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| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Factory Lead Time | Mount | Package / Case | Surface Mount | Number of Pins | Memory Types | Number of Elements | Operating Temperature (Max.) | Operating Temperature (Min.) | Packaging | Published | JESD-609 Code | Pbfree Code | Part Status | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Number of Terminations | ECCN Code | Terminal Finish | Max Operating Temperature | Min Operating Temperature | Additional Feature | HTS Code | Voltage - Rated DC | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Number of Functions | Supply Voltage | Terminal Pitch | Reach Compliance Code | Frequency | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | Pin Count | JESD-30 Code | Qualification Status | Operating Supply Voltage | Supply Voltage-Max (Vsup) | Power Supplies | Temperature Grade | Supply Voltage-Min (Vsup) | Voltage | Interface | Max Supply Voltage | Min Supply Voltage | Memory Size | Number of Ports | Speed | Operating Mode | uPs/uCs/Peripheral ICs Type | Clock Frequency | Access Time | Data Bus Width | Organization | Output Characteristics | Memory Width | Density | Standby Current-Max | Memory Density | Max Frequency | Access Time (Max) | I/O Type | Refresh Cycles | Access Mode | Host Data Transfer Rate-Max | Height | Height Seated (Max) | Length | Width | Radiation Hardening | RoHS Status | Lead Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Mfr. ТипMT18HTF12872FDY-667B5D3Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE DDR2 SDRAM 1GB 240FBDIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | Socket | 240-FBDIMM | - | 240 | DDR2 SDRAM | 18 | - | - | Bulk | 2006 | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | 95°C | 0°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.8V | - | - | - | - | - | - | 1.9V | 1.7V | 1GB | - | 667MT/s | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 667MHz | - | - | - | - | - | 30mm | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| MT18HTF12872FDY-667B5D3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипMT36VDDF12872G-26AG3Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE DDR SDRAM 1GB 184RDIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | 184-RDIMM | NO | 184 | DDR SDRAM | - | - | - | Bulk | 2002 | - | - | Discontinued | 1 (Unlimited) | 184 | - | - | 70°C | 0°C | - | - | - | DUAL | - | - | - | 2.5V | 1.27mm | - | - | - | - | - | - | 2.5V | - | - | COMMERCIAL | - | - | - | - | - | 1GB | - | 266MT/s | - | - | 133MHz | - | 72b | 128MX72 | 3-STATE | 72 | - | - | 9663676416 bit | 266MHz | 0.75 ns | COMMON | 8192 | - | - | 43.2mm | - | - | - | No | Non-RoHS Compliant | Contains Lead | ||
| MT36VDDF12872G-26AG3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипMT4VDDT1664HY-335K1Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
DRAM Module DDR SDRAM 128Mbyte 200SODIMM Tray
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | Socket | 200-SODIMM | - | 200 | DDR SDRAM | 4 | - | - | - | 2003 | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 200 | - | - | 70°C | 0°C | AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX | - | - | DUAL | NO LEAD | NOT SPECIFIED | 1 | 2.5V | 0.6mm | unknown | - | NOT SPECIFIED | - | - | Not Qualified | 2.5V | - | - | COMMERCIAL | - | - | - | 2.7V | 2.3V | 128MB | 1 | 333MT/s | SYNCHRONOUS | - | 167MHz | - | - | - | 3-STATE | 64 | - | - | - | 333MHz | 0.7 ns | COMMON | 8192 | SINGLE BANK PAGE BURST | - | - | 31.9mm | 67.6mm | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MT4VDDT1664HY-335K1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипMT16KTF51264HZ-1G4M1Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
DRAM Module DDR3L SDRAM 4Gbyte 204SODIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | Socket | 204-SODIMM | - | 204 | DDR3L SDRAM | 16 | - | - | - | 2012 | e4 | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | 204 | EAR99 | GOLD | 70°C | 0°C | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.36 | - | ZIG-ZAG | - | - | 1 | 1.35V | - | - | - | - | 204 | - | - | 1.35V | - | - | COMMERCIAL | - | - | - | 1.45V | 1.283V | 4GB | 1 | 1333MT/s | - | - | - | - | 64b | 512MX64 | - | 64 | - | - | 34359738368 bit | 1.333GHz | - | - | - | DUAL BANK PAGE BURST | - | - | 30.15mm | 67.6mm | - | No | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| MT16KTF51264HZ-1G4M1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипMT18VDVF12872DY-40BF1Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE DDR SDRAM 1GB 184RDIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | 184-RDIMM | NO | 184 | DDR SDRAM | - | 70°C | - | Bulk | 2005 | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 184 | - | - | - | - | - | - | - | DUAL | NO LEAD | - | - | 2.6V | 1.27mm | unknown | - | - | - | - | Not Qualified | - | - | 2.6V | COMMERCIAL | - | - | - | - | - | 1GB | - | 400MT/s | - | - | 200MHz | - | - | 128MX72 | 3-STATE | 72 | - | - | 9663676416 bit | - | 0.7 ns | COMMON | 8192 | - | - | 18mm | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| MT18VDVF12872DY-40BF1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипMT4HTF3264HY-40ED3Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODUL DDR2 SDRAM 256MB 200SODIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | 200-SODIMM | NO | 200 | DDR2 SDRAM | - | - | - | Bulk | 2004 | - | - | Discontinued | 1 (Unlimited) | 200 | - | - | 70°C | 0°C | - | - | - | DUAL | - | - | - | 1.8V | 0.6mm | - | - | - | - | - | - | 1.8V | - | - | COMMERCIAL | - | - | - | - | - | 256MB | - | 400MT/s | - | - | - | - | 64b | 32MX64 | 3-STATE | 64 | - | 0.028A | 2147483648 bit | 400MHz | 0.6 ns | COMMON | 8192 | - | - | 30mm | - | - | - | No | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| MT4HTF3264HY-40ED3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипMT18HTF12872AY-80ED4Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE DDR2 SDRAM 1GB 240UDIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | 240-UDIMM | NO | 240 | DDR2 SDRAM | - | 55°C | - | Bulk | 2002 | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 240 | - | - | - | - | - | - | - | DUAL | NO LEAD | - | - | 1.8V | 1mm | unknown | - | - | - | - | Not Qualified | - | - | 1.8V | COMMERCIAL | - | - | - | - | - | 1GB | - | 800MT/s | - | - | 400MHz | - | - | 128MX72 | 3-STATE | 72 | - | - | 9663676416 bit | - | - | COMMON | 8192 | - | - | 29.5mm | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| MT18HTF12872AY-80ED4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипMT8HTF12864HDY-40EA3Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE DDR2 SDRAM 1GB 200SODIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 16 Weeks | Socket | 200-SODIMM | - | 200 | DDR2 SDRAM | 8 | - | - | Bulk | 2010 | - | - | Discontinued | 1 (Unlimited) | 200 | - | - | 70°C | 0°C | - | - | - | DUAL | - | - | - | 1.8V | 0.6mm | - | - | - | - | - | - | 1.8V | - | - | COMMERCIAL | - | - | - | 1.9V | 1.7V | 1GB | - | 400MT/s | - | - | - | - | 64b | - | 3-STATE | 64 | - | 0.04A | - | 400MHz | 0.6 ns | COMMON | - | - | - | 30mm | - | - | - | No | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| MT8HTF12864HDY-40EA3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипMTA9ASF51272PZ-2G3B1Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE DDR4 SDRAM 4GB 288RDIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 5 Weeks | - | 288-RDIMM | - | 288 | DDR4 SDRAM | - | - | - | - | 2017 | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 4GB | - | 2400MT/s | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MTA9ASF51272PZ-2G3B1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипMT4HTF3264HZ-800G1Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
DRAM Module DDR2 SDRAM 256Mbyte 200SODIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | Socket | 200-SODIMM | - | 200 | DDR2 SDRAM | 4 | - | - | - | 2014 | e3 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 200 | EAR99 | MATTE TIN | 70°C | 0°C | AUTO/SELF REFRESH | - | - | DUAL | - | 260 | 1 | 1.8V | 0.6mm | - | - | 30 | 200 | - | - | 1.8V | - | - | OTHER | - | - | - | 1.9V | 1.7V | 256MB | 1 | 800MT/s | - | - | - | - | 64b | 32MX16 | 3-STATE | 16 | - | 0.028A | 536870912 bit | 800MHz | - | COMMON | 8192 | SINGLE BANK PAGE BURST | - | - | 30.15mm | 67.6mm | - | No | ROHS3 Compliant | - | ||
| MT4HTF3264HZ-800G1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипMT18HTF12872FDY-667B5E3Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE DDR2 SDRAM 1GB 240FBDIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 16 Weeks | Socket | 240-FBDIMM | - | 240 | DDR2 SDRAM | 18 | - | - | Bulk | 2006 | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | 95°C | 0°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.8V | - | - | - | - | - | - | 1.9V | 1.7V | 1GB | - | 667MT/s | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 667MHz | - | - | - | - | - | 30mm | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| MT18HTF12872FDY-667B5E3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипMTEDCAR002SAJ-1M2ITAnlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE FLASH NAND SLC 2GB
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 16 Weeks | - | Module | YES | - | FLASH - NAND (SLC) | - | 85°C | -40°C | - | 2013 | - | - | Not For New Designs | 1 (Unlimited) | 10 | - | - | - | - | - | 8542.31.00.01 | 3.3V | UNSPECIFIED | NO LEAD | NOT SPECIFIED | - | 3.3V | - | - | - | NOT SPECIFIED | - | R-XXMA-N10 | - | - | - | - | INDUSTRIAL | - | 3.3V | USB | - | - | 2GB | - | - | - | SECONDARY STORAGE CONTROLLER, FLASH MEMORY DRIVE | - | - | - | - | - | - | 16 Gb | - | - | - | - | - | - | - | 30 MBps | - | 9.7mm | 36.9mm | 26.6mm | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MTEDCAR002SAJ-1M2IT | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипMT8VDDF6464AY-40BJ1Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE DDR SDRAM 512MB 184UDIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | 184-UDIMM | NO | 184 | DDR SDRAM | - | 70°C | - | - | 2015 | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 184 | EAR99 | - | - | - | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.36 | - | DUAL | - | 260 | 1 | 2.5V | - | - | - | 30 | 184 | - | - | - | 3.6V | - | COMMERCIAL | 2.3V | - | - | - | - | 512MB | 1 | 400MT/s | - | - | - | - | - | 64MX64 | - | 64 | - | - | 4294967296 bit | - | - | - | - | SINGLE BANK PAGE BURST | - | - | 25.53mm | 133.35mm | - | No | ROHS3 Compliant | - | ||
| MT8VDDF6464AY-40BJ1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипMTA18ASF2G72PDZ-2G6B1Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE DDR4 SDRAM 16GB 288RDIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | 5 Weeks | - | 288-RDIMM | NO | 288 | DDR4 SDRAM | - | 85°C | - | - | 2017 | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | 288 | EAR99 | - | - | - | AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX | - | - | DUAL | NO LEAD | - | 1 | 1.2V | - | - | - | - | - | - | - | - | 1.26V | - | OTHER | 1.14V | - | - | - | - | 16GB | 1 | 2666MT/s | SYNCHRONOUS | - | - | - | - | 2GX72 | - | 72 | - | - | 154618822656 bit | - | - | - | - | DUAL BANK PAGE BURST | - | - | 31.4mm | 133.35mm | 3.9mm | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MTA18ASF2G72PDZ-2G6B1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипMT18HTF25672FDZ-667H1N8Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE DDR2 SDRAM 2GB 240FBDIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | 240-FBDIMM | NO | 240 | DDR2 SDRAM | - | 70°C | - | - | 2010 | e3 | yes | Discontinued | 3 (168 Hours) | 240 | - | MATTE TIN | - | - | - | - | - | DUAL | NO LEAD | 260 | - | - | 1mm | - | - | 30 | - | - | Not Qualified | - | - | 1.51.8V | COMMERCIAL | - | - | - | - | - | 2GB | - | 667MT/s | - | - | 333MHz | - | - | 256MX72 | 3-STATE | 72 | - | - | 19327352832 bit | - | - | COMMON | 8192 | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | - | ||
| MT18HTF25672FDZ-667H1N8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипMT36VDDF25672Y-265D2Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE DDR SDRAM 2GB 184RDIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | 184-RDIMM | - | 184 | DDR SDRAM | - | - | - | - | 2002 | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | unknown | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2GB | - | 266MT/s | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | Lead Free | ||
| MT36VDDF25672Y-265D2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипMT4LSDT1664AG-133D1Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE SDRAM 128MB 168UDIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | 168-UDIMM | - | 168 | SDRAM | - | - | - | Bulk | 2002 | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | 65°C | 0°C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 133MHz | - | - | - | - | 3.3V | - | - | - | - | - | - | - | - | 128MB | - | 133MHz | - | - | - | - | 64b | - | - | - | - | - | - | 133MHz | - | - | - | - | - | 25.4mm | - | - | - | No | Non-RoHS Compliant | Contains Lead | ||
| MT4LSDT1664AG-133D1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипMT18VDDF6472G-40BG3Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE DDR SDRAM 512MB 184RDIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | 184-RDIMM | NO | 184 | DDR SDRAM | - | 70°C | - | Bulk | 2002 | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 184 | - | - | - | - | - | - | - | DUAL | NO LEAD | - | - | 2.6V | 1.27mm | not_compliant | - | - | - | - | Not Qualified | - | - | 2.6V | COMMERCIAL | - | - | - | - | - | 512MB | - | 400MT/s | - | - | 200MHz | - | - | 64MX72 | 3-STATE | 72 | - | 0.072A | 4831838208 bit | - | 0.7 ns | COMMON | 8192 | - | - | 28.6mm | - | - | - | - | Non-RoHS Compliant | Contains Lead | ||
| MT18VDDF6472G-40BG3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипMT8HTF12864AZ-667H1Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE DDR2 SDRAM 1GB 240UDIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | Socket | 240-UDIMM | - | 240 | DDR2 SDRAM | 8 | - | - | - | 2012 | - | - | Obsolete | 3 (168 Hours) | 240 | EAR99 | - | 70°C | 0°C | AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX | - | - | DUAL | - | - | 1 | 1.8V | 1mm | - | - | - | - | - | - | 1.8V | - | - | COMMERCIAL | - | - | - | 1.9V | 1.7V | 1GB | 1 | 667MT/s | - | - | 333MHz | - | - | - | 3-STATE | 64 | - | - | - | 667MHz | 0.45 ns | COMMON | - | SINGLE BANK PAGE BURST | - | - | 30.5mm | 133.35mm | 2.7mm | No | ROHS3 Compliant | - | ||
| MT8HTF12864AZ-667H1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипMT4VDDT3264HG-335F2Anlielectronics Тип | Micron Technology Inc. |
MODULE DDR SDRAM 256MB 200SODIMM
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | Socket | 200-SODIMM | - | 200 | DDR SDRAM | 4 | - | - | Bulk | 2003 | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | 200 | - | - | 70°C | 0°C | - | - | - | DUAL | NO LEAD | - | - | 2.5V | 0.6mm | not_compliant | - | - | - | - | Not Qualified | 2.5V | - | - | COMMERCIAL | - | - | - | 2.7V | 2.3V | 256MB | - | 333MT/s | - | - | 167MHz | 900 ns | - | - | 3-STATE | 64 | - | - | - | 333MHz | - | COMMON | 8192 | - | - | - | - | - | - | - | Non-RoHS Compliant | Contains Lead | ||
| MT4VDDT3264HG-335F2 |
Индекс :
0123456789ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ






