[email protected]

Локаль

Язык

  • English
  • русский

Валюта

  • CNY-¥
  • RUB-₽
Цена такой валюты может меняться в зависимости от курса только для справки
Корзина для покупок
ANLI Electronic parts stores,electronic components,electronic parts,electronics parts supply
Классификация Марка Марка О Anli Запрос цены
ANLI Electronic parts stores,electronic components,electronic parts,electronics parts supply
[email protected]

SVF2N60RM Технические параметры

Hangzhou Silan Microelectronics  SVF2N60RM technical specifications, attributes, parameters and parts with similar specifications to Silicon Labs SI1084-A-GM.

Свойство продукта Значение свойства
Классификация Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Марка
RoHS true
Drain Source Voltage (Vdss) 600V
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 3.7Ω@10V,1A
Power Dissipation (Pd) 34W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 4V@250uA
Просмотр сходства
SVF2N60RM brand manufacturers: Hangzhou Silan Microelectronics, Anli stock, SVF2N60RM reference price.Hangzhou Silan Microelectronics. SVF2N60RM parameters, SVF2N60RM Datasheet PDF and pin diagram description download.You can use the SVF2N60RM Transistors - FETs, MOSFETs - Single, DSP Datesheet PDF, find SVF2N60RM pin diagram and circuit diagram and usage method of function,SVF2N60RM electronics tutorials.You can download from the Anli.