[email protected]

Локаль

Язык

  • English
  • русский

Валюта

  • CNY-¥
  • RUB-₽
Цена такой валюты может меняться в зависимости от курса только для справки
Корзина для покупок
ANLI Electronic parts stores,electronic components,electronic parts,electronics parts supply
Классификация Марка Марка О Anli Запрос цены
ANLI Electronic parts stores,electronic components,electronic parts,electronics parts supply
[email protected]

PMBT6429-QR Технические параметры

Nexperia  PMBT6429-QR technical specifications, attributes, parameters and parts with similar specifications to Silicon Labs SI1084-A-GM.

Свойство продукта Значение свойства
Классификация Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Марка Nexperia
Package / Case SOT-23-3
Emitter- Base Voltage VEBO 6 V
Pd - Power Dissipation 250 mW
Transistor Polarity NPN
Maximum Operating Temperature + 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min 500 at 0.1 mA, 5 V
Свойство продукта Значение свойства
Minimum Operating Temperature - 65 C
Mounting Styles SMD/SMT
Gain Bandwidth Product fT 700 MHz
Maximum DC Collector Current 200 mA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 45 V
Technology Si
Configuration Single
Collector Base Voltage (VCBO) 55 V
Просмотр сходства
PMBT6429-QR brand manufacturers: Nexperia, Anli stock, PMBT6429-QR reference price.Nexperia. PMBT6429-QR parameters, PMBT6429-QR Datasheet PDF and pin diagram description download.You can use the PMBT6429-QR Transistors - Bipolar (BJT) - Single, DSP Datesheet PDF, find PMBT6429-QR pin diagram and circuit diagram and usage method of function,PMBT6429-QR electronics tutorials.You can download from the Anli.