[email protected]

Локаль

Язык

  • English
  • русский

Валюта

  • CNY-¥
  • RUB-₽
Цена такой валюты может меняться в зависимости от курса только для справки
Корзина для покупок
ANLI Electronic parts stores,electronic components,electronic parts,electronics parts supply
Классификация Марка Марка О Anli Запрос цены
ANLI Electronic parts stores,electronic components,electronic parts,electronics parts supply
[email protected]

SIA910EDJ-T1-GE3 Технические параметры

VISHAY  SIA910EDJ-T1-GE3 technical specifications, attributes, parameters and parts with similar specifications to Silicon Labs SI1084-A-GM.

Свойство продукта Значение свойства
Классификация Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Марка
Type of transistor N-MOSFET x2
Polarisation unipolar
Drain-source voltage 12V
Drain current 4.5A
Pulsed drain current 20A
Gate-source voltage ±8V
Свойство продукта Значение свойства
Mounting SMD
Kind of package reel,
Kind of channel enhanced
Gross weight 0.1 g
Power dissipation 7.8W
Gate charge 16nC
On-state resistance 42mΩ
Просмотр сходства
SIA910EDJ-T1-GE3 brand manufacturers: VISHAY, Anli stock, SIA910EDJ-T1-GE3 reference price.VISHAY. SIA910EDJ-T1-GE3 parameters, SIA910EDJ-T1-GE3 Datasheet PDF and pin diagram description download.You can use the SIA910EDJ-T1-GE3 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, DSP Datesheet PDF, find SIA910EDJ-T1-GE3 pin diagram and circuit diagram and usage method of function,SIA910EDJ-T1-GE3 electronics tutorials.You can download from the Anli.