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| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Factory Lead Time | Contact Plating | Mount | Package / Case | Surface Mount | Number of Pins | Memory Types | Number of Elements | Operating Temperature (Max.) | Operating Temperature (Min.) | Packaging | Published | JESD-609 Code | Part Status | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Number of Terminations | ECCN Code | Terminal Finish | Max Operating Temperature | Min Operating Temperature | Additional Feature | HTS Code | Voltage - Rated DC | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Number of Functions | Supply Voltage | Terminal Pitch | Reach Compliance Code | Frequency | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | JESD-30 Code | Qualification Status | Operating Supply Voltage | Supply Voltage-Max (Vsup) | Power Supplies | Temperature Grade | Supply Voltage-Min (Vsup) | Voltage | Interface | Max Supply Voltage | Min Supply Voltage | Memory Size | Number of Ports | Speed | Operating Mode | uPs/uCs/Peripheral ICs Type | Clock Frequency | Access Time | Data Bus Width | Organization | Output Characteristics | Memory Width | Density | Standby Current-Max | Memory Density | Max Frequency | Access Time (Max) | I/O Type | Refresh Cycles | Access Mode | Host Data Transfer Rate-Max | Height | Height Seated (Max) | Length | Width | Radiation Hardening | RoHS Status | Lead Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. ТипMT8HTF3264HDY-40EB3Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MOD DDR2 SDRAM 256MB 200SODIMM
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Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | 200-SODIMM | NO | 200 | DDR2 SDRAM | - | 70°C | - | - | 2010 | e4 | Discontinued | 1 (Unlimited) | 200 | - | GOLD | - | - | - | - | - | DUAL | NO LEAD | - | - | 1.8V | 0.6mm | - | - | - | - | Not Qualified | - | - | 1.8V | COMMERCIAL | - | - | - | - | - | 256MB | - | 400MT/s | - | - | - | - | - | 32MX64 | 3-STATE | 64 | - | 0.04A | 2147483648 bit | - | 0.6 ns | COMMON | 8192 | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MT8HTF3264HDY-40EB3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMT9KSF51272AZ-1G6P1Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE DDR3L SDRAM 4GB 240UDIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 3 Weeks | - | - | 240-UDIMM | NO | 240 | DDR3L SDRAM | - | 70°C | - | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | 240 | EAR99 | - | - | - | AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX; ALSO OPERATES AT 1.5V NOMINAL SUPPLY | - | - | DUAL | NO LEAD | - | 1 | 1.35V | 1mm | - | - | - | - | - | - | 1.45V | - | COMMERCIAL | 1.283V | - | - | - | - | 4GB | 1 | 1600MT/s | SYNCHRONOUS | - | - | - | - | 512MX72 | - | 72 | - | - | 38654705664 bit | - | - | - | - | SINGLE BANK PAGE BURST | - | - | 30.5mm | 133.35mm | 2.7mm | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MT9KSF51272AZ-1G6P1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMTEDCBR008SAJ-1N2Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE FLASH NAND SLC 8GB
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| Min.:1 Mult.:1 | 5 Weeks | - | - | Module | YES | - | FLASH - NAND (SLC) | - | 70°C | - | - | 2013 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 10 | - | - | - | - | - | 8542.31.00.01 | 3.3V | UNSPECIFIED | NO LEAD | NOT SPECIFIED | - | 3.3V | - | - | - | NOT SPECIFIED | R-XXMA-N10 | - | - | - | - | COMMERCIAL | - | 3.3V | USB | - | - | 8GB | - | - | - | SECONDARY STORAGE CONTROLLER, FLASH MEMORY DRIVE | - | - | - | - | - | - | 64 Gb | - | - | - | - | - | - | - | 30 MBps | - | 5.9mm | 36.9mm | 26.6mm | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MTEDCBR008SAJ-1N2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMT16HTF12864AY-667D4Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE DDR2 SDRAM 1GB 240UDIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Socket | 240-UDIMM | - | 240 | DDR2 SDRAM | 16 | - | - | Bulk | 2002 | - | Discontinued | 1 (Unlimited) | 240 | - | - | 70°C | 0°C | - | - | - | DUAL | NO LEAD | - | - | 1.8V | 1mm | unknown | - | - | - | Not Qualified | 1.8V | - | - | COMMERCIAL | - | - | - | 1.9V | 1.7V | 1GB | - | 667MT/s | - | - | 333MHz | 45 ps | - | 128MX64 | 3-STATE | 64 | - | 0.112A | 8589934592 bit | 667MHz | - | COMMON | 8192 | - | - | 30mm | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| MT16HTF12864AY-667D4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMTEDCBR016SAJ-1N2Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE FLASH NAND SLC 16GB
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Module | YES | - | FLASH - NAND (SLC) | - | 70°C | - | - | 2013 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 10 | - | - | - | - | - | 8542.31.00.01 | 3.3V | UNSPECIFIED | NO LEAD | NOT SPECIFIED | - | 3.3V | - | - | - | NOT SPECIFIED | R-XXMA-N10 | - | - | - | - | COMMERCIAL | - | 3.3V | USB | - | - | 16GB | - | - | - | SECONDARY STORAGE CONTROLLER, FLASH MEMORY DRIVE | - | - | - | - | - | - | 128 Gb | - | - | - | - | - | - | - | 30 MBps | - | 5.9mm | 36.9mm | 26.6mm | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MTEDCBR016SAJ-1N2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMTA4ATF51264AZ-2G6E1Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE DDR4 SDRAM 4GB 288UDIMM
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | 288-UDIMM | - | - | DDR4 SDRAM | - | - | - | - | - | - | Active | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 4GB | - | 2666MT/s | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MTA4ATF51264AZ-2G6E1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMT16KSF51264HZ-1G4D1Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
DRAM Module DDR3 SDRAM 4Gbyte 204SODIMM Tray
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Socket | 204-SODIMM | - | 204 | DDR3 SDRAM | 16 | - | - | - | 2011 | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | 204 | - | - | 70°C | 0°C | - | - | - | DUAL | - | - | - | 1.35V | 0.6mm | - | - | - | - | - | 1.35V | - | - | COMMERCIAL | - | - | - | 1.45V | 1.283V | 4GB | - | 1333MT/s | - | - | 667MHz | - | - | 512MX64 | 3-STATE | 64 | - | - | 34359738368 bit | 1.333GHz | - | COMMON | 8192 | - | - | - | - | - | - | No | ROHS3 Compliant | - | ||
| MT16KSF51264HZ-1G4D1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMT8VDDT3264HY-40BK1Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE DDR SDRAM 256MB 200SODIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | 200-SODIMM | - | 200 | DDR SDRAM | - | - | - | - | 2003 | - | Discontinued | 3 (168 Hours) | - | - | - | 70°C | 0°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.6V | - | - | - | - | - | - | - | - | 256MB | - | 400MT/s | - | - | - | - | 64b | - | - | - | - | - | - | 400MHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | No | ROHS3 Compliant | - | ||
| MT8VDDT3264HY-40BK1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMT18JSF1G72PZ-1G9E1Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
DRAM Module DDR3 SDRAM 8Gbyte 240RDIMM
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | 240-RDIMM | - | 240 | DDR3 SDRAM | - | - | - | - | 2015 | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | - | - | - | 70°C | 0°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.5V | - | - | - | - | - | - | - | - | 8GB | - | 1866MT/s | - | - | - | - | 72b | - | - | - | - | - | - | 1.866GHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MT18JSF1G72PZ-1G9E1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMT18HTF12872Y-53EB3Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE DDR2 SDRAM 1GB 240RDIMM
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Socket | 240-RDIMM | - | 240 | DDR2 SDRAM | 18 | - | - | - | 2002 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | 70°C | 0°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.8V | - | - | - | - | - | - | 1.9V | 1.7V | 1GB | - | 533MT/s | - | - | - | 50 ps | - | - | - | - | - | - | - | 533MHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| MT18HTF12872Y-53EB3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMT16VDDF12864HY-40BD2Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE DDR SDRAM 1GB 200SODIMM
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | 200-SODIMM | - | 200 | DDR SDRAM | - | - | - | - | 2002 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1GB | - | 400MT/s | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| MT16VDDF12864HY-40BD2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMT9HTF6472AY-40EB3Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE DDR2 SDRAM 512MB 240UDIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Socket | 240-UDIMM | - | 240 | DDR2 SDRAM | 9 | - | - | Bulk | 2005 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | 85°C | 0°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.8V | - | - | - | - | - | - | 1.9V | 1.7V | 512MB | - | 400MT/s | - | - | - | 60 ps | - | - | - | - | - | - | - | 400MHz | - | - | - | - | - | 30mm | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| MT9HTF6472AY-40EB3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMT9HTF6472AY-667D4Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE DDR2 SDRAM 512MB 240UDIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Socket | 240-UDIMM | - | 240 | DDR2 SDRAM | 9 | - | - | Bulk | 2005 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | 85°C | 0°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 667MHz | - | - | - | 1.8V | - | - | - | - | - | - | 1.9V | 1.7V | 512MB | - | 667MHz | - | - | - | 45 ps | 72b | - | - | - | - | - | - | 667MHz | - | - | - | - | - | 30mm | - | - | - | No | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| MT9HTF6472AY-667D4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMT16LSDF6464HY-13ED2Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE SDRAM 512MB 144SODIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Socket | 144-SODIMM | - | 144 | SDRAM | 16 | - | - | Bulk | 2002 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | 65°C | 0°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 133MHz | - | - | - | 3.3V | - | - | - | - | - | - | 3.6V | 3V | 512MB | - | 133MHz | - | - | - | 5.4 ns | 64b | - | - | - | - | - | - | 133MHz | - | - | - | - | - | 31.2mm | - | - | - | No | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| MT16LSDF6464HY-13ED2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMTA16ATF2G64HZ-2G3B1Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE DDR4 SDRAM 16GB 260SODIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | Gold | Socket | 260-SODIMM | - | 260 | DDR4 SDRAM | - | - | - | - | 2017 | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | 260 | - | - | 95°C | 0°C | AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX | - | - | ZIG-ZAG | NO LEAD | - | 1 | 1.2V | - | - | - | - | - | - | 1.2V | - | - | OTHER | - | - | - | 1.26V | 1.14V | 16GB | 1 | 2400MT/s | SYNCHRONOUS | - | - | - | 64b | 2GX64 | - | 64 | - | - | 137438953472 bit | 1MHz | - | - | - | DUAL BANK PAGE BURST | - | - | 30.13mm | 69.6mm | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MTA16ATF2G64HZ-2G3B1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMT18HTF25672PDZ-80EM1Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
DRAM Module DDR2 SDRAM 2Gbyte 240RDIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 5 Weeks | - | - | 240-RDIMM | NO | 240 | DDR2 SDRAM | - | - | - | - | 2010 | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | 240 | EAR99 | - | 70°C | 0°C | AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX | 8542.32.00.36 | - | DUAL | NO LEAD | 260 | 1 | 1.8V | 1mm | - | - | 30 | - | - | 1.8V | 1.9V | - | COMMERCIAL | 1.7V | - | - | - | - | 2GB | 1 | 800MT/s | SYNCHRONOUS | - | - | - | 72b | 256MX72 | - | 72 | - | - | 19327352832 bit | 400MHz | - | - | - | DUAL BANK PAGE BURST | - | - | 30.5mm | 133.35mm | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MT18HTF25672PDZ-80EM1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMTEDCBE016SAJ-1N2ITAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
Solid State Drive eUSB USB 2.0 16Gbyte 30Mbps 224Mbps 5V 1000000h
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | Module | YES | - | FLASH - NAND (SLC) | - | 85°C | -40°C | - | 2013 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 10 | - | - | - | - | - | 8542.31.00.01 | 5V | UNSPECIFIED | NO LEAD | NOT SPECIFIED | - | 5V | - | - | - | NOT SPECIFIED | R-XXMA-N10 | - | - | - | - | INDUSTRIAL | - | 5V | USB | - | - | 16GB | - | - | - | SECONDARY STORAGE CONTROLLER, FLASH MEMORY DRIVE | - | - | - | - | - | - | 128 Gb | - | - | - | - | - | - | - | 30 MBps | - | 5.9mm | 36.9mm | 26.6mm | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MTEDCBE016SAJ-1N2IT | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mfr. ТипMT9HTF12872FZ-80EM1D6Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE DDR2 SDRAM 1GB 240FBDIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 5 Weeks | - | - | 240-FBDIMM | - | 240 | DDR2 SDRAM | - | - | - | - | 2014 | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | - | - | - | 95°C | 0°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.8V | - | - | - | - | - | - | - | - | 1GB | - | 800MT/s | - | - | - | - | 72b | - | - | - | - | - | - | 400MHz | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MT9HTF12872FZ-80EM1D6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMT18HTF12872Y-40EB3Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE DDR2 SDRAM 1GB 240RDIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | 240-RDIMM | - | 240 | DDR2 SDRAM | - | - | - | - | 2002 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1GB | - | 400MT/s | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| MT18HTF12872Y-40EB3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипMT4HTF3264HY-40EB4Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
DRAM Module DDR2 SDRAM 256MByte 200SODIMM Tray
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Socket | 200-SODIMM | - | 200 | DDR2 SDRAM | 4 | - | - | Bulk | 2010 | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | 70°C | 0°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.8V | - | - | - | - | - | - | 1.9V | 1.7V | 256MB | - | 400MT/s | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 400MHz | - | - | - | - | - | 30mm | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| MT4HTF3264HY-40EB4 |
Индекс :
0123456789ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ