[email protected]

Локаль

Язык

  • English
  • русский

Валюта

  • CNY-¥
  • RUB-₽
Цена такой валюты может меняться в зависимости от курса только для справки
Корзина для покупок
ANLI Electronic parts stores,electronic components,electronic parts,electronics parts supply
Классификация Марка Марка О Anli Запрос цены
ANLI Electronic parts stores,electronic components,electronic parts,electronics parts supply
[email protected]
Изображение Тип Марка Объяснение Установленная цена Количество RoHS Surface Mount Number of Terminals Transistor Element Material Drain Current-Max (ID) Ihs Manufacturer Manufacturer Manufacturer Package Code Manufacturer Part Number Number of Elements Operating Temperature-Max Package Body Material Package Description Package Shape Package Style Part Life Cycle Code Part Package Code Reflow Temperature-Max (s) Risk Rank RoHS Rohs Code JESD-609 Code Pbfree Code ECCN Code Terminal Finish Additional Feature HTS Code Subcategory Terminal Position Terminal Form Peak Reflow Temperature (Cel) Reach Compliance Code Pin Count JESD-30 Code Qualification Status Brand Name Configuration Operating Mode Case Connection Transistor Application Polarity/Channel Type JEDEC-95 Code Drain Current-Max (Abs) (ID) Drain-source On Resistance-Max Pulsed Drain Current-Max (IDM) DS Breakdown Voltage-Min Avalanche Energy Rating (Eas) FET Technology Power Dissipation-Max (Abs) Feedback Cap-Max (Crss) Highest Frequency Band Power Dissipation Ambient-Max Power Gain-Min (Gp)
NEC NE325S01-T1B
Mfr. Тип
NE325S01-T1B
Anlielectronics Тип

NEC
-
Сборник данных Сравнение
    Min.:1
    Mult.:1
    		 YES 4 GALLIUM ARSENIDE 0.02 A NEC COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICES LTD NEC Compound Semiconductor Devices Ltd - NE325S01-T1B 1 - PLASTIC/EPOXY - UNSPECIFIED MICROWAVE Obsolete - - 5.23 - - - - - - LOW NOISE - - UNSPECIFIED GULL WING - unknown - X-PXMW-G4 Not Qualified - SINGLE DEPLETION MODE SOURCE AMPLIFIER N-CHANNEL - - - - 3 V - HETERO-JUNCTION - - KU BAND - 11 dB
    NE325S01-T1B
    NE325S01-T1B

    NEC
    RoHS :
    Инкапсуляция : -
    Есть складские запасы : -
    1 : -
    NEC NE850R599A
    Mfr. Тип
    NE850R599A
    Anlielectronics Тип

    		NEC
    -
    Сборник данных Сравнение
      Min.:1
      Mult.:1
      		 YES 2 GALLIUM ARSENIDE 0.56 A NEC COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICES LTD NEC Compound Semiconductor Devices Ltd - NE850R599A 1 - CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED 99, 2 PIN RECTANGULAR FLANGE MOUNT Transferred - NOT SPECIFIED 5.83 - No e0 - - TIN LEAD HIGH RELIABILITY - - DUAL FLAT NOT SPECIFIED compliant - R-CDFM-F2 Not Qualified - SINGLE DEPLETION MODE SOURCE AMPLIFIER N-CHANNEL - - - - 15 V - METAL SEMICONDUCTOR - - C BAND - -
      NE850R599A
      NE850R599A

      NEC
      RoHS :
      Инкапсуляция : -
      Есть складские запасы : -
      1 : -
      NEC UPA1763G-E2-A
      Mfr. Тип
      UPA1763G-E2-A
      Anlielectronics Тип

      		NEC
      -
      Сборник данных Сравнение
        Min.:1
        Mult.:1
        		 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
        UPA1763G-E2-A
        UPA1763G-E2-A

        NEC
        RoHS :
        Инкапсуляция : -
        Есть складские запасы : -
        1 : -
        NEC 2SJ358
        Mfr. Тип
        2SJ358
        Anlielectronics Тип

        		NEC
        Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, COMPACT, MP-2, 3 PIN
        Сборник данных Сравнение
          Min.:1
          Mult.:1
          		 YES 3 SILICON 3 A RENESAS ELECTRONICS CORP Renesas Electronics Corporation - 2SJ358 1 150 °C PLASTIC/EPOXY SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 RECTANGULAR SMALL OUTLINE Obsolete - NOT SPECIFIED 5.33 - No e0 - EAR99 Tin/Lead (Sn/Pb) - - Other Transistors SINGLE FLAT NOT SPECIFIED unknown 3 R-PSSO-F3 Not Qualified - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE ENHANCEMENT MODE DRAIN SWITCHING P-CHANNEL - 3 A 0.4 Ω 6 A 60 V - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR 2 W - - - -
          2SJ358
          2SJ358

          NEC
          RoHS :
          Инкапсуляция : -
          Есть складские запасы : -
          1 : -
          NEC 2SK3715
          Mfr. Тип
          2SK3715
          Anlielectronics Тип

          		NEC
          Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, MP-45F, 3 PIN
          Сборник данных Сравнение
            Min.:1
            Mult.:1
            		 NO 3 SILICON 75 A RENESAS ELECTRONICS CORP Renesas Electronics Corporation - 2SK3715 1 150 °C PLASTIC/EPOXY FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 RECTANGULAR FLANGE MOUNT Not Recommended TO-220AB - 5.2 - No e0 - EAR99 Tin/Lead (Sn/Pb) - 8541.29.00.95 FET General Purpose Power SINGLE THROUGH-HOLE - compliant 3 R-PSFM-T3 Not Qualified - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE ENHANCEMENT MODE ISOLATED SWITCHING N-CHANNEL TO-220AB 75 A 0.0095 Ω 300 A 60 V 450 mJ METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR 40 W - - - -
            2SK3715
            2SK3715

            NEC
            RoHS :
            Инкапсуляция : -
            Есть складские запасы : -
            1 : -
            NEC 2SJ601-Z
            Mfr. Тип
            2SJ601-Z
            Anlielectronics Тип

            		NEC
            -
            Сборник данных Сравнение
              Min.:1
              Mult.:1
              		 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
              2SJ601-Z
              2SJ601-Z

              NEC
              RoHS :
              Инкапсуляция : -
              Есть складские запасы : -
              1 : -
              NEC 2SJ601-Z-E1
              Mfr. Тип
              2SJ601-Z-E1
              Anlielectronics Тип

              		NEC
              -
              Сборник данных Сравнение
                Min.:1
                Mult.:1
                		 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
                2SJ601-Z-E1
                2SJ601-Z-E1

                NEC
                RoHS :
                Инкапсуляция : -
                Есть складские запасы : -
                1 : -
                NEC UPA1763G-E2
                Mfr. Тип
                UPA1763G-E2
                Anlielectronics Тип

                		NEC
                -
                Сборник данных Сравнение
                  Min.:1
                  Mult.:1
                  		 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
                  UPA1763G-E2
                  UPA1763G-E2

                  NEC
                  RoHS :
                  Инкапсуляция : -
                  Есть складские запасы : -
                  1 : -
                  NEC UPA1520H
                  Mfr. Тип
                  UPA1520H
                  Anlielectronics Тип

                  		NEC
                  Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SIP-10
                  Сборник данных Сравнение
                    Min.:1
                    Mult.:1
                    		 NO 10 SILICON 2 A RENESAS ELECTRONICS CORP Renesas Electronics Corporation - UPA1520H 1 150 °C PLASTIC/EPOXY IN-LINE, R-PSIP-T10 RECTANGULAR IN-LINE Obsolete - - 5.76 - - - - EAR99 - - 8541.29.00.95 FET General Purpose Power SINGLE THROUGH-HOLE - unknown 10 R-PSIP-T10 Not Qualified - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE ENHANCEMENT MODE - SWITCHING N-CHANNEL - 2 A 0.17 Ω 8 A 30 V - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR 3.5 W - - - -
                    UPA1520H
                    UPA1520H

                    NEC
                    RoHS :
                    Инкапсуляция : -
                    Есть складские запасы : -
                    1 : -
                    NEC 2SK2159
                    Mfr. Тип
                    2SK2159
                    Anlielectronics Тип

                    		NEC
                    Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
                    Сборник данных Сравнение
                      Min.:1
                      Mult.:1
                      		 YES 3 SILICON 2 A RENESAS ELECTRONICS CORP Renesas Electronics Corporation - 2SK2159 1 150 °C PLASTIC/EPOXY SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 RECTANGULAR SMALL OUTLINE Obsolete - NOT SPECIFIED 5.31 - No e0 - EAR99 Tin/Lead (Sn/Pb) GATE PROTECTED - FET General Purpose Power SINGLE FLAT NOT SPECIFIED unknown 3 R-PSSO-F3 Not Qualified - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE ENHANCEMENT MODE DRAIN SWITCHING N-CHANNEL - 2 A 0.5 Ω 4 A 60 V - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR 2 W - - - -
                      2SK2159
                      2SK2159

                      NEC
                      RoHS :
                      Инкапсуляция : -
                      Есть складские запасы : -
                      1 : -
                      NEC UPA1552BH
                      Mfr. Тип
                      UPA1552BH
                      Anlielectronics Тип

                      		NEC
                      Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.24ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SIP-10
                      Сборник данных Сравнение
                        Min.:1
                        Mult.:1
                        		 NO 10 SILICON 5 A NEC ELECTRONICS CORP NEC Electronics Group - UPA1552BH 4 - PLASTIC/EPOXY IN-LINE, R-PSIP-T10 RECTANGULAR IN-LINE Obsolete - NOT SPECIFIED 5.39 - No e0 - EAR99 TIN LEAD - 8541.29.00.95 - SINGLE THROUGH-HOLE NOT SPECIFIED compliant 10 R-PSIP-T10 Not Qualified - 2 BANKS, COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE ENHANCEMENT MODE - SWITCHING N-CHANNEL - - 0.24 Ω 20 A 60 V - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - - - - -
                        UPA1552BH
                        UPA1552BH

                        NEC
                        RoHS :
                        Инкапсуляция : -
                        Есть складские запасы : -
                        1 : -
                        NEC 2SJ601
                        Mfr. Тип
                        2SJ601
                        Anlielectronics Тип

                        		NEC
                        -
                        Сборник данных Сравнение
                          Min.:1
                          Mult.:1
                          		 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
                          2SJ601
                          2SJ601

                          NEC
                          RoHS :
                          Инкапсуляция : -
                          Есть складские запасы : -
                          1 : -
                          NEC 2SK739-Z-T1
                          Mfr. Тип
                          2SK739-Z-T1
                          Anlielectronics Тип

                          		NEC
                          Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, MP-3, SC-63, 3 PIN
                          Сборник данных Сравнение
                            Min.:1
                            Mult.:1
                            		 YES 2 SILICON 2 A NEC ELECTRONICS AMERICA INC NEC Electronics America Inc - 2SK739-Z-T1 1 150 °C PLASTIC/EPOXY SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 RECTANGULAR SMALL OUTLINE Obsolete - - 5.83 - - - - - - LOGIC LEVEL COMPATIBLE - - SINGLE GULL WING - unknown - R-PSSO-G2 Not Qualified - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE ENHANCEMENT MODE DRAIN SWITCHING N-CHANNEL - - 0.25 Ω 8 A 60 V - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - - - 20 W -
                            2SK739-Z-T1
                            2SK739-Z-T1

                            NEC
                            RoHS :
                            Инкапсуляция : -
                            Есть складские запасы : -
                            1 : -
                            NEC UPA508TE-T1-A
                            Mfr. Тип
                            UPA508TE-T1-A
                            Anlielectronics Тип

                            		NEC
                            -
                            Сборник данных Сравнение
                              Min.:1
                              Mult.:1
                              		 YES - - - RENESAS ELECTRONICS CORP Renesas Electronics Corporation PTSP0006ZA-A6 UPA508TE-T1-A - 150 °C - , - - Obsolete TMM NOT SPECIFIED 5.84 Non-Compliant Yes - Yes - - - - FET General Purpose Power - - NOT SPECIFIED unknown 6 - - Renesas Single - - - N-CHANNEL - 2 A - - - - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR 0.57 W - - - -
                              UPA508TE-T1-A
                              UPA508TE-T1-A

                              NEC
                              RoHS :
                              Инкапсуляция : -
                              Есть складские запасы : -
                              1 : -
                              NEC UPA1919TE-T1
                              Mfr. Тип
                              UPA1919TE-T1
                              Anlielectronics Тип

                              		NEC
                              -
                              Сборник данных Сравнение
                                Min.:1
                                Mult.:1
                                		 YES - - - RENESAS ELECTRONICS CORP Renesas Electronics Corporation - UPA1919TE-T1 - 150 °C - , - - Obsolete - - 5.86 - No - - - - - - Other Transistors - - - unknown - - - - Single ENHANCEMENT MODE - - P-CHANNEL - 6 A - - - - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR 2 W - - - -
                                UPA1919TE-T1
                                UPA1919TE-T1

                                NEC
                                RoHS :
                                Инкапсуляция : -
                                Есть складские запасы : -
                                1 : -
                                NEC 2SK193
                                Mfr. Тип
                                2SK193
                                Anlielectronics Тип

                                		NEC
                                RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET,
                                Сборник данных Сравнение
                                  Min.:1
                                  Mult.:1
                                  		 NO 3 SILICON 0.01 A NEC ELECTRONICS AMERICA INC NEC Electronics America Inc - 2SK193 1 125 °C PLASTIC/EPOXY - RECTANGULAR IN-LINE Obsolete - - 5.82 - - - - - - - - - SINGLE THROUGH-HOLE - unknown - R-PSIP-T3 Not Qualified - SINGLE DEPLETION MODE - AMPLIFIER N-CHANNEL - - - - - - JUNCTION - 0.25 pF VERY HIGH FREQUENCY BAND - 13 dB
                                  2SK193
                                  2SK193

                                  NEC
                                  RoHS :
                                  Инкапсуляция : -
                                  Есть складские запасы : -
                                  1 : -
                                  NEC 2SK3576T1B
                                  Mfr. Тип
                                  2SK3576T1B
                                  Anlielectronics Тип

                                  		NEC
                                  -
                                  Сборник данных Сравнение
                                    Min.:1
                                    Mult.:1
                                    		 - - - - RENESAS ELECTRONICS CORP Renesas Electronics Corporation - 2SK3576-T1B - - - - - - Obsolete - - 5.84 - - - - - - - - - - - - unknown - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
                                    2SK3576T1B
                                    2SK3576T1B

                                    NEC
                                    RoHS :
                                    Инкапсуляция : -
                                    Есть складские запасы : -
                                    1 : -
                                    NEC 2SK3221
                                    Mfr. Тип
                                    2SK3221
                                    Anlielectronics Тип

                                    		NEC
                                    Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 4.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, MP-45F, ISOLATED TO-220, 3 PIN
                                    Сборник данных Сравнение
                                      Min.:1
                                      Mult.:1
                                      		 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
                                      2SK3221
                                      2SK3221

                                      NEC
                                      RoHS :
                                      Инкапсуляция : -
                                      Есть складские запасы : -
                                      1 : -
                                      NEC NE38018
                                      Mfr. Тип
                                      NE38018
                                      Anlielectronics Тип

                                      		NEC
                                      -
                                      Сборник данных Сравнение
                                        Min.:1
                                        Mult.:1
                                        		 YES 4 GALLIUM ARSENIDE - NEC ELECTRONICS AMERICA INC NEC Electronics America Inc - NE38018 1 - PLASTIC/EPOXY - RECTANGULAR SMALL OUTLINE Obsolete - NOT SPECIFIED 5.02 - No e0 - - TIN LEAD LOW NOISE, HIGH RELIABILITY - - DUAL GULL WING NOT SPECIFIED compliant - R-PDSO-G4 Not Qualified - SINGLE DEPLETION MODE SOURCE AMPLIFIER N-CHANNEL - - - - 4 V - HETERO-JUNCTION - - S BAND - 12.5 dB
                                        NE38018
                                        NE38018

                                        NEC
                                        RoHS :
                                        Инкапсуляция : -
                                        Есть складские запасы : -
                                        1 : -
                                        NEC NE651R479A
                                        Mfr. Тип
                                        NE651R479A
                                        Anlielectronics Тип

                                        		NEC
                                        -
                                        Сборник данных Сравнение
                                          Min.:1
                                          Mult.:1
                                          		 YES 4 GALLIUM ARSENIDE - NEC COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICES LTD NEC Compound Semiconductor Devices Ltd - NE651R479A 1 - PLASTIC/EPOXY - RECTANGULAR MICROWAVE Transferred - - 5.75 - - - - - - HIGH RELIABILITY - - QUAD FLAT - unknown - R-PQMW-F4 Not Qualified - SINGLE - DRAIN AMPLIFIER - - - - - - - - - - - - -
                                          NE651R479A
                                          NE651R479A

                                          NEC
                                          RoHS :
                                          Инкапсуляция : -
                                          Есть складские запасы : -
                                          1 : -

                                          Discrete Semiconductor Products

                                          Transistors - FETs, MOSFETs - Single definition: The field-effect transistor (FET) is a type of transistor which uses an electric field to control the flow of current. FETs are also known a... Transistors - FETs, MOSFETs - Single Product Listing: NE325S01-T1B,NE850R599A,UPA1763G-E2-A,2SJ358,2SK3715.Discrete Semiconductor Products type:Diodes - Zener - Single(113610),Diodes - Rectifiers - Single(97769),Transistors - FETs, MOSFETs - Single(61202),Transistors - Bipolar (BJT) - Single(34518),Diodes - Rectifiers - Arrays(17034) .Transistors - FETs, MOSFETs - Single has 291 pieces of spot stock price information, you can click the "RFQ" button to confirm the inventory and price with the Anli.