[email protected]

Локаль

Язык

  • English
  • русский

Валюта

  • CNY-¥
  • RUB-₽
Цена такой валюты может меняться в зависимости от курса только для справки
Корзина для покупок
ANLI Electronic parts stores,electronic components,electronic parts,electronics parts supply
Классификация Марка Марка О Anli Запрос цены
ANLI Electronic parts stores,electronic components,electronic parts,electronics parts supply
[email protected]

NE97833-T1B-A Технические параметры

Renesas  NE97833-T1B-A technical specifications, attributes, parameters and parts with similar specifications to Silicon Labs SI1084-A-GM.

Свойство продукта Значение свойства
Классификация Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Марка Renesas
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package SOT23-3 (TO-236)
Package Tape & Reel (TR)
Current-Collector (Ic) (Max) 50mA
Mfr Renesas
Product Status Obsolete
Свойство продукта Значение свойства
Operating Temperature 150°C (TJ)
Series -
Power - Max 200mW
Transistor Type PNP
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 15mA, 10V
Gain 10dB
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V
Frequency - Transition 5.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f) 2dB @ 1GHz
Просмотр сходства
NE97833-T1B-A brand manufacturers: Renesas, Anli stock, NE97833-T1B-A reference price.Renesas. NE97833-T1B-A parameters, NE97833-T1B-A Datasheet PDF and pin diagram description download.You can use the NE97833-T1B-A Transistors - Bipolar (BJT) - RF, DSP Datesheet PDF, find NE97833-T1B-A pin diagram and circuit diagram and usage method of function,NE97833-T1B-A electronics tutorials.You can download from the Anli.