[email protected]

Локаль

Язык

  • English
  • русский

Валюта

  • CNY-¥
  • RUB-₽
Цена такой валюты может меняться в зависимости от курса только для справки
Корзина для покупок
ANLI Electronic parts stores,electronic components,electronic parts,electronics parts supply
Классификация Марка Марка О Anli Запрос цены
ANLI Electronic parts stores,electronic components,electronic parts,electronics parts supply
[email protected]

NE58219-T1-A Технические параметры

Renesas  NE58219-T1-A technical specifications, attributes, parameters and parts with similar specifications to Silicon Labs SI1084-A-GM.

Свойство продукта Значение свойства
Классификация Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Марка Renesas
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SC-75, SOT-416
Supplier Device Package SC-75 (USM)
Package Tape & Reel (TR)
Current-Collector (Ic) (Max) 60mA
Mfr Renesas
Product Status Last Time Buy
Свойство продукта Значение свойства
Operating Temperature 125°C (TJ)
Series -
Power - Max 100mW
Transistor Type NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 5V
Gain 5dB
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V
Frequency - Transition 5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f) -
Просмотр сходства
NE58219-T1-A brand manufacturers: Renesas, Anli stock, NE58219-T1-A reference price.Renesas. NE58219-T1-A parameters, NE58219-T1-A Datasheet PDF and pin diagram description download.You can use the NE58219-T1-A Transistors - Bipolar (BJT) - RF, DSP Datesheet PDF, find NE58219-T1-A pin diagram and circuit diagram and usage method of function,NE58219-T1-A electronics tutorials.You can download from the Anli.