Transistors - JFETs Products For Sale - PDF - Discrete Semiconductor Products -Page18

Изображение	Тип	Марка	Объяснение	Установленная цена	Количество	RoHS	Mount	Mounting Type	Package / Case	Surface Mount	Number of Pins	Supplier Device Package	Number of Terminals	Transistor Element Material	Surface Mount Land Size	Base Product Number	Brand	Breakdown Voltage / V	Continuous Drain Current	Drain-Source Current at Vgs=0	Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity	Gate-Source Cutoff Voltage	Gate-Source Voltage (Max)	Ihs Manufacturer	Lifetime @ Temp.	Manufacturer	Manufacturer Part Number	Maximum Operating Temperature	Mfr	Minimum Operating Temperature	Mounting	Mounting Styles	Number of Elements	Operating Temperature (Max.)	Operating Temperature (Min.)	Operating Temperature Classification	Operating Temperature-Max	Package	Package Body Material	Package Description	Package Shape	Package Style	Package Type	Part Life Cycle Code	Part Package Code	Pd - Power Dissipation	Product Status	Rad Hardened	Reflow Temperature-Max (s)	Risk Rank	RoHS	Rohs Code	Schedule B	Transistor Polarity	Unit Weight	Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage	Voltage Rated	Voltage Rating (DC)	Operating Temperature	Packaging	Series	Size / Dimension	Tolerance	JESD-609 Code	Pbfree Code	ECCN Code	Type	Terminal Finish	Max Operating Temperature	Min Operating Temperature	Applications	HTS Code	Capacitance	Subcategory	Technology	Terminal Position	Terminal Form	Peak Reflow Temperature (Cel)	Reach Compliance Code	Current Rating	Pin Count	Reference Standard	JESD-30 Code	Qualification Status	ESR (Equivalent Series Resistance)	Lead Spacing	Configuration	Polarization	Impedance	Element Configuration	Ripple Current @ Low Frequency	Operating Mode	Power Dissipation	Power - Max	FET Type	Transistor Application	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	Drain to Source Voltage (Vdss)	Polarity/Channel Type	Product Type	Continuous Drain Current (ID)	JEDEC-95 Code	Gate to Source Voltage (Vgs)	Drain-source On Resistance-Max	DS Breakdown Voltage-Min	Channel Type	FET Technology	Power Dissipation-Max (Abs)	Drain to Source Resistance	Feedback Cap-Max (Crss)	Highest Frequency Band	Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)	Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id	Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)	Current Drain (Id) - Max	Product Category	Height Seated (Max)	REACH SVHC	Lead Free	Ratings

Изображение	Тип	Марка	Объяснение	Количество	Mount	Mounting Type	Package / Case	Surface Mount	Number of Pins	Supplier Device Package	Number of Terminals	Transistor Element Material	Surface Mount Land Size	Base Product Number	Brand	Breakdown Voltage / V	Continuous Drain Current	Drain-Source Current at Vgs=0	Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity	Gate-Source Cutoff Voltage	Gate-Source Voltage (Max)	Ihs Manufacturer	Lifetime @ Temp.	Manufacturer	Manufacturer Part Number	Maximum Operating Temperature	Mfr	Minimum Operating Temperature	Mounting	Mounting Styles	Number of Elements	Operating Temperature (Max.)	Operating Temperature (Min.)	Operating Temperature Classification	Operating Temperature-Max	Package	Package Body Material	Package Description	Package Shape	Package Style	Package Type	Part Life Cycle Code	Part Package Code	Pd - Power Dissipation	Product Status	Rad Hardened	Reflow Temperature-Max (s)	Risk Rank	RoHS	Rohs Code	Schedule B	Transistor Polarity	Unit Weight	Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage	Voltage Rated	Voltage Rating (DC)	Operating Temperature	Packaging	Series	Size / Dimension	Tolerance	JESD-609 Code	Pbfree Code	ECCN Code	Type	Terminal Finish	Max Operating Temperature	Min Operating Temperature	Applications	HTS Code	Capacitance	Subcategory	Technology	Terminal Position	Terminal Form	Peak Reflow Temperature (Cel)	Reach Compliance Code	Current Rating	Pin Count	Reference Standard	JESD-30 Code	Qualification Status	ESR (Equivalent Series Resistance)	Lead Spacing	Configuration	Polarization	Impedance	Element Configuration	Ripple Current @ Low Frequency	Operating Mode	Power Dissipation	Power - Max	FET Type	Transistor Application	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	Drain to Source Voltage (Vdss)	Polarity/Channel Type	Product Type	Continuous Drain Current (ID)	JEDEC-95 Code	Gate to Source Voltage (Vgs)	Drain-source On Resistance-Max	DS Breakdown Voltage-Min	Channel Type	FET Technology	Power Dissipation-Max (Abs)	Drain to Source Resistance	Feedback Cap-Max (Crss)	Highest Frequency Band	Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)	Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id	Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)	Current Drain (Id) - Max	Product Category	Height Seated (Max)	REACH SVHC	Lead Free	Ratings
	Mfr. Тип J112 Anlielectronics Тип	Cinch Connectivity Solutions	Rule, Aluminum, 12 In, 1/8, 1/16 In Grad Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
J112 Cinch Connectivity Solutions RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип J308 Anlielectronics Тип	Vishay	JFET JFET N-Channel Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	Through Hole	-	-	NO	3	-	3	SILICON	-	-	-	-	-	-	-	-	-	MOTOROLA INC	-	Motorola Semiconductor Products	J308	-	-	-	-	-	1	-	-	-	125 °C	-	PLASTIC/EPOXY	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	ROUND	CYLINDRICAL	-	Transferred	-	-	-	-	-	5.67	Non-Compliant	No	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	e0	-	-	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	150 °C	-55 °C	-	8541.21.00.75	-	Other Transistors	-	BOTTOM	THROUGH-HOLE	-	unknown	-	-	-	O-PBCY-T3	Not Qualified	-	-	SINGLE	-	-	Single	-	DEPLETION MODE	-	-	-	AMPLIFIER	-	-	N-CHANNEL	-	-	TO-92	-25 V	-	25 V	-	JUNCTION	0.4 W	-	2.5 pF	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	-	-	-	-	-	-	-	-	-
J308 Vishay RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип J175 Anlielectronics Тип	National Semiconductor	- Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	3	-	-	-	-	-	-	30 V	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Non-Compliant	-	-	-	-	-	-	-30 V	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	50 mA	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	350 mW	-	-	-	-	30 V	-	-	-60 mA	-	30 V	-	-	-	-	-	125 Ω	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Lead Free	-
J175 National Semiconductor RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип NTE459 Anlielectronics Тип	NTE ELECT	Trans JFET N-CH 50V 10mA Si 4-Pin TO-72 Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	Through Hole	TO-206AF, TO-72-4 Metal Can	-	-	TO-72	-	-	-	-	-	-	0.01(A)	-	-	-	-50(V)	-	-	NTE Electronics	NTE459	-	NTE Electronics, Inc	-	Through Hole	-	-	175C	-55C	Military	-	Bag	-	-	-	-	TO-72	-	-	-	Active	No	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	175°C (TJ)	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	4	-	-	-	-	-	Single	-	-	-	-	-	-	300 mW	N-Channel	-	6pF @ 15V	50 V	-	-	-	-	-	-	-	N	-	-	-	-	-	2 mA @ 15 V	6 V @ 500 pA	50 V	10 mA	-	-	-	-	-
NTE459 NTE ELECT RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MX2N4858 Anlielectronics Тип	Microchip	JFET JFETs Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	Through Hole	TO-18-3	NO	-	TO-18 (TO-206AA)	3	SILICON	-	2N4858	Microchip Technology	-	-	-	1	-	-	MICROSEMI CORP	-	Microchip	MX2N4858	-	Microchip Technology	-	-	Through Hole	1	-	-	-	200 °C	Bulk	METAL	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	ROUND	CYLINDRICAL	-	Active	BCY	-	Active	-	NOT SPECIFIED	5.65	Non-Compliant	No	-	-	-	-	-	-	-65°C ~ 200°C (TJ)	Bulk	Military, MIL-PRF-19500/385	-	-	e0	No	EAR99	JFET	TIN LEAD	-	-	-	8541.21.00.95	-	Transistors	Si	BOTTOM	WIRE	NOT SPECIFIED	compliant	-	3	MIL-19500/385	O-MBCY-W3	Not Qualified	-	-	SINGLE	-	-	-	-	DEPLETION MODE	-	360 mW	N-Channel	-	18pF @ 10V	40 V	N-CHANNEL	JFETs	-	TO-206AA	-	60 Ω	40 V	-	JUNCTION	-	-	8 pF	-	80 mA @ 15 V	4 V @ 0.5 nA	40 V	-	JFET	-	-	-	-
MX2N4858 Microchip RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип J176 Anlielectronics Тип	National Semiconductor	- Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	Chassis Mount	Radial, Can - Screw Terminals	-	3	-	-	-	-	-	-	30 V	-	-	-	-	-	-	6000 Hrs @ 105°C	-	-	-	EPCOS - TDK Electronics	-	-	-	-	-	-	-	-	Bulk	-	-	-	-	-	-	-	-	Active	-	-	-	Non-Compliant	-	-	-	-	-	350 V	-30 V	-40°C ~ 105°C	-	B43763	3.543 Dia (90.00mm)	±20%	-	-	-	-	-	-	-	General Purpose	-	8200 µF	-	-	-	-	-	-	25 mA	-	-	-	-	12mOhm @ 100Hz	1.248 (31.70mm)	-	Polar	19 mOhms	-	28.6 A @ 100 Hz	-	350 mW	-	-	-	-	30 V	-	-	-25 mA	-	30 V	-	-	-	-	-	250 Ω	-	-	-	-	-	-	-	4.764 (121.00mm)	No SVHC	Lead Free	-
J176 National Semiconductor RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип JANTXV2N3823 Anlielectronics Тип	Microchip	Trans JFET N-CH 30V 3-Pin TO-72 Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	8541210080, 8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
JANTXV2N3823 Microchip RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MMBF4093 Anlielectronics Тип	Aptina	Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MMBF4093 Aptina RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип TF412ST5G Anlielectronics Тип	Aptina	Trans JFET N-CH 30V 10mA 3-Pin SOT-883 T/R Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
TF412ST5G Aptina RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип J111 Anlielectronics Тип	Aptina	Trans JFET N-CH 3-Pin TO-92 Bag Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-35(V)	-	-	-	-	-	-	-	Through Hole	-	-	150C	-55C	Military	-	-	-	-	-	-	TO-92	-	-	-	-	No	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Bag	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	3	-	-	-	-	-	Single	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	N	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
J111 Aptina RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MMBFJ177LT1G Anlielectronics Тип	Aptina	Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MMBFJ177LT1G Aptina RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MMBF4392LT1G Anlielectronics Тип	Aptina	Trans JFET N-CH 30V 3-Pin SOT-23 T/R Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MMBF4392LT1G Aptina RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип SMMBFJ177LT1G Anlielectronics Тип	Aptina	Trans JFET P-CH Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
SMMBFJ177LT1G Aptina RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип 2N4221 Anlielectronics Тип	MOTOROLA	N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Non-Compliant	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2N4221 MOTOROLA RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип 2N4856 Anlielectronics Тип	NXP	JFET JFET N-Channel Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	NO	-	-	3	SILICON	-	-	-	-	-	-	-	-	-	MICROSEMI CORP	-	Microsemi Corporation	2N4856	-	-	-	-	-	1	-	-	-	200 °C	-	METAL	TO-18, 3 PIN	ROUND	CYLINDRICAL	-	Active	BCY	-	-	-	NOT SPECIFIED	5.03	-	No	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	e0	No	EAR99	-	TIN LEAD	-	-	-	8541.21.00.95	-	Other Transistors	-	BOTTOM	WIRE	NOT SPECIFIED	unknown	-	3	MIL-19500/385	O-MBCY-W3	Not Qualified	-	-	SINGLE	-	-	-	-	DEPLETION MODE	-	-	-	-	-	-	N-CHANNEL	-	-	TO-206AA	-	25 Ω	40 V	-	JUNCTION	1.8 W	-	8 pF	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2N4856 NXP RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип BS-250A Anlielectronics Тип	FLEx	BS-250A Four Pole Insulating Support Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
BS-250A FLEx RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип BSR58 Anlielectronics Тип	NXP	Transistor NPN Field Effect BSR58 PHILIPS miliampere=50 V=40 SO Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	3	-	-	-	-	-	-	40 V	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Compliant	-	-	-	-	-	-	40 V	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	50 mA	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	250 mW	-	-	-	-	40 V	-	-	44 mA	-	-	-	-	-	-	-	60 Ω	-	-	-	-	-	-	-	-	No SVHC	Lead Free	-
BSR58 NXP RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MMBF4416LT1 Anlielectronics Тип	MOTOROLA	- Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Cut Tape (CT)	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MMBF4416LT1 MOTOROLA RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип 2N2608 Anlielectronics Тип	Microchip	JFET JFETs Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	Through Hole	TO-18-3	-	-	TO-18 (TO-206AA)	-	-	-	-	Microchip Technology / Atmel	-	-	- 1 mA to - 5 mA	1	0.75 V to 6 V	-	-	-	Microchip	-	+ 200 C	Microchip Technology	- 65 C	-	Through Hole	-	-	-	-	-	Bulk	-	-	-	-	-	-	-	300 mW	Active	-	-	-	N	-	-	P-Channel	0.130443 oz	30 V	-	-	-65°C ~ 200°C (TJ)	Bulk	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Transistors	Si	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Single	-	-	-	-	-	-	300 mW	P-Channel	-	10pF @ 5V	-	-	JFETs	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	1 mA @ 5 V	750 mV @ 1 µA	30 V	-	JFET	-	-	-	-
2N2608 Microchip RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -
	Mfr. Тип MMBFJ113 Anlielectronics Тип	Texas Instruments	- Сборник данных Сравнение	Min.:1 Mult.:1	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MMBFJ113 Texas Instruments RoHS : Инкапсуляция : - Есть складские запасы : - 1 : -

Discrete Semiconductor Products

Transistors - JFETs definition: The JFET(Junction Gate Field-Effect Transistor) is one of the simplest types of field-effect transistor. JFETs are three-terminal semiconduc... Transistors - JFETs Product Listing: J112,J308,J175,NTE459,MX2N4858.Discrete Semiconductor Products type:Diodes - Zener - Single(113610),Diodes - Rectifiers - Single(97769),Transistors - FETs, MOSFETs - Single(61202),Transistors - Bipolar (BJT) - Single(34518),Diodes - Rectifiers - Arrays(17034) .Transistors - JFETs has 1626 pieces of spot stock price information, you can click the "RFQ" button to confirm the inventory and price with the Anli.

Индекс :

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

Локаль

Язык

Валюта

Здравствуйте, добро пожаловать в ANLI

Anlielectronics

Локаль

Язык

Валюта

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Mfr. Тип

Anlielectronics Тип

Discrete Semiconductor Products