[email protected]

Локаль

Язык

  • English
  • русский

Валюта

  • CNY-¥
  • RUB-₽
Цена такой валюты может меняться в зависимости от курса только для справки
Корзина для покупок
ANLI Electronic parts stores,electronic components,electronic parts,electronics parts supply
Классификация Марка Марка О Anli Запрос цены
ANLI Electronic parts stores,electronic components,electronic parts,electronics parts supply
[email protected]

NE662M04-T2-A Технические параметры

Renesas  NE662M04-T2-A technical specifications, attributes, parameters and parts with similar specifications to Silicon Labs SI1084-A-GM.

Свойство продукта Значение свойства
Классификация Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Марка Renesas
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SOT-343F
Supplier Device Package M04
Package Tape & Reel (TR)
Current-Collector (Ic) (Max) 35mA
Mfr Renesas
Product Status Last Time Buy
Свойство продукта Значение свойства
Operating Temperature 150°C (TJ)
Series -
Power - Max 115mW
Transistor Type NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 5mA, 2V
Gain 17dB
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 3.3V
Frequency - Transition 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.1dB @ 2GHz
Просмотр сходства
NE662M04-T2-A brand manufacturers: Renesas, Anli stock, NE662M04-T2-A reference price.Renesas. NE662M04-T2-A parameters, NE662M04-T2-A Datasheet PDF and pin diagram description download.You can use the NE662M04-T2-A Transistors - Bipolar (BJT) - RF, DSP Datesheet PDF, find NE662M04-T2-A pin diagram and circuit diagram and usage method of function,NE662M04-T2-A electronics tutorials.You can download from the Anli.