425V | 1GB | - | 1600MT/s | - | - | - | - | - | - | 3-STATE | 64 | - | 0.096A | - | 1.6GHz | 0.225 ns | COMMON | - | - | - | - | - | - | - | No | ROHS3 Compliant | - | ||
| MT8JTF12864HZ-1G6G1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMT4KTF25664AZ-1G9P1Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE DDR3L SDRAM 2GB 240UDIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 3 Weeks | - | - | 240-UDIMM | NO | 240 | DDR3L SDRAM | - | 70°C | - | 2015 | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | 240 | EAR99 | - | - | - | AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX; ALSO OPERATES AT 1.5V NOMINAL SUPPLY | - | - | DUAL | NO LEAD | - | 1 | 1.35V | 1mm | - | - | - | - | - | - | - | 1.45V | - | COMMERCIAL | 1.283V | - | - | - | - | 2GB | 1 | 1866MT/s | SYNCHRONOUS | - | - | - | - | 256MX64 | - | 64 | - | - | 17179869184 bit | - | - | - | - | SINGLE BANK PAGE BURST | - | - | 30.5mm | 133.35mm | 2.7mm | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MT4KTF25664AZ-1G9P1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMT18JSF51272PZ-1G4D1Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE DDR3 SDRAM 4GB 240RDIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Socket | 240-RDIMM | - | 240 | DDR3 SDRAM | 18 | - | - | 2009 | - | e3 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 240 | - | MATTE TIN | 70°C | 0°C | - | - | - | DUAL | - | 225 | - | 1.5V | 1mm | - | - | - | - | - | - | 1.5V | - | - | COMMERCIAL | - | - | - | 1.575V | 1.425V | 4GB | - | 1333MT/s | - | - | 667MHz | - | 72b | 512MX72 | 3-STATE | 72 | - | 0.216A | 38654705664 bit | 1.333GHz | 0.255 ns | COMMON | 8192 | - | - | - | - | - | - | No | ROHS3 Compliant | - | ||
| MT18JSF51272PZ-1G4D1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMT4LSDT864HY-133G2Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE SDRAM 64MB 144SODIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Socket | 144-SODIMM | - | 144 | SDRAM | 4 | - | Bulk | 2002 | - | e4 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 144 | EAR99 | GOLD | 65°C | 0°C | AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX | - | - | ZIG-ZAG | - | 260 | 1 | 3.3V | - | - | 133MHz | 30 | 144 | - | - | 3.3V | - | - | COMMERCIAL | - | - | - | 3.6V | 3V | 64MB | 1 | - | - | - | - | - | 64b | - | - | 64 | - | - | 536870912 bit | - | - | - | - | SINGLE BANK PAGE BURST | - | 25mm | - | 67.585mm | - | No | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| MT4LSDT864HY-133G2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMT4LSDT864HG-13EG2Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE SDRAM 64MB 144SODIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Socket | 144-SODIMM | - | 144 | SDRAM | 4 | - | Bulk | 2002 | - | e0 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 144 | EAR99 | TIN LEAD | 65°C | 0°C | AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX | - | - | ZIG-ZAG | - | 235 | 1 | 3.3V | - | - | 133MHz | 30 | 144 | - | - | 3.3V | - | - | COMMERCIAL | - | - | - | 3.6V | 3V | 64MB | 1 | - | - | - | - | 5.4 ns | 64b | - | - | 64 | - | - | 536870912 bit | - | - | - | - | - | - | 25.4mm | - | 67.585mm | - | No | Non-RoHS Compliant | Contains Lead | ||
| MT4LSDT864HG-13EG2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMTFDCAE004SAF-1B1ITAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
Solid State Drive USB 4Gbyte 264Mbps 176Mbps 5V 4000000h
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Screw | Module | - | 10 | FLASH - NAND (SLC) | - | - | - | 2002 | RealSSD™ | - | - | Discontinued | 1 (Unlimited) | - | - | - | 85°C | -40°C | - | 8542.31.00.01 | 5V | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | - | - | 5V | - | - | - | - | - | R-XXMA-X | - | 5V | - | - | INDUSTRIAL | - | 5V | USB | 5.25V | 4.75V | 4GB | - | - | - | SECONDARY STORAGE CONTROLLER, FLASH MEMORY DRIVE | - | - | - | - | - | - | 32 Gb | - | - | - | - | - | - | - | 33 MBps | - | 9.7mm | 36.9mm | 26.6mm | No | ROHS3 Compliant | - | ||
| MTFDCAE004SAF-1B1IT | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMT8JTF51264AZ-1G6E1Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
DDR3 SDRAM UDIMM WITH MODULE DENSITY 4 GB
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 16 Weeks | Gold | Socket | 240-UDIMM | - | 240 | DDR3 SDRAM | - | - | - | 2013 | - | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | - | - | - | 70°C | 0°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.5V | - | - | - | - | - | - | 1.575V | 1.425V | 4GB | - | 1600MT/s | - | - | - | - | 64b | - | - | - | - | - | - | 800MHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MT8JTF51264AZ-1G6E1 |
Индекс :
0123456789ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ