- Все продукты
- /
- Discrete Semiconductor Products
- /
- Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Case | Case1 | Certificates | Drain current | Drain-source voltage | Gate-source voltage | Gross weight | Kind of channel | Kind of package | Mounting | Polarisation | Pulsed drain current | Type of transistor | Power dissipation | Gate charge | On-state resistance |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Mfr. ТипDCX114YU7FAnlielectronics Тип | Vishay |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| DCX114YU7F | ||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипIRFI9630GPBFAnlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.7A; 35W; TO220FP
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | TO220FP | - | RoHS compliant | -2.7A | -200V | ±20V | 2.102g | enhanced | tube | THT | unipolar | - | P-MOSFET | 35W | 29nC | 0.8Ω | ||
| IRFI9630GPBF | ||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипIRFI9634GPBFAnlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -2.6A; 35W; TO220FP
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | TO220FP | - | RoHS compliant | -2.6A | -250V | ±20V | 2.118g | enhanced | tube | THT | unipolar | - | P-MOSFET | 35W | 38nC | 1Ω | ||
| IRFI9634GPBF | ||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипIRFD9120PBFAnlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.7A; 1.3W; DIP4
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | DIP4 | - | RoHS compliant | -0.7A | -100V | ±20V | 0.311g | enhanced | - | THT | unipolar | - | P-MOSFET | 1.3W | 18nC | 0.6Ω | ||
| IRFD9120PBF | ||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипIRFP9240PBFAnlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; 150W; TO247AC
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | TO247AC | - | RoHS compliant | -7.5A | -200V | ±20V | 4.87g | enhanced | tube | THT | unipolar | - | P-MOSFET | 150W | 44nC | 0.5Ω | ||
| IRFP9240PBF | ||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипIRFU9210PBFAnlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1.9A; Idm: -7.6A; 25W
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | IPAK | TO251 | RoHS compliant | -1.9A | -200V | ±20V | 1g | enhanced | tube | THT | unipolar | -7.6A | P-MOSFET | 25W | 8.9nC | 3Ω | ||
| IRFU9210PBF | ||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипIRF9Z20PBFAnlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -9.7A; Idm: -39A; 40W; TO220AB
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | TO220AB | - | RoHS compliant | -9.7A | -50V | ±20V | 2g | enhanced | tube | THT | unipolar | -39A | P-MOSFET | 40W | 26nC | 0.28Ω | ||
| IRF9Z20PBF | ||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипIRFI9620GPBFAnlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3A; Idm: -12A; 30W; TO220FP
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | TO220FP | - | RoHS compliant | -3A | -200V | ±20V | 2g | enhanced | tube | THT | unipolar | -12A | P-MOSFET | 30W | 15nC | 1.5Ω | ||
| IRFI9620GPBF | ||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипIRFI9Z34GPBFAnlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.5A; 42W; TO220FP
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | TO220FP | - | RoHS compliant | -8.5A | -60V | ±20V | 2.093g | enhanced | tube | THT | unipolar | - | P-MOSFET | 42W | 34nC | 0.14Ω | ||
| IRFI9Z34GPBF | ||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипIRFU9310PBFAnlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; IPAK,TO251
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | IPAK | TO251 | RoHS compliant | -1.1A | -400V | ±20V | 0.394g | enhanced | tube | THT | unipolar | - | P-MOSFET | 50W | 13nC | 7Ω | ||
| IRFU9310PBF | ||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипIRFI9530GPBFAnlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.4A; 42W; TO220FP
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | TO220FP | - | RoHS compliant | -5.4A | -100V | ±20V | 2.105g | enhanced | tube | THT | unipolar | - | P-MOSFET | 42W | 38nC | 0.3Ω | ||
| IRFI9530GPBF | ||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипIRFI9640GPBFAnlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.9A; 40W; TO220FP
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | TO220FP | - | RoHS compliant | -3.9A | -200V | ±20V | 2.108g | enhanced | tube | THT | unipolar | - | P-MOSFET | 40W | 44nC | 0.5Ω | ||
| IRFI9640GPBF | ||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипIRFU9014PBFAnlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; 25W; IPAK,TO251
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | IPAK | TO251 | RoHS compliant | -3.2A | -60V | ±20V | 0.38g | enhanced | tube | THT | unipolar | - | P-MOSFET | 25W | 12nC | 0.5Ω | ||
| IRFU9014PBF | ||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипIRFU9120PBFAnlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; 42W; IPAK,TO251
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | IPAK | TO251 | RoHS compliant | -3.6A | -100V | ±20V | 0.394g | enhanced | tube | THT | unipolar | - | P-MOSFET | 42W | 18nC | 0.6Ω | ||
| IRFU9120PBF | ||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипSUP90P06-09L-E3Anlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -67A; 250W
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | TO220AB | - | RoHS compliant | -67A | -60V | ±20V | 2.025g | enhanced | tube | THT | unipolar | - | P-MOSFET | 250W | 240nC | 11.8mΩ | ||
| SUP90P06-09L-E3 | ||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипIRFD9014PBFAnlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.8A; 1.3W; DIP4
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | DIP4 | - | RoHS compliant | -0.8A | -60V | ±20V | 0.308g | enhanced | - | THT | unipolar | - | P-MOSFET | 1.3W | 12nC | 0.5Ω | ||
| IRFD9014PBF | ||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипIRFD9210PBFAnlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.25A; 1W; DIP4
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | DIP4 | - | RoHS compliant | -0.25A | -200V | ±20V | 0.307g | enhanced | - | THT | unipolar | - | P-MOSFET | 1W | 8.9nC | 3Ω | ||
| IRFD9210PBF | ||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипIRFD9024PBFAnlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; 1.3W; DIP4
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | DIP4 | - | RoHS compliant | -1.1A | -60V | ±20V | 0.307g | enhanced | - | THT | unipolar | - | P-MOSFET | 1.3W | 19nC | 0.28Ω | ||
| IRFD9024PBF | ||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипIRFU9024PBFAnlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | IPAK | TO251 | RoHS compliant | -5.6A | -60V | ±20V | 0.397g | enhanced | tube | THT | unipolar | - | P-MOSFET | 42W | 19nC | 0.28Ω | ||
| IRFU9024PBF | ||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипIRFD9220PBFAnlielectronics Тип | VISHAY |
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.36A; 1W; DIP4
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | DIP4 | - | RoHS compliant | -0.36A | -200V | ±20V | 0.306g | enhanced | - | THT | unipolar | - | P-MOSFET | 1W | 15nC | 1.5Ω | ||
| IRFD9220PBF |
Индекс :
0123456789ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ
