[email protected]

Локаль

Язык

  • English
  • русский

Валюта

  • CNY-¥
  • RUB-₽
Цена такой валюты может меняться в зависимости от курса только для справки
Корзина для покупок
ANLI Electronic parts stores,electronic components,electronic parts,electronics parts supply
Классификация Марка Марка О Anli Запрос цены
ANLI Electronic parts stores,electronic components,electronic parts,electronics parts supply
[email protected]

2N7002E Технические параметры

FUXINSEMI  2N7002E technical specifications, attributes, parameters and parts with similar specifications to Silicon Labs SI1084-A-GM.

Свойство продукта Значение свойства
Классификация Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Марка FUXINSEMI
RoHS true
Drain Source Voltage (Vdss) 60V
Power Dissipation (Pd) 350mW
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 1Ω@10V,0.5A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 2.5V@1mA
Просмотр сходства
2N7002E brand manufacturers: FUXINSEMI, Anli stock, 2N7002E reference price.FUXINSEMI. 2N7002E parameters, 2N7002E Datasheet PDF and pin diagram description download.You can use the 2N7002E Transistors - FETs, MOSFETs - Single, DSP Datesheet PDF, find 2N7002E pin diagram and circuit diagram and usage method of function,2N7002E electronics tutorials.You can download from the Anli.