[email protected]

Локаль

Язык

  • English
  • русский

Валюта

  • CNY-¥
  • RUB-₽
Цена такой валюты может меняться в зависимости от курса только для справки
Корзина для покупок
ANLI Electronic parts stores,electronic components,electronic parts,electronics parts supply
Классификация Марка Марка О Anli Запрос цены
ANLI Electronic parts stores,electronic components,electronic parts,electronics parts supply
[email protected]

NESG2021M16-T3-A Технические параметры

Renesas  NESG2021M16-T3-A technical specifications, attributes, parameters and parts with similar specifications to Silicon Labs SI1084-A-GM.

Свойство продукта Значение свойства
Классификация Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Марка Renesas
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 6-SMD, Flat Leads
Supplier Device Package M16, 1208
Package Bulk
Current-Collector (Ic) (Max) 35mA
Mfr Renesas Electronics America Inc
Product Status Obsolete
Свойство продукта Значение свойства
Series -
Power - Max 175mW
Transistor Type NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 130 @ 5mA, 2V
Gain 10dB ~ 18dB
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 5V
Frequency - Transition 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.3dB @ 2GHz ~ 5.2GHz
Просмотр сходства
NESG2021M16-T3-A brand manufacturers: Renesas, Anli stock, NESG2021M16-T3-A reference price.Renesas. NESG2021M16-T3-A parameters, NESG2021M16-T3-A Datasheet PDF and pin diagram description download.You can use the NESG2021M16-T3-A Transistors - Bipolar (BJT) - RF, DSP Datesheet PDF, find NESG2021M16-T3-A pin diagram and circuit diagram and usage method of function,NESG2021M16-T3-A electronics tutorials.You can download from the Anli.