[email protected]

Локаль

Язык

  • English
  • русский

Валюта

  • CNY-¥
  • RUB-₽
Цена такой валюты может меняться в зависимости от курса только для справки
Корзина для покупок
ANLI Electronic parts stores,electronic components,electronic parts,electronics parts supply
Классификация Марка Марка О Anli Запрос цены
ANLI Electronic parts stores,electronic components,electronic parts,electronics parts supply
[email protected]

SG2013J-883B Технические параметры

Microsemi  SG2013J-883B technical specifications, attributes, parameters and parts with similar specifications to Silicon Labs SI1084-A-GM.

Свойство продукта Значение свойства
Классификация Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Марка Microsemi
Mounting Type Through Hole
Package / Case --
Supplier Device Package 16-CDIP
Current-Collector (Ic) (Max) 600mA
Operating Temperature 150°C (TJ)
Series --
Packaging Tube
Свойство продукта Значение свойства
Part Status Active
Power - Max --
Transistor Type 7 NPN Darlington
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 900 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max) --
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.9V @ 600µA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Frequency - Transition --
Просмотр сходства
SG2013J-883B brand manufacturers: Microsemi, Anli stock, SG2013J-883B reference price.Microsemi. SG2013J-883B parameters, SG2013J-883B Datasheet PDF and pin diagram description download.You can use the SG2013J-883B Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, DSP Datesheet PDF, find SG2013J-883B pin diagram and circuit diagram and usage method of function,SG2013J-883B electronics tutorials.You can download from the Anli.