[email protected]

Локаль

Язык

  • English
  • русский

Валюта

  • CNY-¥
  • RUB-₽
Цена такой валюты может меняться в зависимости от курса только для справки
Корзина для покупок
ANLI Electronic parts stores,electronic components,electronic parts,electronics parts supply
Классификация Марка Марка О Anli Запрос цены
ANLI Electronic parts stores,electronic components,electronic parts,electronics parts supply
[email protected]

HYG017N04LS1C2 Технические параметры

HUAYI  HYG017N04LS1C2 technical specifications, attributes, parameters and parts with similar specifications to Silicon Labs SI1084-A-GM.

Свойство продукта Значение свойства
Классификация Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Марка HUAYI
RoHS true
Drain Source Voltage (Vdss) 40V
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 1.7mΩ@10V,20A
Power Dissipation (Pd) 75W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 1.8V@250uA
Просмотр сходства

HYG017N04LS1C2 Документы

HYG017N04LS1C2 brand manufacturers: HUAYI, Anli stock, HYG017N04LS1C2 reference price.HUAYI. HYG017N04LS1C2 parameters, HYG017N04LS1C2 Datasheet PDF and pin diagram description download.You can use the HYG017N04LS1C2 Transistors - FETs, MOSFETs - Single, DSP Datesheet PDF, find HYG017N04LS1C2 pin diagram and circuit diagram and usage method of function,HYG017N04LS1C2 electronics tutorials.You can download from the Anli.