[email protected]

Локаль

Язык

  • English
  • русский

Валюта

  • CNY-¥
  • RUB-₽
Цена такой валюты может меняться в зависимости от курса только для справки
Корзина для покупок
ANLI Electronic parts stores,electronic components,electronic parts,electronics parts supply
Классификация Марка Марка О Anli Запрос цены
ANLI Electronic parts stores,electronic components,electronic parts,electronics parts supply
[email protected]
Изображение Тип Марка Объяснение Установленная цена Количество RoHS Factory Lead Time Mount Package / Case Surface Mount Number of Pins Memory Types Number of Elements Operating Temperature (Max.) Packaging Published JESD-609 Code Pbfree Code Part Status Moisture Sensitivity Level (MSL) Number of Terminations ECCN Code Terminal Finish Max Operating Temperature Min Operating Temperature Additional Feature HTS Code Voltage - Rated DC Terminal Position Terminal Form Peak Reflow Temperature (Cel) Number of Functions Supply Voltage Terminal Pitch Reach Compliance Code Frequency Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) Pin Count JESD-30 Code Qualification Status Operating Supply Voltage Supply Voltage-Max (Vsup) Power Supplies Temperature Grade Supply Voltage-Min (Vsup) Voltage Interface Max Supply Voltage Min Supply Voltage Memory Size Number of Ports Speed Operating Mode Clock Frequency Access Time Data Bus Width Organization Output Characteristics Memory Width Density Standby Current-Max Memory Density Max Frequency Access Time (Max) I/O Type Refresh Cycles Access Mode Height Height Seated (Max) Length Width Radiation Hardening RoHS Status Lead Free
Micron Technology Inc. MT9VDDF3272Y-335K1
Mfr. Тип
MT9VDDF3272Y-335K1
Anlielectronics Тип

Micron Technology Inc.
MODULE DDR SDRAM 256MB 184RDIMM
Сборник данных Сравнение
    Min.:1
    Mult.:1
    		 - Socket 184-RDIMM - 184 DDR SDRAM 9 - - 2003 - - Obsolete 3 (168 Hours) - - - 70°C 0°C - - - - - - - - - - - - - - - 2.5V - - - - - - 2.7V 2.3V 256MB - 333MT/s - - - - - - - - - - 333MHz - - - - - - - - - ROHS3 Compliant -
    MT9VDDF3272Y-335K1
    MT9VDDF3272Y-335K1

    Micron Technology Inc.
    RoHS :
    Инкапсуляция : -
    Есть складские запасы : -
    1 : -
    Micron Technology Inc. MT18VDDF6472G-335G3
    Mfr. Тип
    MT18VDDF6472G-335G3
    Anlielectronics Тип

    		Micron Technology Inc.
    MODULE DDR SDRAM 512MB 184RDIMM
    Сборник данных Сравнение
      Min.:1
      Mult.:1
      		 - Socket 184-RDIMM - 184 DDR SDRAM 18 - Bulk 2002 - - Obsolete 1 (Unlimited) - - - 70°C 0°C - - - - - - - - - - - - - - - 2.5V - - - - - - 2.7V 2.3V 512MB - 333MT/s - - - - - - - - - - 333MHz - - - - 28.6mm - - - - Non-RoHS Compliant Contains Lead
      MT18VDDF6472G-335G3
      MT18VDDF6472G-335G3

      Micron Technology Inc.
      RoHS :
      Инкапсуляция : -
      Есть складские запасы : -
      1 : -
      Micron Technology Inc. MT36VDDF12872G-40BG3
      Mfr. Тип
      MT36VDDF12872G-40BG3
      Anlielectronics Тип

      		Micron Technology Inc.
      MODULE DDR SDRAM 1GB 184RDIMM
      Сборник данных Сравнение
        Min.:1
        Mult.:1
        		 - - 184-RDIMM - 184 DDR SDRAM - - Bulk 2002 - - Obsolete 1 (Unlimited) - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 1GB - 400MT/s - - - - - - - - - - - - - - - 30.5mm - - - - Non-RoHS Compliant Contains Lead
        MT36VDDF12872G-40BG3
        MT36VDDF12872G-40BG3

        Micron Technology Inc.
        RoHS :
        Инкапсуляция : -
        Есть складские запасы : -
        1 : -
        Micron Technology Inc. MT18VDDT25672G-265A2
        Mfr. Тип
        MT18VDDT25672G-265A2
        Anlielectronics Тип

        		Micron Technology Inc.
        MODULE DDR SDRAM 2GB 184RDIMM
        Сборник данных Сравнение
          Min.:1
          Mult.:1
          		 - - 184-RDIMM - 184 DDR SDRAM - - Bulk 2002 - - Discontinued 1 (Unlimited) - - - 70°C 0°C - - - - - - - - - - - - - - - 2.5V - - - - - - - - 2GB - 266MT/s - - - 72b - - - - - - 266MHz - - - - 43.2mm - - - No Non-RoHS Compliant Contains Lead
          MT18VDDT25672G-265A2
          MT18VDDT25672G-265A2

          Micron Technology Inc.
          RoHS :
          Инкапсуляция : -
          Есть складские запасы : -
          1 : -
          Micron Technology Inc. MT18VDDT6472AG-265G4
          Mfr. Тип
          MT18VDDT6472AG-265G4
          Anlielectronics Тип

          		Micron Technology Inc.
          MODULE DDR SDRAM 512MB 184UDIMM
          Сборник данных Сравнение
            Min.:1
            Mult.:1
            		 - Socket 184-UDIMM - 184 DDR SDRAM 18 - Bulk 2002 - - Obsolete 1 (Unlimited) - - - 70°C 0°C - - - - - - - - - - - - - - - 2.5V - - - - - - 2.7V 2.3V 512MB - 266MT/s - - - - - - - - - - 266MHz - - - - 31.8mm - - - - Non-RoHS Compliant Contains Lead
            MT18VDDT6472AG-265G4
            MT18VDDT6472AG-265G4

            Micron Technology Inc.
            RoHS :
            Инкапсуляция : -
            Есть складские запасы : -
            1 : -
            Micron Technology Inc. MT8HTF3264AY-53EB4
            Mfr. Тип
            MT8HTF3264AY-53EB4
            Anlielectronics Тип

            		Micron Technology Inc.
            MODULE DDR2 SDRAM 256MB 240UDIMM
            Сборник данных Сравнение
              Min.:1
              Mult.:1
              		 - - 240-UDIMM - 240 DDR2 SDRAM - - Bulk 2010 - - Discontinued 1 (Unlimited) - - - 70°C 0°C - - - - - - - - - - - - - - - 1.8V - - - - - - - - 256MB - 533MT/s - - - 64b - - - - - - 533MHz - - - - 30mm - - - No ROHS3 Compliant Lead Free
              MT8HTF3264AY-53EB4
              MT8HTF3264AY-53EB4

              Micron Technology Inc.
              RoHS :
              Инкапсуляция : -
              Есть складские запасы : -
              1 : -
              Micron Technology Inc. MT72HTS1G72FZ-80EH1D6
              Mfr. Тип
              MT72HTS1G72FZ-80EH1D6
              Anlielectronics Тип

              		Micron Technology Inc.
              MODULE DDR2 SDRAM 8GB 240FBDIMM
              Сборник данных Сравнение
                Min.:1
                Mult.:1
                		 - - 240-FBDIMM NO 240 DDR2 SDRAM - 95°C - 2014 e4 - Obsolete 3 (168 Hours) 240 EAR99 GOLD - - AUTO/SELF REFRESH 8542.32.00.36 - DUAL NO LEAD - 1 1.5V 1mm - - - 240 - Not Qualified - - 1.51.8V OTHER - - - - - 8GB 1 800MT/s SYNCHRONOUS 400MHz - - 1GX72 3-STATE 72 - - 77309411328 bit - 0.4 ns COMMON 8192 FOUR BANK PAGE BURST - 30.5mm 133.35mm - - ROHS3 Compliant -
                MT72HTS1G72FZ-80EH1D6
                MT72HTS1G72FZ-80EH1D6

                Micron Technology Inc.
                RoHS :
                Инкапсуляция : -
                Есть складские запасы : -
                1 : -
                Micron Technology Inc. MT16HTF12864HY-667B3
                Mfr. Тип
                MT16HTF12864HY-667B3
                Anlielectronics Тип

                		Micron Technology Inc.
                MODULE DDR2 SDRAM 1GB 200SODIMM
                Сборник данных Сравнение
                  Min.:1
                  Mult.:1
                  		 - Socket 200-SODIMM - 200 DDR2 SDRAM 16 - - 2010 - - Obsolete 1 (Unlimited) 200 - - 70°C 0°C - - - DUAL NO LEAD - - 1.8V 0.6mm unknown - - - - Not Qualified 1.8V - - COMMERCIAL - - - 1.9V 1.7V 1GB - 667MT/s - 333MHz 45 ps - 128MX64 3-STATE 64 - 0.08A 8589934592 bit 667MHz - COMMON 8192 - - - - - - ROHS3 Compliant Lead Free
                  MT16HTF12864HY-667B3
                  MT16HTF12864HY-667B3

                  Micron Technology Inc.
                  RoHS :
                  Инкапсуляция : -
                  Есть складские запасы : -
                  1 : -
                  Micron Technology Inc. MTFDCAE002SAJ-1M1
                  Mfr. Тип
                  MTFDCAE002SAJ-1M1
                  Anlielectronics Тип

                  		Micron Technology Inc.
                  MODULE FLASH NAND SLC 2GB
                  Сборник данных Сравнение
                    Min.:1
                    Mult.:1
                    		 - Screw Module - - FLASH - NAND (SLC) - - - 2010 - yes Obsolete 1 (Unlimited) - - - 70°C 0°C - - 5V UNSPECIFIED UNSPECIFIED 260 1 - - - - 30 - R-XXMA-X - 5V - - COMMERCIAL - 5V USB 5.25V 4.75V 2GB - - - - - - - - - 16 Gb - - - - - - - - - - - No ROHS3 Compliant -
                    MTFDCAE002SAJ-1M1
                    MTFDCAE002SAJ-1M1

                    Micron Technology Inc.
                    RoHS :
                    Инкапсуляция : -
                    Есть складские запасы : -
                    1 : -
                    Micron Technology Inc. MT8KTF25664AZ-1G6M1
                    Mfr. Тип
                    MT8KTF25664AZ-1G6M1
                    Anlielectronics Тип

                    		Micron Technology Inc.
                    MODULE DDR3L SDRAM 2GB 240UDIMM
                    Сборник данных Сравнение
                      Min.:1
                      Mult.:1
                      		 - - 240-UDIMM - 240 DDR3L SDRAM - - - 2013 - - Obsolete 1 (Unlimited) - - - 70°C 0°C - - - - - - - - - - - - - - - 1.35V - - - - - - - - 2GB - 1600MT/s - - - 64b - - - - - - 1.6GHz - - - - - - - - No ROHS3 Compliant -
                      MT8KTF25664AZ-1G6M1
                      MT8KTF25664AZ-1G6M1

                      Micron Technology Inc.
                      RoHS :
                      Инкапсуляция : -
                      Есть складские запасы : -
                      1 : -
                      Micron Technology Inc. MT18HTF25672AZ-80EM1
                      Mfr. Тип
                      MT18HTF25672AZ-80EM1
                      Anlielectronics Тип

                      		Micron Technology Inc.
                      MODULE DDR2 SDRAM 4GB 240UDIMM
                      Сборник данных Сравнение
                        Min.:1
                        Mult.:1
                        		 5 Weeks - 240-UDIMM NO 240 DDR2 SDRAM - - - 2014 - - Obsolete 3 (168 Hours) 240 EAR99 - 70°C 0°C PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX 8542.32.00.36 - DUAL NO LEAD - 1 1.8V 1mm - - - - - - 1.8V 1.9V - COMMERCIAL 1.7V - - - - 4GB 1 800MT/s SYNCHRONOUS - - 72b 256MX72 - 72 - - 19327352832 bit 400MHz - - - DUAL BANK PAGE BURST - 30.5mm 133.35mm - - ROHS3 Compliant -
                        MT18HTF25672AZ-80EM1
                        MT18HTF25672AZ-80EM1

                        Micron Technology Inc.
                        RoHS :
                        Инкапсуляция : -
                        Есть складские запасы : -
                        1 : -
                        Micron Technology Inc. MT16HTF6464AY-40EB2
                        Mfr. Тип
                        MT16HTF6464AY-40EB2
                        Anlielectronics Тип

                        		Micron Technology Inc.
                        MODULE DDR2 SDRAM 2GB 240UDIMM
                        Сборник данных Сравнение
                          Min.:1
                          Mult.:1
                          		 - - 240-UDIMM NO 240 DDR2 SDRAM - 70°C Bulk 2002 - - Obsolete 1 (Unlimited) 240 - - - - - - - DUAL NO LEAD - - 1.8V 1mm unknown - - - - Not Qualified - - 1.8V COMMERCIAL - - - - - 2GB - 400MT/s - 200MHz - - 64MX64 3-STATE 64 - 0.08A 4294967296 bit - 0.6 ns COMMON 8192 - 30mm - - - - ROHS3 Compliant Lead Free
                          MT16HTF6464AY-40EB2
                          MT16HTF6464AY-40EB2

                          Micron Technology Inc.
                          RoHS :
                          Инкапсуляция : -
                          Есть складские запасы : -
                          1 : -
                          Micron Technology Inc. MT8HTF3264HDY-667B3
                          Mfr. Тип
                          MT8HTF3264HDY-667B3
                          Anlielectronics Тип

                          		Micron Technology Inc.
                          MODUL DDR2 SDRAM 256MB 200SODIMM
                          Сборник данных Сравнение
                            Min.:1
                            Mult.:1
                            		 - - 200-SODIMM NO 200 DDR2 SDRAM - 70°C Bulk 2010 - - Discontinued 1 (Unlimited) 200 - - - - - - - DUAL NO LEAD - - 1.8V 0.6mm - - - - - Not Qualified - - 1.8V COMMERCIAL - - - - - 256MB - 667MT/s - 333MHz - - 32MX64 3-STATE 64 - 0.04A 2147483648 bit - 0.45 ns COMMON 8192 - 30mm - - - - ROHS3 Compliant Lead Free
                            MT8HTF3264HDY-667B3
                            MT8HTF3264HDY-667B3

                            Micron Technology Inc.
                            RoHS :
                            Инкапсуляция : -
                            Есть складские запасы : -
                            1 : -
                            Micron Technology Inc. MT8LSDT3264AY-133D2
                            Mfr. Тип
                            MT8LSDT3264AY-133D2
                            Anlielectronics Тип

                            		Micron Technology Inc.
                            MODULE SDRAM 256MB 168UDIMM
                            Сборник данных Сравнение
                              Min.:1
                              Mult.:1
                              		 - Socket 168-UDIMM - 168 SDRAM 8 - Bulk 2002 - - Obsolete 1 (Unlimited) - - - 70°C 0°C - - - - - - - - - - 133MHz - - - - 3.3V - - - - - - 3.6V 3V 256MB - 133MHz - - - 64b - - - - - - 133MHz - - - - 28.6mm - - - No ROHS3 Compliant Lead Free
                              MT8LSDT3264AY-133D2
                              MT8LSDT3264AY-133D2

                              Micron Technology Inc.
                              RoHS :
                              Инкапсуляция : -
                              Есть складские запасы : -
                              1 : -
                              Micron Technology Inc. MT8HTF6464HDY-667D3
                              Mfr. Тип
                              MT8HTF6464HDY-667D3
                              Anlielectronics Тип

                              		Micron Technology Inc.
                              MODUL DDR2 SDRAM 512MB 200SODIMM
                              Сборник данных Сравнение
                                Min.:1
                                Mult.:1
                                		 - Socket 200-SODIMM - 200 DDR2 SDRAM 8 - Bulk 2006 e4 - Discontinued 1 (Unlimited) 200 EAR99 GOLD 70°C 0°C AUTO/SELF REFRESH - - DUAL - 260 1 1.8V 0.6mm - - 30 200 - - 1.8V - - COMMERCIAL - - - 1.9V 1.7V 512MB 1 667MT/s - 333MHz - 64b 64MX64 3-STATE - - 0.056A 4294967296 bit 667MHz 0.45 ns COMMON - DUAL BANK PAGE BURST 30mm - 67.6mm - No ROHS3 Compliant Lead Free
                                MT8HTF6464HDY-667D3
                                MT8HTF6464HDY-667D3

                                Micron Technology Inc.
                                RoHS :
                                Инкапсуляция : -
                                Есть складские запасы : -
                                1 : -
                                Micron Technology Inc. MT4HTF3264HY-667D3
                                Mfr. Тип
                                MT4HTF3264HY-667D3
                                Anlielectronics Тип

                                		Micron Technology Inc.
                                DRAM Module DDR2 SDRAM 256Mbyte 200SODIMM Tray
                                Сборник данных Сравнение
                                  Min.:1
                                  Mult.:1
                                  		 - Socket 200-SODIMM - 200 DDR2 SDRAM 4 - Bulk 2006 - - Obsolete 1 (Unlimited) 200 - - 70°C 0°C - - - DUAL NO LEAD - - 1.8V 0.6mm unknown - - - - Not Qualified 1.8V - - COMMERCIAL - - - 1.9V 1.7V 256MB - 667MT/s - 333MHz - - - 3-STATE 64 - 0.028A - 667MHz - COMMON 8192 - 30mm - - - - ROHS3 Compliant Lead Free
                                  MT4HTF3264HY-667D3
                                  MT4HTF3264HY-667D3

                                  Micron Technology Inc.
                                  RoHS :
                                  Инкапсуляция : -
                                  Есть складские запасы : -
                                  1 : -
                                  Micron Technology Inc. MT16HTF25664HZ-667H1
                                  Mfr. Тип
                                  MT16HTF25664HZ-667H1
                                  Anlielectronics Тип

                                  		Micron Technology Inc.
                                  MODULE DDR2 SDRAM 2GB 200SODIMM
                                  Сборник данных Сравнение
                                    Min.:1
                                    Mult.:1
                                    		 - Socket 200-SODIMM - 200 DDR2 SDRAM 16 - - 2004 - yes Obsolete 1 (Unlimited) 200 - - 70°C 0°C - - - DUAL - 260 - 1.8V 0.6mm - - 30 - - - 1.8V - - COMMERCIAL - - - 1.9V 1.7V 2GB - 667MT/s - 333MHz 900 ns 64b 256MX64 3-STATE 64 - 0.112A 17179869184 bit 667MHz - COMMON 8192 - - - - - No ROHS3 Compliant -
                                    MT16HTF25664HZ-667H1
                                    MT16HTF25664HZ-667H1

                                    Micron Technology Inc.
                                    RoHS :
                                    Инкапсуляция : -
                                    Есть складские запасы : -
                                    1 : -
                                    Micron Technology Inc. MT4VDDT3264HY-40BJ1
                                    Mfr. Тип
                                    MT4VDDT3264HY-40BJ1
                                    Anlielectronics Тип

                                    		Micron Technology Inc.
                                    DRAM Module DDR SDRAM 256Mbyte 200SODIMM
                                    Сборник данных Сравнение
                                      Min.:1
                                      Mult.:1
                                      		 - Socket 200-SODIMM - 200 DDR SDRAM 4 - - 2003 e4 yes Obsolete 1 (Unlimited) 200 EAR99 GOLD 70°C 0°C AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX - - ZIG-ZAG - 260 1 2.6V 0.6mm - - 30 200 - - 2.6V - - COMMERCIAL - - - 2.7V 2.5V 256MB 1 400MT/s - - 900 ns 64b - 3-STATE 64 - - - 400MHz - COMMON 8192 - - 31.9mm 67.6mm - No ROHS3 Compliant -
                                      MT4VDDT3264HY-40BJ1
                                      MT4VDDT3264HY-40BJ1

                                      Micron Technology Inc.
                                      RoHS :
                                      Инкапсуляция : -
                                      Есть складские запасы : -
                                      1 : -
                                      Micron Technology Inc. MTA18ASF2G72AZ-2G3B1
                                      Mfr. Тип
                                      MTA18ASF2G72AZ-2G3B1
                                      Anlielectronics Тип

                                      		Micron Technology Inc.
                                      MODULE DDR4 SDRAM 16GB 288UDIMM
                                      Сборник данных Сравнение
                                        Min.:1
                                        Mult.:1
                                        		 5 Weeks - 288-UDIMM NO 288 DDR4 SDRAM - 85°C - - - - Obsolete 3 (168 Hours) 288 EAR99 - - - AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX - - DUAL NO LEAD - 1 1.2V - - - - - - - - 1.26V - OTHER 1.14V - - - - 16GB 1 2400MT/s SYNCHRONOUS - - - 2GX72 - 72 - - 154618822656 bit - - - - DUAL BANK PAGE BURST - 31.4mm 133.35mm 3.9mm - ROHS3 Compliant -
                                        MTA18ASF2G72AZ-2G3B1
                                        MTA18ASF2G72AZ-2G3B1

                                        Micron Technology Inc.
                                        RoHS :
                                        Инкапсуляция : -
                                        Есть складские запасы : -
                                        1 : -
                                        Micron Technology Inc. MT36KSF2G72PDZ-1G1D1
                                        Mfr. Тип
                                        MT36KSF2G72PDZ-1G1D1
                                        Anlielectronics Тип

                                        		Micron Technology Inc.
                                        MODULE DDR3L SDRAM 16GB 240RDIMM
                                        Сборник данных Сравнение
                                          Min.:1
                                          Mult.:1
                                          		 - Socket 240-RDIMM - 240 DDR3L SDRAM 36 - - 2013 - - Obsolete 3 (168 Hours) - EAR99 - 70°C 0°C AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX - - - - - 1 1.35V - - - - 240 - - 1.35V - - COMMERCIAL - - - 1.45V 1.283V 16GB 1 1066MT/s - - - 72b 1GX72 - 72 - - 77309411328 bit 1.066GHz - - - DUAL BANK PAGE BURST - 30.5mm 133.35mm - No ROHS3 Compliant -
                                          MT36KSF2G72PDZ-1G1D1
                                          MT36KSF2G72PDZ-1G1D1

                                          Micron Technology Inc.
                                          RoHS :
                                          Инкапсуляция : -
                                          Есть складские запасы : -
                                          1 : -

                                          Memory Cards, Modules

                                          Memory - Modules definition: In computing, a memory module is a printed circuit board on which memory integrated circuits are mounted. Memory modules permit easy install... Memory - Modules Product Listing: MT9VDDF3272Y-335K1,MT18VDDF6472G-335G3,MT36VDDF12872G-40BG3,MT18VDDT25672G-265A2,MT18VDDT6472AG-265G4.Memory Cards, Modules type:Solid State Drives (SSDs), Hard Disk Drives (HDDs)(10123),Memory Cards(4894),Memory - Modules(4731),USB Flash Drives(1663),Specialized(1118) .Memory - Modules has 1884 pieces of spot stock price information, you can click the "RFQ" button to confirm the inventory and price with the Anli.