[email protected]

Локаль

Язык

  • English
  • русский

Валюта

  • CNY-¥
  • RUB-₽
Цена такой валюты может меняться в зависимости от курса только для справки
Корзина для покупок
ANLI Electronic parts stores,electronic components,electronic parts,electronics parts supply
Классификация Марка Марка О Anli Запрос цены
ANLI Electronic parts stores,electronic components,electronic parts,electronics parts supply
[email protected]

MMBT3904LT1G Технические параметры

FUXINSEMI  MMBT3904LT1G technical specifications, attributes, parameters and parts with similar specifications to Silicon Labs SI1084-A-GM.

Свойство продукта Значение свойства
Классификация Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Марка FUXINSEMI
RoHS true
Collector Cut-Off Current (Icbo) 100nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 40V
Power Dissipation (Pd) 200mW
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 300@10mA,1V
Просмотр сходства
MMBT3904LT1G brand manufacturers: FUXINSEMI, Anli stock, MMBT3904LT1G reference price.FUXINSEMI. MMBT3904LT1G parameters, MMBT3904LT1G Datasheet PDF and pin diagram description download.You can use the MMBT3904LT1G Transistors - Bipolar (BJT) - Single, DSP Datesheet PDF, find MMBT3904LT1G pin diagram and circuit diagram and usage method of function,MMBT3904LT1G electronics tutorials.You can download from the Anli.