[email protected]

Локаль

Язык

  • English
  • русский

Валюта

  • CNY-¥
  • RUB-₽
Цена такой валюты может меняться в зависимости от курса только для справки
Корзина для покупок
ANLI Electronic parts stores,electronic components,electronic parts,electronics parts supply
Классификация Марка Марка О Anli Запрос цены
ANLI Electronic parts stores,electronic components,electronic parts,electronics parts supply
[email protected]

QPD1025 Технические параметры

Qorvo  QPD1025 technical specifications, attributes, parameters and parts with similar specifications to Silicon Labs SI1084-A-GM.

Свойство продукта Значение свойства
Классификация Transistors - FETs, MOSFETs - RF
Марка Qorvo
Package / Case NI-1230-4
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity 18
Vgs - Gate-Source Voltage - 2.8 V
RoHS Details
Transistor Polarity Dual N-Channel
Id - Continuous Drain Current 28 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 65 V
Minimum Operating Temperature - 40 C
Maximum Operating Temperature + 85 C
Свойство продукта Значение свойства
Moisture Sensitive Yes
Pd - Power Dissipation 685 W
Mounting Styles Flange Mount
Rds On - Drain-Source Resistance -
Packaging Tray
Series QPD1025
Type RF Power MOSFET
Operating Frequency 1 GHz to 1.1 GHz
Number of Channels 2 ChannelChannel
Output Power 1.862 kW
Gain 22.5 dB
Просмотр сходства
QPD1025 brand manufacturers: Qorvo, Anli stock, QPD1025 reference price.Qorvo. QPD1025 parameters, QPD1025 Datasheet PDF and pin diagram description download.You can use the QPD1025 Transistors - FETs, MOSFETs - RF, DSP Datesheet PDF, find QPD1025 pin diagram and circuit diagram and usage method of function,QPD1025 electronics tutorials.You can download from the Anli.