- Все продукты
- /
- Connectors, Interconnects
- /
- Terminals - Wire Pin Connectors
| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Case | Case1 | Certificates | Drain current | Drain-source voltage | Gate-source voltage | Gross weight | Kind of channel | Kind of package | Kind of package1 | Mounting | Polarisation | Pulsed drain current | Type of transistor | Power dissipation | Gate charge | On-state resistance |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. ТипSI1902DL-T1-GE3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 660mA; Idm: 1A
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | SC70 | - | RoHS compliant | 0.66A | 20V | ±12V | 0.01g | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | 1A | N-MOSFET x2 | 0.27W | 0.8nC | 0.63Ω | ||
| SI1902DL-T1-GE3 | |||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSI9926CDY-T1-E3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.7A; 3.1W; SO8
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | SO8 | - | RoHS compliant | 6.7A | 20V | ±12V | 0.176g | enhanced | - | - | SMD | unipolar | - | N-MOSFET x2 | 3.1W | 33nC | 22mΩ | ||
| SI9926CDY-T1-E3 | |||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSI6926ADQ-T1-E3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3.6A; 1W; TSSOP8
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | TSSOP8 | - | RoHS compliant | 3.6A | 20V | ±8V | 0.255g | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | - | N-MOSFET x2 | 1W | 10.5nC | 43mΩ | ||
| SI6926ADQ-T1-E3 | |||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSISF00DN-T1-GE3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 120A
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | PowerPAK® 1212-8 | - | RoHS compliant | 60A | 30V | -16...20V | 1g | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | 120A | N-MOSFET x2 | 44.4W | 53nC | 7mΩ | ||
| SISF00DN-T1-GE3 | |||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSISF06DN-T1-GE3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 81A; Idm: 190A
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | PowerPAK® 1212-8 | - | RoHS compliant | 81A | 30V | -16...20V | 1g | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | 190A | N-MOSFET x2 | 44.4W | 45nC | 6.95mΩ | ||
| SISF06DN-T1-GE3 | |||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSIS932EDN-T1-GE3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6A; Idm: 40A
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | PowerPAK® 1212-8 | - | RoHS compliant | 6A | 30V | ±12V | 1g | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | 40A | N-MOSFET x2 | 14.8W | 14nC | 26mΩ | ||
| SIS932EDN-T1-GE3 | |||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSIRB40DP-T1-GE3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 40A; Idm: 100A
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | PowerPAK® SO8 | - | RoHS compliant | 40A | 40V | -16...20V | 1g | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | 100A | N-MOSFET x2 | 29.6W | 93nC | 4.2mΩ | ||
| SIRB40DP-T1-GE3 | |||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSISF02DN-T1-GE3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 25V; 60A; Idm: 140A
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | PowerPAK® 1212-8 | - | RoHS compliant | 60A | 25V | -12...16V | 1g | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | 140A | N-MOSFET x2 | 44.4W | 56nC | 5.6mΩ | ||
| SISF02DN-T1-GE3 | |||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSI7949DP-T1-E3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5A; Idm: -25A
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | PowerPAK® SO8 | - | RoHS compliant | -5A | -60V | ±20V | 0.1g | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | -25A | P-MOSFET x2 | 3.5W | 40nC | 80mΩ | ||
| SI7949DP-T1-E3 | |||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSI6913DQ-T1-E3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.8A; 1.14W
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | TSSOP8 | - | RoHS compliant | -5.8A | -12V | ±8V | 0.1g | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | -30A | P-MOSFET x2 | 1.14W | 28nC | 37mΩ | ||
| SI6913DQ-T1-E3 | |||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSI7913DN-T1-GE3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -7.4A; 2.8W
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | PowerPAK® 1212-8 | - | RoHS compliant | -7.4A | -20V | ±8V | 0.1g | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | -20A | P-MOSFET x2 | 2.8W | 24nC | 66mΩ | ||
| SI7913DN-T1-GE3 | |||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSI1553CDL-T1-GE3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 700/-500mA
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | SC70 | SOT363 | RoHS compliant | 700/-500mA | 20/-20V | ±12V | 0.1g | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | - | N/P-MOSFET | 0.34W | 3/1.8nC | 1.35/1.13Ω | ||
| SI1553CDL-T1-GE3 | |||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSI4963BDY-T1-GE3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.5A; 2W; SO8
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | SO8 | - | RoHS compliant | -6.5A | -20V | ±12V | 0.1g | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | -40A | P-MOSFET x2 | 2W | 21nC | 50mΩ | ||
| SI4963BDY-T1-GE3 | |||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSI5517DU-T1-GE3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 6/-6A; 8.3W
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | RoHS compliant | 6/-6A | 20/-20V | ±8V | 0.1g | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | - | N/P-MOSFET | 8.3W | 14/16nC | 131/55mΩ | ||
| SI5517DU-T1-GE3 | |||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSI1965DH-T1-GE3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -12V; -1.3A; 1.25W
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | SC70-6 | SOT363 | RoHS compliant | -1.3A | -12V | ±8V | 0.1g | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | -3A | P-MOSFET x2 | 1.25W | 4.2nC | 710mΩ | ||
| SI1965DH-T1-GE3 | |||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSI1967DH-T1-E3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.3A; 1.25W
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | SC70-6 | SOT363 | RoHS compliant | -1.3A | -20V | ±8V | 0.1g | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | -3A | P-MOSFET x2 | 1.25W | 4nC | 790mΩ | ||
| SI1967DH-T1-E3 | |||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSI4931DY-T1-GE3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8.9A; 2W; SO8
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | SO8 | - | RoHS compliant | -8.9A | -12V | ±8V | 0.1g | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | -30A | P-MOSFET x2 | 2W | 52nC | 28mΩ | ||
| SI4931DY-T1-GE3 | |||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSI1023X-T1-GE3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -390mA; 280mW
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | SC89 | SOT563 | RoHS compliant | -0.39A | -20V | ±6V | 0.1g | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | -0.65A | P-MOSFET x2 | 0.28W | 1.5nC | 2.7Ω | ||
| SI1023X-T1-GE3 | |||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSIZ980BDT-T1-GE3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: N-MOSFET x2 Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | RoHS compliant | 54.8/197A | 30V | - | 0.1g | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | 90...130A | N-MOSFET x2 + Schottky | 20/66W | 18/79nC | 7.12/1.72mΩ | ||
| SIZ980BDT-T1-GE3 | |||||||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSIZF906ADT-T1-GE3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: N-MOSFET x2 Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | RoHS compliant | 60A | 30V | - | 0.1g | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | 80...100A | N-MOSFET x2 + Schottky | 38/83W | 49/200nC | 5.3/1.58mΩ | ||
| SIZF906ADT-T1-GE3 |
Индекс :
0123456789ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ