Локаль
Язык
- English
- русский
Валюта
- CNY-¥
- RUB-₽
Цена такой валюты может меняться в зависимости от курса только для справки
Корзина для покупок 
Есть складские запасы
Min. : 1
Mult. : 1
Mult. : 1
Not available to buy on line? Want the lower wholesale price? Please
sendRFQ, we will
respond immediately
TGF2929-FL Технические параметры
Qorvo TGF2929-FL technical specifications, attributes, parameters and parts with similar specifications to Silicon Labs SI1084-A-GM.
| Свойство продукта | Значение свойства | |
|---|---|---|
| Классификация | Transistors - FETs, MOSFETs - RF | |
| Марка | Qorvo | |
| Package / Case | NI-360 | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | - 2.9 V | |
| Part # Aliases | TGF2929 1123811 | |
| Unit Weight | 2.264236 oz | |
| RoHS | Details | |
| Transistor Polarity | N-Channel | |
| Id - Continuous Drain Current | 12 A | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 28 V | |
| Moisture Sensitive | Yes | |
| Pd - Power Dissipation | 144 W |
| Свойство продукта | Значение свойства | |
|---|---|---|
| Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity | 25 | |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 145 V | |
| Maximum Operating Temperature | + 85 C | |
| Minimum Operating Temperature | - 40 C | |
| Mounting Styles | Flange Mount | |
| Rds On - Drain-Source Resistance | - | |
| Packaging | Tray | |
| Series | TGF2929 | |
| Type | RF Power MOSFET | |
| Operating Frequency | 3.5 GHz | |
| Output Power | 107 W | |
| Gain | 14 dB |
Индекс :
0123456789ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ