[email protected]

Локаль

Язык

  • English
  • русский

Валюта

  • CNY-¥
  • RUB-₽
Цена такой валюты может меняться в зависимости от курса только для справки
Корзина для покупок
ANLI Electronic parts stores,electronic components,electronic parts,electronics parts supply
Классификация Марка Марка О Anli Запрос цены
ANLI Electronic parts stores,electronic components,electronic parts,electronics parts supply
[email protected]

PTFB201402FC-V2-R250 Технические параметры

Cree  PTFB201402FC-V2-R250 technical specifications, attributes, parameters and parts with similar specifications to Silicon Labs SI1084-A-GM.

Свойство продукта Значение свойства
Классификация Transistors - FETs, MOSFETs - RF
Марка Cree
Package / Case H-37248-4
RoHS Details
Transistor Polarity N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 65 V
Rds On - Drain-Source Resistance 300 mOhms
Maximum Operating Temperature + 225 C
Mounting Styles SMD/SMT
Свойство продукта Значение свойства
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity 250
Vgs - Gate-Source Voltage 10 V
Packaging Reel
Type RF Power MOSFET
Operating Frequency 2010 MHz to 2025 MHz
Number of Channels 1 ChannelChannel
Output Power 140 W
Transistor Type LDMOS FET
Gain 16 dB
Просмотр сходства
PTFB201402FC-V2-R250 brand manufacturers: Cree, Anli stock, PTFB201402FC-V2-R250 reference price.Cree. PTFB201402FC-V2-R250 parameters, PTFB201402FC-V2-R250 Datasheet PDF and pin diagram description download.You can use the PTFB201402FC-V2-R250 Transistors - FETs, MOSFETs - RF, DSP Datesheet PDF, find PTFB201402FC-V2-R250 pin diagram and circuit diagram and usage method of function,PTFB201402FC-V2-R250 electronics tutorials.You can download from the Anli.