- Все продукты
- /
- Connectors, Interconnects
- /
- Terminals - Wire Pin Connectors
| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Case | Case1 | Certificates | Drain current | Drain-source voltage | Gate-source voltage | Kind of channel | Kind of package | Kind of package1 | Mounting | Polarisation | Pulsed drain current | Type of transistor |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. ТипSIZF906ADT-T1-GE3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | RoHS compliant | 60A | 30V | - | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | 80...100A | N-MOSFET x2 + Schottky | ||
| SIZF906ADT-T1-GE3 | |||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSIZ342DT-T1-GE3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 100A
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | RoHS compliant | 30A | 30V | - | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | 100A | N-MOSFET x2 | ||
| SIZ342DT-T1-GE3 | |||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSIZ346DT-T1-GE3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 17/30A
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | RoHS compliant | 17/30A | 30V | ±20V | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | 25...100A | N-MOSFET x2 | ||
| SIZ346DT-T1-GE3 | |||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSIZF906DT-T1-GE3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | RoHS compliant | 60A | 30V | - | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | 80...100A | N-MOSFET x2 + Schottky | ||
| SIZF906DT-T1-GE3 | |||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSIZ240DT-T1-GE3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 48A; Idm: 100A
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | RoHS compliant | 48A | 40V | - | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | 100A | N-MOSFET x2 | ||
| SIZ240DT-T1-GE3 | |||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSQ4284EY-T1_GE3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 7.4A; 3.9W; SO8
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | SO8 | - | RoHS compliant | 7.4A | 40V | ±20V | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | - | N-MOSFET x2 | ||
| SQ4284EY-T1_GE3 | |||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSQJB70EP-T1_GE3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.5A; 9W; PowerPAK® SO8
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | PowerPAK® SO8 | - | RoHS compliant | 6.5A | 100V | ±20V | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | - | N-MOSFET x2 | ||
| SQJB70EP-T1_GE3 | |||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSQJQ960EL-T1_GE3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 36A; 24W; PowerPAK® 8x8L
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | PowerPAK® 8x8L | - | RoHS compliant | 36A | 60V | ±20V | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | - | N-MOSFET x2 | ||
| SQJQ960EL-T1_GE3 | |||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSI4590DY-T1-GE3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 100/-100V; 4.5/-2.7A; 2.3/2.7W
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | SO8 | - | RoHS compliant | 4.5/-2.7A | 100/-100V | ±20V | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | - | N/P-MOSFET | ||
| SI4590DY-T1-GE3 | |||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSI1026X-T1-GE3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.22A; 0.13W; SC89,SOT563
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | SC89 | SOT563 | RoHS compliant | 0.22A | 60V | ±20V | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | - | N-MOSFET x2 | ||
| SI1026X-T1-GE3 | |||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSIA938DJT-T1-GE3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 30A
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | RoHS compliant | 4.5A | 20V | - | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | 30A | N-MOSFET x2 | ||
| SIA938DJT-T1-GE3 | |||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSI7923DN-T1-E3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.4A; 2.8W
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | PowerPAK® 1212-8 | - | RoHS compliant | -6.4A | -30V | ±20V | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | -20A | P-MOSFET x2 | ||
| SI7923DN-T1-E3 | |||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSI6913DQ-T1-GE3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.8A; 1.14W
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | TSSOP8 | - | RoHS compliant | -5.8A | -12V | ±8V | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | -30A | P-MOSFET x2 | ||
| SI6913DQ-T1-GE3 | |||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSI7923DN-T1-GE3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.4A; 2.8W
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | PowerPAK® 1212-8 | - | RoHS compliant | -6.4A | -30V | ±20V | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | -20A | P-MOSFET x2 | ||
| SI7923DN-T1-GE3 | |||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSI7913DN-T1-E3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -7.4A; 2.8W
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | PowerPAK® 1212-8 | - | RoHS compliant | -7.4A | -20V | ±8V | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | -20A | P-MOSFET x2 | ||
| SI7913DN-T1-E3 | |||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSIZ980DT-T1-GE3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | RoHS compliant | 20/60A | 30V | - | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | 90...130A | N-MOSFET x2 + Schottky | ||
| SIZ980DT-T1-GE3 | |||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSIZ998DT-T1-GE3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | RoHS compliant | 20/60A | 30V | - | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | 90...130A | N-MOSFET x2 + Schottky | ||
| SIZ998DT-T1-GE3 | |||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSQ1539EH-T1_GE3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 850/-850mA
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | SC70-6 | SOT363 | RoHS compliant | 850/-850mA | 30/-30V | ±20V | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | - | N/P-MOSFET | ||
| SQ1539EH-T1_GE3 | |||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSIZF916DT-T1-GE3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | RoHS compliant | 40/60A | 30V | - | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | 130...110A | N-MOSFET x2 + Schottky | ||
| SIZF916DT-T1-GE3 | |||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSIZF918DT-T1-GE3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | RoHS compliant | 40/60A | 30V | - | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | 130...100A | N-MOSFET x2 + Schottky | ||
| SIZF918DT-T1-GE3 |
Индекс :
0123456789ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ