[email protected]

Локаль

Язык

  • English
  • русский

Валюта

  • CNY-¥
  • RUB-₽
Цена такой валюты может меняться в зависимости от курса только для справки
Корзина для покупок
ANLI Electronic parts stores,electronic components,electronic parts,electronics parts supply
Классификация Марка Марка О Anli Запрос цены
ANLI Electronic parts stores,electronic components,electronic parts,electronics parts supply
[email protected]
Изображение Тип Марка Объяснение Установленная цена Количество RoHS Surface Mount Number of Terminals Transistor Element Material Base Product Number Brand Case Code - in Case Code - mm Drain Current-Max (ID) Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity Ihs Manufacturer Manufacturer Manufacturer Part Number Maximum Operating Temperature Mfr Minimum Operating Temperature Moisture Sensitivity Levels Mounting Styles Number of Elements Operating Temperature-Max Package Package Body Material Package Description Package Shape Package Style Part Life Cycle Code Part Package Code Product Status Reflow Temperature-Max (s) Risk Rank RoHS Rohs Code Turn-off Time-Max (toff) Turn-on Time-Max (ton) Voltage, Rating Packaging Series Tolerance JESD-609 Code Pbfree Code ECCN Code Temperature Coefficient Resistance Terminal Finish Applications Additional Feature Subcategory Power Rating Technology Terminal Position Terminal Form Peak Reflow Temperature (Cel) Reach Compliance Code Pin Count Termination Style JESD-30 Code Qualification Status Configuration Note Operating Mode Case Connection Transistor Application Polarity/Channel Type Product Type JEDEC-95 Code Drain Current-Max (Abs) (ID) Drain-source On Resistance-Max Pulsed Drain Current-Max (IDM) DS Breakdown Voltage-Min Avalanche Energy Rating (Eas) FET Technology Power Dissipation-Max (Abs) Power Power Dissipation Ambient-Max Features Product Category Height Length Width
Samsung IRF9530
Mfr. Тип
IRF9530
Anlielectronics Тип

Samsung
French Electronic Distributor since 1988
Сборник данных Сравнение
    Min.:1
    Mult.:1
    		 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IRF9530
    IRF9530

    Samsung
    RoHS :
    Инкапсуляция : -
    Есть складские запасы : -
    1 : -
    Samsung IRFR9220TR
    Mfr. Тип
    IRFR9220TR
    Anlielectronics Тип

    		Samsung
    -
    Сборник данных Сравнение
      Min.:1
      Mult.:1
      		 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
      IRFR9220TR
      IRFR9220TR

      Samsung
      RoHS :
      Инкапсуляция : -
      Есть складские запасы : -
      1 : -
      Samsung IRF9610
      Mfr. Тип
      IRF9610
      Anlielectronics Тип

      		Samsung
      1.8A, 200V, 3.00 Ohm, P-Channel Power MOSFET in TO-220
      Сборник данных Сравнение
        Min.:1
        Mult.:1
        		 NO 3 SILICON - - - - 1.8 A - VISHAY SILICONIX Vishay Siliconix IRF9610 - - - - - 1 150 °C - PLASTIC/EPOXY FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 RECTANGULAR FLANGE MOUNT Transferred TO-220AB - NOT SPECIFIED 5.21 - No - - - - - - e0 - EAR99 - - TIN LEAD - - - - - SINGLE THROUGH-HOLE NOT SPECIFIED compliant 3 - R-PSFM-T3 Not Qualified SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - ENHANCEMENT MODE - SWITCHING P-CHANNEL - TO-220AB - 3 Ω 7 A 200 V - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - - - - - - - -
        IRF9610
        IRF9610

        Samsung
        RoHS :
        Инкапсуляция : -
        Есть складские запасы : -
        1 : -
        Samsung IRFS740
        Mfr. Тип
        IRFS740
        Anlielectronics Тип

        		Samsung
        -
        Сборник данных Сравнение
          Min.:1
          Mult.:1
          		 NO 3 SILICON - - - - 5.4 A - SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC Samsung Semiconductor IRFS740 - - - - - 1 150 °C - PLASTIC/EPOXY FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 RECTANGULAR FLANGE MOUNT Obsolete SFM - - 5.71 - - 111 ns 62 ns - - - - - - - - - - - - FET General Purpose Power - - SINGLE THROUGH-HOLE - unknown 3 - R-PSFM-T3 Not Qualified SINGLE - ENHANCEMENT MODE ISOLATED SWITCHING N-CHANNEL - TO-220AB 5.5 A 0.55 Ω 40 A 400 V 157 mJ METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR 40 W - 40 W - - - - -
          IRFS740
          IRFS740

          Samsung
          RoHS :
          Инкапсуляция : -
          Есть складские запасы : -
          1 : -
          Samsung IRLW530ATM
          Mfr. Тип
          IRLW530ATM
          Anlielectronics Тип

          		Samsung
          -
          Сборник данных Сравнение
            Min.:1
            Mult.:1
            		 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
            IRLW530ATM
            IRLW530ATM

            Samsung
            RoHS :
            Инкапсуляция : -
            Есть складские запасы : -
            1 : -
            Samsung IRFP151
            Mfr. Тип
            IRFP151
            Anlielectronics Тип

            		Samsung
            40 A 60 V 0.055 Ohm N-channel Si Power Mosfet
            Сборник данных Сравнение
              Min.:1
              Mult.:1
              		 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - Yes - - - - - DIG20 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 80 W - - - - - -
              IRFP151
              IRFP151

              Samsung
              RoHS :
              Инкапсуляция : -
              Есть складские запасы : -
              1 : -
              Samsung 2N7000TA
              Mfr. Тип
              2N7000TA
              Anlielectronics Тип

              		Samsung
              Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
              Сборник данных Сравнение
                Min.:1
                Mult.:1
                		 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - Non-Compliant - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
                2N7000TA
                2N7000TA

                Samsung
                RoHS :
                Инкапсуляция : -
                Есть складские запасы : -
                1 : -
                Samsung IRF9540
                Mfr. Тип
                IRF9540
                Anlielectronics Тип

                		Samsung
                Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin (3+Tab) TO-220AB
                Сборник данных Сравнение
                  Min.:1
                  Mult.:1
                  		 NO 3 SILICON - - - - 19 A - VISHAY SILICONIX Vishay Siliconix IRF9540 - - - - - 1 175 °C - PLASTIC/EPOXY FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 RECTANGULAR FLANGE MOUNT Transferred TO-220AB - NOT SPECIFIED 5.07 - No - - - - - - e0 - EAR99 - - TIN LEAD - AVALANCHE RATED - - - SINGLE THROUGH-HOLE NOT SPECIFIED compliant 3 - R-PSFM-T3 Not Qualified SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - ENHANCEMENT MODE - SWITCHING P-CHANNEL - TO-220AB - 0.2 Ω 72 A 100 V 640 mJ METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - - - - - - - -
                  IRF9540
                  IRF9540

                  Samsung
                  RoHS :
                  Инкапсуляция : -
                  Есть складские запасы : -
                  1 : -
                  Samsung IRL520
                  Mfr. Тип
                  IRL520
                  Anlielectronics Тип

                  		Samsung
                  -
                  Сборник данных Сравнение
                    Min.:1
                    Mult.:1
                    		 - - - - Royalohm 2512 6432 - 4000 - Royalohm - + 155 C - - 55 C - PCB Mount - - - - - - - - - - - - Details - - - 200 V Reel General Purpose Thick Film 1 % - - - 100 PPM / C 174 Ohms - General Purpose - Resistors 1 W Thick Film - - - - - SMD/SMT - - - - - - - - Thick Film Resistors - - - - - - - - - - Wrap-Around Termination Thick Film Resistors - SMD 0.55 mm 6.35 mm 3.2 mm
                    IRL520
                    IRL520

                    Samsung
                    RoHS :
                    Инкапсуляция : -
                    Есть складские запасы : -
                    1 : -
                    Samsung IRF743
                    Mfr. Тип
                    IRF743
                    Anlielectronics Тип

                    		Samsung
                    Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 350V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
                    Сборник данных Сравнение
                      Min.:1
                      Mult.:1
                      		 NO 3 SILICON - - - - 8 A - ROCHESTER ELECTRONICS LLC Rochester Electronics LLC IRF743 - - - NOT SPECIFIED - 1 - - PLASTIC/EPOXY - RECTANGULAR FLANGE MOUNT Active - - NOT SPECIFIED 5.07 Yes No - - - - - - e0 No - - - TIN LEAD - - - - - SINGLE THROUGH-HOLE NOT SPECIFIED unknown - - R-PSFM-T3 COMMERCIAL SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - ENHANCEMENT MODE DRAIN SWITCHING N-CHANNEL - TO-220AB - 0.8 Ω 33 A 350 V - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - - - - - - - -
                      IRF743
                      IRF743

                      Samsung
                      RoHS :
                      Инкапсуляция : -
                      Есть складские запасы : -
                      1 : -
                      Samsung IRFP9140
                      Mfr. Тип
                      IRFP9140
                      Anlielectronics Тип

                      		Samsung
                      -
                      Сборник данных Сравнение
                        Min.:1
                        Mult.:1
                        		 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
                        IRFP9140
                        IRFP9140

                        Samsung
                        RoHS :
                        Инкапсуляция : -
                        Есть складские запасы : -
                        1 : -
                        Samsung IRFZ34
                        Mfr. Тип
                        IRFZ34
                        Anlielectronics Тип

                        		Samsung
                        Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Trans
                        Сборник данных Сравнение
                          Min.:1
                          Mult.:1
                          		 NO 3 SILICON - - - - 30 A - VISHAY SILICONIX Vishay Siliconix IRFZ34 - - - - - 1 175 °C - PLASTIC/EPOXY FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 RECTANGULAR FLANGE MOUNT Transferred TO-220AB - 30 5.05 - No - - - - - - e0 No EAR99 - - TIN LEAD - - - - - SINGLE THROUGH-HOLE 240 unknown 3 - R-PSFM-T3 Not Qualified SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - ENHANCEMENT MODE DRAIN SWITCHING N-CHANNEL - TO-220AB - 0.05 Ω 120 A 60 V 200 mJ METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - - - - - - - -
                          IRFZ34
                          IRFZ34

                          Samsung
                          RoHS :
                          Инкапсуляция : -
                          Есть складские запасы : -
                          1 : -
                          Samsung IRF320
                          Mfr. Тип
                          IRF320
                          Anlielectronics Тип

                          		Samsung
                          -
                          Сборник данных Сравнение
                            Min.:1
                            Mult.:1
                            		 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
                            IRF320
                            IRF320

                            Samsung
                            RoHS :
                            Инкапсуляция : -
                            Есть складские запасы : -
                            1 : -
                            Samsung IRFZ30
                            Mfr. Тип
                            IRFZ30
                            Anlielectronics Тип

                            		Samsung
                            -
                            Сборник данных Сравнение
                              Min.:1
                              Mult.:1
                              		 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
                              IRFZ30
                              IRFZ30

                              Samsung
                              RoHS :
                              Инкапсуляция : -
                              Есть складские запасы : -
                              1 : -
                              Samsung IRFW740ATM
                              Mfr. Тип
                              IRFW740ATM
                              Anlielectronics Тип

                              		Samsung
                              -
                              Сборник данных Сравнение
                                Min.:1
                                Mult.:1
                                		 YES - - - - - - - - FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP Fairchild Semiconductor Corporation IRFW740ATM - - - - - - 150 °C - - , - - Obsolete - - - 5.92 - No - - - - - - e0 - - - - Tin/Lead (Sn/Pb) - - FET General Purpose Power - - - - - unknown - - - - Single - ENHANCEMENT MODE - - N-CHANNEL - - 10 A - - - - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR 3.1 W - - - - - - -
                                IRFW740ATM
                                IRFW740ATM

                                Samsung
                                RoHS :
                                Инкапсуляция : -
                                Есть складские запасы : -
                                1 : -
                                Samsung IRF9Z10
                                Mfr. Тип
                                IRF9Z10
                                Anlielectronics Тип

                                		Samsung
                                -
                                Сборник данных Сравнение
                                  Min.:1
                                  Mult.:1
                                  		 - - - 050420 - - - - - - - - - Molex - - - - - Bulk - - - - - - Active - - - - - - - - * - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
                                  IRF9Z10
                                  IRF9Z10

                                  Samsung
                                  RoHS :
                                  Инкапсуляция : -
                                  Есть складские запасы : -
                                  1 : -
                                  Samsung IRF630
                                  Mfr. Тип
                                  IRF630
                                  Anlielectronics Тип

                                  		Samsung
                                  Transistor NPN Field Effect IRF630 SAMSUNG Ampere=9 V=200 TO220
                                  Сборник данных Сравнение
                                    Min.:1
                                    Mult.:1
                                    		 - - - - - - - - - - - - - Corsair - - - - - Bag - - - - - - Active - - Non-Compliant - - - - - * - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
                                    IRF630
                                    IRF630

                                    Samsung
                                    RoHS :
                                    Инкапсуляция : -
                                    Есть складские запасы : -
                                    1 : -
                                    Samsung IRF830
                                    Mfr. Тип
                                    IRF830
                                    Anlielectronics Тип

                                    		Samsung
                                    French Electronic Distributor since 1988
                                    Сборник данных Сравнение
                                      Min.:1
                                      Mult.:1
                                      		 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - Non-Compliant - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
                                      IRF830
                                      IRF830

                                      Samsung
                                      RoHS :
                                      Инкапсуляция : -
                                      Есть складские запасы : -
                                      1 : -
                                      Samsung IRF610
                                      Mfr. Тип
                                      IRF610
                                      Anlielectronics Тип

                                      		Samsung
                                      3.3A, 200V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET in TO-220
                                      Сборник данных Сравнение
                                        Min.:1
                                        Mult.:1
                                        		 NO 3 SILICON - - - - 3.3 A - ROCHESTER ELECTRONICS LLC Rochester Electronics LLC IRF610 - - - - - 1 - - PLASTIC/EPOXY - RECTANGULAR FLANGE MOUNT Active - - - 5.03 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - SINGLE THROUGH-HOLE - unknown - - R-PSFM-T3 COMMERCIAL SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - ENHANCEMENT MODE DRAIN SWITCHING N-CHANNEL - TO-220AB - 1.5 Ω 8 A 200 V - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - - - - - - - -
                                        IRF610
                                        IRF610

                                        Samsung
                                        RoHS :
                                        Инкапсуляция : -
                                        Есть складские запасы : -
                                        1 : -

                                        Discrete Semiconductor Products

                                        Transistors - FETs, MOSFETs - Single definition: The field-effect transistor (FET) is a type of transistor which uses an electric field to control the flow of current. FETs are also known a... Transistors - FETs, MOSFETs - Single Product Listing: IRF9530,IRFR9220TR,IRF9610,IRFS740,IRLW530ATM.Discrete Semiconductor Products type:Diodes - Zener - Single(113610),Diodes - Rectifiers - Single(97769),Transistors - FETs, MOSFETs - Single(61202),Transistors - Bipolar (BJT) - Single(34518),Diodes - Rectifiers - Arrays(17034) .Transistors - FETs, MOSFETs - Single has 19 pieces of spot stock price information, you can click the "RFQ" button to confirm the inventory and price with the Anli.