[email protected]

Локаль

Язык

  • English
  • русский

Валюта

  • CNY-¥
  • RUB-₽
Цена такой валюты может меняться в зависимости от курса только для справки
Корзина для покупок
ANLI Electronic parts stores,electronic components,electronic parts,electronics parts supply
Классификация Марка Марка О Anli Запрос цены
ANLI Electronic parts stores,electronic components,electronic parts,electronics parts supply
[email protected]

NE68139-T1-A Технические параметры

Renesas  NE68139-T1-A technical specifications, attributes, parameters and parts with similar specifications to Silicon Labs SI1084-A-GM.

Свойство продукта Значение свойства
Классификация Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Марка Renesas
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-253-4, TO-253AA
Supplier Device Package SOT-143
Package Retail Package
Mfr Glenair
Product Status Active
Current-Collector (Ic) (Max) 65mA
Свойство продукта Значение свойства
Series *
Operating Temperature 150°C (TJ)
Power - Max 200mW
Transistor Type NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 20mA, 8V
Gain 15dB
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 10V
Frequency - Transition 9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.2dB @ 1GHz
Просмотр сходства
NE68139-T1-A brand manufacturers: Renesas, Anli stock, NE68139-T1-A reference price.Renesas. NE68139-T1-A parameters, NE68139-T1-A Datasheet PDF and pin diagram description download.You can use the NE68139-T1-A Transistors - Bipolar (BJT) - RF, DSP Datesheet PDF, find NE68139-T1-A pin diagram and circuit diagram and usage method of function,NE68139-T1-A electronics tutorials.You can download from the Anli.