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| Изображение | Тип | Марка | Объяснение | Установленная цена | Количество | RoHS | Mount | Mounting Type | Package / Case | Surface Mount | Number of Pins | Supplier Device Package | Material | Number of Terminals | Transistor Element Material | Collector-Emitter Saturation Voltage | Dimensions | Ihs Manufacturer | Manufacturer | Manufacturer Package Code | Manufacturer Part Number | Maximum Collector Emitter Voltage | Maximum Gate Emitter Voltage | Maximum Operating Temperature | Minimum Operating Temperature | Number of Elements | Operating Temperature-Max | Operating Temperature-Min | Package Body Material | Package Description | Package Shape | Package Style | Package Type | Part Life Cycle Code | Part Package Code | RoHS | Rohs Code | Turn-off Time-Nom (toff) | Turn-on Time-Nom (ton) | Operating Temperature | Packaging | Series | Size / Dimension | Tolerance | JESD-609 Code | Pbfree Code | Part Status | ECCN Code | Temperature Coefficient | Type | Terminal Finish | Max Operating Temperature | Min Operating Temperature | Applications | HTS Code | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Reach Compliance Code | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | Pin Count | Reference Standard | JESD-30 Code | Qualification Status | Configuration | Element Configuration | Power Dissipation | Number of Resistors | Case Connection | Transistor Application | Circuit Type | Power Per Element | Polarity/Channel Type | Collector Emitter Voltage (VCEO) | Max Collector Current | Channel Type | Legend | Power Dissipation-Max (Abs) | Resistor-Ratio-Drift | Collector Current-Max (IC) | Continuous Collector Current | Resistance (Ohms) | Collector-Emitter Voltage-Max | Resistor Matching Ratio | Background Color | Gate-Emitter Voltage-Max | VCEsat-Max | Gate-Emitter Thr Voltage-Max | Language | Power Dissipation Ambient-Max | Height | Height Seated (Max) | Length | Width | Height (mm) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Mfr. ТипSKM150GB12T4Anlielectronics Тип | Semikron |
Semikron Miscellaneous
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | Surface Mount | 0804, Convex, Long Side Terminals | - | 8 | -- | - | - | - | 1.8V | 94 x 34 x 30.1mm | - | Semikron | - | 22892040 | 1200 V | ±20V | +175 °C | -40 °C | - | - | - | - | - | - | - | SEMITRANS2 | - | - | - | - | - | - | -55°C ~ 155°C | Tape & Reel (TR) | RAVF | 0.079 L x 0.039 W (2.00mm x 1.00mm) | ±5% | - | - | Active | - | ±200ppm/°C | - | - | - | - | Automotive AEC-Q200 | - | - | - | - | - | - | 7 | - | - | - | Dual Half Bridge | - | - | 4 | - | - | Isolated | 62.5mW | - | - | - | N | - | - | -- | - | 232A | 200 | - | -- | - | - | - | - | - | - | - | 0.020 (0.50mm) | - | - | - | ||
| SKM150GB12T4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипSKM75GB12T4Anlielectronics Тип | Semikron |
Semikron Transistors
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | Surface Mount | 0804, Convex, Long Side Terminals | - | 8 | -- | - | - | - | 1.85V | 94 x 34 x 30.1mm | - | Semikron | - | 22892010 | 1200 V | ±20V | +175 °C | -40 °C | - | - | - | - | - | - | - | SEMITRANS2 | - | - | Yes | - | - | - | -55°C ~ 155°C | Tape & Reel (TR) | RAVF | 0.079 L x 0.039 W (2.00mm x 1.00mm) | ±5% | - | - | Active | - | ±200ppm/°C | Dual | - | - | - | Automotive AEC-Q200 | - | - | - | - | - | - | 7 | - | - | - | Dual Half Bridge | - | - | 4 | - | - | Isolated | 62.5mW | - | - | - | N | - | - | -- | - | 115A | 12k | - | -- | - | - | - | - | - | - | - | 0.020 (0.50mm) | - | - | 30.5 mm | ||
| SKM75GB12T4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипSK25GAL063Anlielectronics Тип | Semikron |
Semikron SK25GAL063 Single IGBT Module, 30 A 600 V, 4-Pin SEMITOP1, PCB Mount
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | PCB, Screw | PCB Mount | - | - | 4 | - | - | - | - | - | 31 x 24 x 15.43mm | - | - | - | - | 600 V | ±20V | +150 °C | -40 °C | - | - | - | - | - | - | - | SEMITOP1 | - | - | Compliant | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 150 °C | -40 °C | - | - | - | - | - | - | - | 4 | - | - | - | Single | Single | - | - | - | - | - | - | - | 600 V | 30 A | N | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 15.43 mm | - | 31 mm | 24 mm | - | ||
| SK25GAL063 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипSKM100GAR12F4Anlielectronics Тип | Semikron |
IGBT Transistor Module, 100 A 1200 V
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1200 V | ±15.0V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| SKM100GAR12F4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипSKM400GAR12F4Anlielectronics Тип | Semikron |
IGBT Transistor Module, 400 A 1200 V
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1200 V | ±15.0V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| SKM400GAR12F4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипSKM300GB12F4Anlielectronics Тип | Semikron |
Half Bridge IGBT Transistor Module, 300 A 1200 V
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2.06V | - | - | - | - | - | 1200 V | ±15.0V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Half Bridge | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 380A | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| SKM300GB12F4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипSKM400GAL12F4Anlielectronics Тип | Semikron |
IGBT Transistor Module, 400 A 1200 V
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1200 V | ±15.0V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| SKM400GAL12F4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипSKM150GB12F4GAnlielectronics Тип | Semikron |
Half Bridge IGBT Transistor Module, 150 A 1200 V
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | Plastic | - | - | - | - | - | Brady | - | 116164 | 1200 V | ±15.0V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Warning Signs | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Half Bridge | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Flammable Materials | - | - | - | - | - | - | - | White | - | - | - | English | - | - | - | - | - | - | ||
| SKM150GB12F4G | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипSKM75GB12F4Anlielectronics Тип | Semikron |
Half Bridge IGBT Transistor Module, 75 A 1200 V
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1200 V | ±15.0V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Half Bridge | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| SKM75GB12F4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипSKM400GB12F4Anlielectronics Тип | Semikron |
Half Bridge IGBT Transistor Module, 400 A 1200 V
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1200 V | ±15.0V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Half Bridge | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| SKM400GB12F4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипSKM75GAR101DAnlielectronics Тип | SEMIKRON |
Description: Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | NO | - | - | - | 7 | SILICON | - | - | SEMIKRON INTERNATIONAL | - | - | - | - | - | - | - | 1 | 150 °C | - | PLASTIC/EPOXY | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7 | RECTANGULAR | FLANGE MOUNT | - | Obsolete | - | - | - | 280 ns | 100 ns | - | - | - | - | - | - | - | - | EAR99 | - | - | - | - | - | - | 8541.29.00.95 | UPPER | UNSPECIFIED | - | unknown | - | - | - | R-PUFM-X7 | Not Qualified | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | - | - | ISOLATED | MOTOR CONTROL | - | - | N-CHANNEL | - | - | - | - | 500 W | - | 75 A | - | - | 1000 V | - | - | 20 V | 4 V | 6.5 V | - | 500 W | - | - | - | - | - | ||
| SKM75GAR101D | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипSKIIP03AC066V1Anlielectronics Тип | SEMIKRON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MINISKIIP 0, 18 PIN
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | NO | - | - | - | 18 | SILICON | - | - | SEMIKRON INTERNATIONAL | - | - | - | - | - | - | - | 6 | 175 °C | - | UNSPECIFIED | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X18 | RECTANGULAR | FLANGE MOUNT | - | Obsolete | - | - | Yes | 195 ns | 50 ns | - | - | - | - | - | e2 | Yes | - | EAR99 | - | - | TIN SILVER | - | - | - | - | UPPER | UNSPECIFIED | - | compliant | - | 18 | IEC-60747-1; UL RECOGNIZED | R-XUFM-X18 | Not Qualified | COMPLEX | - | - | - | ISOLATED | POWER CONTROL | - | - | N-CHANNEL | - | - | - | - | - | - | 23 A | - | - | 600 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| SKIIP03AC066V1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипSKD116/12-L75Anlielectronics Тип | SEMIKRON |
Description: Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, CASE G60, SEMIPONT 6, 16 PIN
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | NO | - | - | - | 16 | SILICON | - | - | SEMIKRON INTERNATIONAL | - | CASE G60 | - | - | - | - | - | 1 | 150 °C | - | UNSPECIFIED | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X16 | RECTANGULAR | FLANGE MOUNT | - | Obsolete | - | - | Yes | 939.8 ns | 208.2 ns | - | - | - | - | - | e3/e4 | Yes | - | EAR99 | - | - | TIN/SILVER | - | - | - | - | UPPER | UNSPECIFIED | NOT SPECIFIED | compliant | NOT SPECIFIED | 16 | IEC-60747-1; UL RECOGNIZED | R-XUFM-X16 | Not Qualified | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE, THREE PHASE DIODE BRIDGE AND THERMISTOR | - | - | - | ISOLATED | POWER CONTROL | - | - | N-CHANNEL | - | - | - | - | - | - | 100 A | - | - | 1200 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| SKD116/12-L75 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипSKM75GAR121DAnlielectronics Тип | SEMIKRON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | NO | - | - | - | 7 | SILICON | - | - | SEMIKRON INTERNATIONAL | - | - | - | - | - | - | - | 1 | 150 °C | - | PLASTIC/EPOXY | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7 | RECTANGULAR | FLANGE MOUNT | - | Obsolete | - | - | - | 280 ns | 100 ns | - | - | - | - | - | - | - | - | EAR99 | - | - | - | - | - | - | 8541.29.00.95 | UPPER | UNSPECIFIED | - | unknown | - | - | - | R-PUFM-X7 | Not Qualified | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | - | - | ISOLATED | MOTOR CONTROL | - | - | N-CHANNEL | - | - | - | - | 500 W | - | 75 A | - | - | 1200 V | - | - | 20 V | 4 V | 6.5 V | - | 500 W | - | - | - | - | - | ||
| SKM75GAR121D | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипSKM450GM12E4Anlielectronics Тип | SEMIKRON |
Insulated Gate Bipolar Transistor
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | NO | - | - | - | 7 | SILICON | - | - | SEMIKRON INTERNATIONAL | - | - | - | - | - | - | - | 2 | 175 °C | -40 °C | UNSPECIFIED | , | RECTANGULAR | FLANGE MOUNT | - | Active | - | - | - | 631 ns | 305 ns | - | - | - | - | - | - | - | - | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | UPPER | UNSPECIFIED | - | compliant | - | - | IEC-61340; UL RECOGNIZED | R-XUFM-X7 | - | SERIES CONNECTED, CENTER TAPPED WITH BUILT-IN DIODE | - | - | - | ISOLATED | POWER CONTROL | - | - | N-CHANNEL | - | - | - | - | - | - | 700 A | - | - | 1200 V | - | - | 20 V | 2.08 V | 6.5 V | - | - | - | - | - | - | - | ||
| SKM450GM12E4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипSKM200GB176DH10Anlielectronics Тип | SEMIKRON |
Description: Insulated Gate Bipolar Transistor, 260A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, CASE D 56, SEMITRANS 3, 7 PIN
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | NO | - | - | - | 7 | SILICON | - | - | SEMIKRON INTERNATIONAL | - | CASE D 56 | - | - | - | - | - | 2 | 150 °C | - | UNSPECIFIED | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 | RECTANGULAR | FLANGE MOUNT | - | Obsolete | DO-204 | - | Yes | 900 ns | 405 ns | - | - | - | - | - | e3/e4 | Yes | - | EAR99 | - | - | TIN/SILVER | - | - | - | - | UPPER | UNSPECIFIED | NOT SPECIFIED | compliant | NOT SPECIFIED | 2 | UL RECOGNIZED | R-XUFM-X7 | Not Qualified | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | - | - | - | ISOLATED | POWER CONTROL | - | - | N-CHANNEL | - | - | - | - | - | - | 260 A | - | - | 1700 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| SKM200GB176DH10 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипSKIIP 12NAB126V1 25230020Anlielectronics Тип | SEMIKRON |
-
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| SKIIP 12NAB126V1 25230020 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипSKM75GAL101DAnlielectronics Тип | SEMIKRON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | NO | - | - | - | 7 | SILICON | - | - | SEMIKRON INTERNATIONAL | - | - | - | - | - | - | - | 1 | 150 °C | - | PLASTIC/EPOXY | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7 | RECTANGULAR | FLANGE MOUNT | - | Obsolete | - | - | - | 280 ns | 100 ns | - | - | - | - | - | - | - | - | EAR99 | - | - | - | - | - | - | 8541.29.00.95 | UPPER | UNSPECIFIED | - | unknown | - | - | - | R-PUFM-X7 | Not Qualified | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | - | - | ISOLATED | MOTOR CONTROL | - | - | N-CHANNEL | - | - | - | - | 500 W | - | 75 A | - | - | 1000 V | - | - | 20 V | 4 V | 6.5 V | - | 500 W | - | - | - | - | - | ||
| SKM75GAL101D | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипSKYPER52RAnlielectronics Тип | SEMIKRON |
Insulated Gate Bipolar Transistor
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | SEMIKRON INTERNATIONAL | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | , | - | - | - | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | compliant | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| SKYPER52R | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mfr. ТипSEMIX101GD12T4SAnlielectronics Тип | SEMIKRON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 160A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, CASE SEMIX 13, 20 PIN
Сборник данных
Сравнение
| Min.:1 Mult.:1 | - | - | - | NO | - | - | - | 20 | SILICON | - | - | SEMIKRON INTERNATIONAL | - | CASE SEMIX 13 | - | - | - | - | - | 6 | 175 °C | - | UNSPECIFIED | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X20 | RECTANGULAR | FLANGE MOUNT | - | Obsolete | - | - | - | 477 ns | 205 ns | - | - | - | - | - | - | - | - | EAR99 | - | - | - | - | - | - | - | UPPER | UNSPECIFIED | - | compliant | - | 20 | UL RECOGNIZED | R-XUFM-X20 | Not Qualified | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR | - | - | - | ISOLATED | POWER CONTROL | - | - | N-CHANNEL | - | - | - | - | - | - | 160 A | - | - | 1200 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
| SEMIX101GD12T4S |
Индекс :
0123456789ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ
