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| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Lifecycle Status | Contact Plating | Mounting Type | Package / Case | Surface Mount | Number of Pins | Supplier Device Package | Weight | Number of Terminals | Transistor Element Material | Base Product Number | Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃ | Drain Current-Max (ID) | Ihs Manufacturer | Manufacturer | Manufacturer Package Code | Manufacturer Part Number | Mfr | Moisture Sensitivity Levels | Number of Elements | Package | Package Body Material | Package Description | Package Shape | Package Style | Part Life Cycle Code | Part Package Code | Product Status | Reflow Temperature-Max (s) | Risk Rank | RoHS | Voltage Rating (DC) | Voltage, Rating | Operating Temperature | Packaging | Published | Series | Tolerance | JESD-609 Code | Part Status | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Number of Terminations | Termination | ECCN Code | Temperature Coefficient | Resistance | Terminal Finish | Max Operating Temperature | Min Operating Temperature | Composition | Additional Feature | HTS Code | Power Rating | Max Power Dissipation | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Reach Compliance Code | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | Base Part Number | Military Standard | Pin Count | Reference Standard | JESD-30 Code | Qualification Status | Brand Name | Configuration | Operating Mode | Power - Max | FET Type | Transistor Application | Rds On (Max) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Max) @ Id | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | Drain to Source Voltage (Vdss) | Polarity/Channel Type | Drain Current-Max (Abs) (ID) | Drain-source On Resistance-Max | DS Breakdown Voltage-Min | Channel Type | FET Technology | Power Dissipation-Max (Abs) | FET Feature | Features | Diameter | Length | Width | Thickness | Radiation Hardening | RoHS Status |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Mfr. ТипPMDPB65UP,115Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | 6-UDFN Exposed Pad | - | - | - | - | - | - | - | 3.5A | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2011 | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | PMDPB65UP | - | 6 | - | - | - | - | - | - | 520mW | 2 P-Channel (Dual) | - | 70m Ω @ 1A, 4.5V | 1V @ 250μA | 380pF @ 10V | 6nC @ 4.5V | 20V | - | - | - | - | - | - | - | Logic Level Gate | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | ||
| PMDPB65UP,115 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипPMDPB28UN,115Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | 6-UDFN Exposed Pad | - | - | - | - | - | - | - | 4.6A | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2012 | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 6 | - | - | - | - | - | - | 510mW | 2 N-Channel (Dual) | - | 37m Ω @ 4.6A, 4.5V | 1V @ 250μA | 265pF @ 10V | 4.7nC @ 4.5V | 20V | - | - | - | - | - | - | - | Logic Level Gate | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | ||
| PMDPB28UN,115 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипPMZB290UNE2315Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
1A, 20V, N CHANNEL, MOSFET, XQF
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | NXP USA Inc. | - | - | Bulk | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | * | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| PMZB290UNE2315 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипPHP225,118-NXPAnlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | NXP USA Inc. | - | - | Bulk | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | * | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| PHP225,118-NXP | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипPMGD175XN,115Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP
Сборник данных
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| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | YES | - | - | - | - | SILICON | - | 900mA | - | - | - | - | - | - | - | 2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2012 | - | - | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 6 | - | - | - | - | Tin (Sn) | - | - | - | - | - | - | - | - | GULL WING | - | - | - | - | - | 6 | IEC-60134 | R-PDSO-G6 | - | - | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | ENHANCEMENT MODE | 390mW | 2 N-Channel (Dual) | SWITCHING | 225m Ω @ 1A, 4.5V | 1.5V @ 250μA | 75pF @ 15V | 1.1nC @ 4.5V | 30V | - | 0.9A | 0.225Ohm | 30V | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 0.905W | Logic Level Gate | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | ||
| PMGD175XN,115 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипPMDPB42UN,115Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | 6-UDFN Exposed Pad | - | - | - | - | - | - | - | 3.9A | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2012 | - | - | - | Obsolete | 1 (Unlimited) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 6 | - | - | - | - | - | - | 510mW | 2 N-Channel (Dual) | - | 50m Ω @ 3.9A, 4.5V | 1V @ 250μA | 185pF @ 10V | 3.5nC @ 4.5V | 20V | - | - | - | - | - | - | - | Logic Level Gate | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | ||
| PMDPB42UN,115 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипPMN70XPEA115Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
3.2A, 20V, 6-ELEMENT, P CHANNEL,
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | NXP USA Inc. | - | - | Bulk | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | * | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| PMN70XPEA115 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипPMGD8000LN,115Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | YES | - | - | - | - | SILICON | - | 125mA | - | - | - | - | - | - | - | 2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 1997 | TrenchMOS™ | - | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 6 | - | EAR99 | - | - | Tin (Sn) | - | - | - | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 8541.21.00.95 | - | - | - | GULL WING | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | - | - | 6 | - | R-PDSO-G6 | Not Qualified | - | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | ENHANCEMENT MODE | 200mW | 2 N-Channel (Dual) | SWITCHING | 8 Ω @ 10mA, 4V | 1.5V @ 100μA | 18.5pF @ 5V | 0.35nC @ 4.5V | 30V | - | 0.125A | 8Ohm | 30V | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 0.2W | Logic Level Gate | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Compliant | ||
| PMGD8000LN,115 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипPMCXB900UEL/S500,147Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
0.6A, 20V, 2-ELEMENT, N CHANNEL
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | NXP USA Inc. | - | - | Bulk | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | * | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| PMCXB900UEL/S500,147 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипPMDPB70XP,115Anlielectronics Тип | NXP |
NOW NEXPERIA PMDPB70XP - SMALL S
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | 6-UFDFN Exposed Pad | - | - | 6-HUSON (2x2) | - | - | - | - | 2.9A | - | - | Cutler Hammer, Div of Eaton Co | - | HT8FBRBVL3P | NXP USA Inc. | - | - | Bulk | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 490mW | 2 P-Channel (Dual) | - | 87mOhm @ 2.9A, 4.5V | 1V @ 250µA | 680pF @ 15V | 7.8nC @ 5V | 30V | - | - | - | - | - | - | - | Logic Level Gate | - | - | - | - | - | - | - | ||
| PMDPB70XP,115 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипBUK7K32-100EXAnlielectronics Тип | NXP |
BUK7K32-100E - DUAL N-CHANNEL 10
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | SOT-1205, 8-LFPAK56 | - | - | LFPAK56D | - | - | - | - | 29A | - | - | - | - | - | NXP USA Inc. | - | - | Bulk | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 64W | 2 N-Channel (Dual) | - | 27.5mOhm @ 5A, 10V | 4V @ 1mA | 2137pF @ 25V | 34nC @ 10V | 100V | - | - | - | - | - | - | - | Standard | - | - | - | - | - | - | - | ||
| BUK7K32-100EX | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипNX138AKSFAnlielectronics Тип | NXP |
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 60V 170mA 6-Pin TSSOP T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | YES | - | - | - | 6 | SILICON | - | - | 0.17 A | NEXPERIA | Nexperia | SOT363 | NX138AKSF | - | 1 | 2 | - | PLASTIC/EPOXY | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE | Active | TSSOP | - | 30 | 5.68 | - | - | - | - | - | - | * | - | - | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | DUAL | GULL WING | 260 | compliant | - | - | - | 6 | IEC-60134 | R-PDSO-G6 | - | Nexperia | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | ENHANCEMENT MODE | - | - | SWITCHING | - | - | - | - | - | N-CHANNEL | - | 4.5 Ω | 60 V | Dual N | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| NX138AKSF | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипBUK7K35-60EXAnlielectronics Тип | NXP |
BUK7K35-60E - DUAL N-CHANNEL 60V
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | SOT-1205, 8-LFPAK56 | - | - | LFPAK56D | - | - | - | - | 20.7A | - | - | - | - | - | NXP USA Inc. | - | - | Bulk | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 38W | 2 N-Channel (Dual) | - | 30mOhm @ 5A, 10V | 4V @ 1mA | 794pF @ 25V | 12.5nC @ 10V | 60V | - | - | - | - | - | - | - | Standard | - | - | - | - | - | - | - | ||
| BUK7K35-60EX | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипMRF6V2300NR5578Anlielectronics Тип | NXP |
N CHANNEL ENHANCEMENT-MODE RF PO
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | NXP USA Inc. | - | - | Bulk | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | * | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| MRF6V2300NR5578 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипPIP3117-B,118Anlielectronics Тип | NXP |
-
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | Obsolete (Last Updated: 2 weeks ago) | Tin | - | - | - | 3 | - | 749.986634 mg | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Compliant | 13 V | 13 V | - | Tape & Box (TB) | - | - | 5 % | - | - | - | 2 | Axial | - | -80 ppm/°C | 5.6 Ω | - | 200 °C | -40 °C | Wirewound | - | - | 3 W | 3 W | - | - | - | - | - | - | Not | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Flame Retardant Coating | 4.8 mm | 13 mm | 4.8 mm | 4.8 mm | No | - | ||
| PIP3117-B,118 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипPHC21025,118Anlielectronics Тип | NXP |
MOSFET N/P-CH 30V SOT96-1
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | PHC21 | - | - | - | - | - | - | NXP USA Inc. | - | - | Bulk | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | * | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| PHC21025,118 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипPIP3118-B,118Anlielectronics Тип | NXP |
-
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | Obsolete (Last Updated: 2 weeks ago) | - | - | - | - | 3 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | KYOCERA AVX | - | - | Tape & Reel (TR) | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | Non-Compliant | - | - | - | - | - | * | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| PIP3118-B,118 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. Тип2N7002PS/ZL115Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | Surface Mount | - | - | - | - | - | - | - | 2N7002 | 320mA | - | - | - | - | - | NXP USA Inc. | - | - | Bulk | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | 150°C (TJ) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2 N-Channel (Dual) | - | 1.6Ohm @ 500mA, 10V | 2.4V @ 250μA | 50pF @ 10V | 0.8nC @ 4.5V | 60V | - | - | - | - | - | - | - | Logic Level Gate | - | - | - | - | - | - | - | ||
| 2N7002PS/ZL115 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипBSS84AKW-B115Anlielectronics Тип | NXP USA Inc. |
P-CHANNEL MOSFET
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | NXP USA Inc. | - | - | Bulk | - | - | - | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | * | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| BSS84AKW-B115 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипNX138BKSFAnlielectronics Тип | NXP |
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 60V 0.21A 6-Pin TSSOP T/R
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Dual N | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| NX138BKSF |
Индекс :
0123456789ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ


