- Все продукты
- /
- Connectors, Interconnects
- /
- Terminals - Wire Pin Connectors
| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Case | Case1 | Certificates | Drain current | Drain-source voltage | Gate-source voltage | Kind of channel | Kind of package | Kind of package1 | Mounting | Polarisation | Pulsed drain current | Type of transistor |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  | Mfr. ТипSIA938DJT-T1-GE3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 30A
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | RoHS compliant | 4.5A | 20V | - | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | 30A | N-MOSFET x2 | ||
| SIA938DJT-T1-GE3 | |||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSI4943BDY-T1-E3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -8.4A; 2W; SO8
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | SO8 | - | RoHS compliant | -8.4A | -20V | ±20V | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | -30A | P-MOSFET x2 | ||
| SI4943BDY-T1-E3 | |||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSI4963BDY-T1-E3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.5A; 2W; SO8
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | SO8 | - | RoHS compliant | -6.5A | -20V | ±12V | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | -40A | P-MOSFET x2 | ||
| SI4963BDY-T1-E3 | |||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSI5504BDC-T1-E3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 4/-3.7A
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | RoHS compliant | 4/-3.7A | 30/-30V | ±20V | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | - | N/P-MOSFET | ||
| SI5504BDC-T1-E3 | |||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSI4931DY-T1-E3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8.9A; 2W; SO8
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | SO8 | - | RoHS compliant | -8.9A | -12V | ±8V | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | -30A | P-MOSFET x2 | ||
| SI4931DY-T1-E3 | |||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSI4943CDY-T1-E3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -8A; Idm: -30A
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | SO8 | - | RoHS compliant | -8A | -20V | ±20V | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | -30A | P-MOSFET x2 | ||
| SI4943CDY-T1-E3 | |||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSI1036X-T1-GE3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 610mA; Idm: 2A
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | SC89 | SOT563 | RoHS compliant | 610mA | 30V | ±8V | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | 2A | N-MOSFET x2 | ||
| SI1036X-T1-GE3 | |||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSI1023CX-T1-GE3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -450mA; 220mW
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | SC89 | - | RoHS compliant | -450mA | -20V | ±8V | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | -1.5A | P-MOSFET x2 | ||
| SI1023CX-T1-GE3 | |||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSI3552DV-T1-GE3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 2.5/-1.8A
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | TSOP6 | - | RoHS compliant | 2.5/-1.8A | 30/-30V | ±20V | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | -7...8A | N/P-MOSFET | ||
| SI3552DV-T1-GE3 | |||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSI3590DV-T1-E3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 3/-2A
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | TSOP6 | - | RoHS compliant | 3/-2A | 30/-30V | ±12V | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | 8A | N/P-MOSFET | ||
| SI3590DV-T1-E3 | |||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSI7923DN-T1-E3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.4A; 2.8W
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | PowerPAK® 1212-8 | - | RoHS compliant | -6.4A | -30V | ±20V | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | -20A | P-MOSFET x2 | ||
| SI7923DN-T1-E3 | |||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSI6913DQ-T1-GE3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.8A; 1.14W
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | TSSOP8 | - | RoHS compliant | -5.8A | -12V | ±8V | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | -30A | P-MOSFET x2 | ||
| SI6913DQ-T1-GE3 | |||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSI7923DN-T1-GE3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.4A; 2.8W
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | PowerPAK® 1212-8 | - | RoHS compliant | -6.4A | -30V | ±20V | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | -20A | P-MOSFET x2 | ||
| SI7923DN-T1-GE3 | |||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSI7913DN-T1-E3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -7.4A; 2.8W
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | PowerPAK® 1212-8 | - | RoHS compliant | -7.4A | -20V | ±8V | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | -20A | P-MOSFET x2 | ||
| SI7913DN-T1-E3 | |||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSI3590DV-T1-GE3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 2/-1.3A
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | TSOP6 | - | RoHS compliant | 2/-1.3A | 30/-30V | ±12V | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | 8A | N/P-MOSFET | ||
| SI3590DV-T1-GE3 | |||||||||||||||||||
| | Mfr. ТипSI4228DY-T1-GE3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 25V; 8A; Idm: 50A; 2W
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | SO8 | - | RoHS compliant | 8A | 25V | ±12V | enhanced | reel | tape | SMD | unipolar | 50A | N-MOSFET x2 | ||
| SI4228DY-T1-GE3 |
Индекс :
0123456789ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ